公开(公告)号：CN116165504A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310186120.4

申请日：2023-03-01

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  胡志昊 ,  朱文杰 ,  赵长辉 ,  胡存刚 ,  曹文平 ,  李浩然 ,  谭琨

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体管阈值电压漂移检测及修正方法。通过对氮化镓晶体管进行脉冲测试，模拟其在电路中动态开关的工作情况，根据脉冲测试得到的动态转移曲线，标定出氮化镓晶体管阈值电压随着驱动电压应力值、应力时间等条件的漂移情况；定量分析出阈值电压漂移导致的动态电阻、栅极电荷等关键物理量的变化；在驱动端动态调整栅极驱动电压，修正氮化镓晶体管导通电阻、栅极电荷等物理量因阈值漂移导致的退化，提升氮化镓晶体管导通电阻稳定性。该发明方法可以有效抑制氮化镓晶体管性能在动态开关过程中的阈值电压漂移，提升氮化镓晶体管在高速开关工作中的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN115863276A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211651146.3

申请日：2022-12-21

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  李小慧 ,  赵长辉 ,  李惠 ,  姜明 ,  甘伟 ,  姜俊松

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓器件散热结构及其制备方法，包括：衬底，自上而下依次形成在衬底上的GaN器件层和过渡层；过渡层和衬底构成一异质结衬底。本发明的过渡层和衬底构成一种异质结衬底，实现GaN器件在高功率运行时所需的高效散热，进而大幅度提升GaN器件的功率密度以及可靠性。

公开(公告)号：CN118727135A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410752255.7

申请日：2024-06-12

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  郭素霞 ,  谌平凡 ,  韩昆 ,  赵长辉 ,  李小慧 ,  解旻旻 ,  何蝶

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  C30B23/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明揭示了一种超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，所述超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法具体包括如下：在安装有靶材的腔体内充入气体，并将腔体内的气压调节至目标气压；将衬底加热升温至目标温度，并保持目标温度和目标气压；以及对靶材进行处理，并与衬底产生反应，获得超宽带隙六方氮化硼薄膜。本发明能够实现对薄膜成分、结构和性能的精确控制，还能够实现在大尺寸衬底上生长高质量的超宽带隙六方氮化硼薄膜。

公开(公告)号：CN116165504B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202310186120.4

申请日：2023-03-01

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  胡志昊 ,  朱文杰 ,  赵长辉 ,  胡存刚 ,  曹文平 ,  李浩然 ,  谭琨

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体管阈值电压漂移检测及修正方法。通过对氮化镓晶体管进行脉冲测试，模拟其在电路中动态开关的工作情况，根据脉冲测试得到的动态转移曲线，标定出氮化镓晶体管阈值电压随着驱动电压应力值、应力时间等条件的漂移情况；定量分析出阈值电压漂移导致的动态电阻、栅极电荷等关键物理量的变化；在驱动端动态调整栅极驱动电压，修正氮化镓晶体管导通电阻、栅极电荷等物理量因阈值漂移导致的退化，提升氮化镓晶体管导通电阻稳定性。该发明方法可以有效抑制氮化镓晶体管性能在动态开关过程中的阈值电压漂移，提升氮化镓晶体管在高速开关工作中的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN117849569B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410251482.1

申请日：2024-03-06

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  胡志昊 ,  谭琨 ,  朱文杰 ,  胡存刚 ,  曹文平 ,  赵长辉 ,  李浩然 ,  郭素霞

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明揭示了一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法，所述纳秒量级延时的功率器件测试电路包括双脉冲测试电路，应力时长控制电路和接口控制电路；应力时长控制电路用于控制待测晶体管的漏极电压应力时长，并在时长内实现双脉冲测试电路产生既定的电流；双脉冲测试电路用于在待测晶体管导通时向待测晶体管施加电流，测试待测晶体管的特性；接口控制电路用于控制待测晶体管漏极的连接位置。本发明能够在任意设定的待测晶体管的漏极电压应力时长内产生既定的电流，从而进行测试时无需等待额外的充电时间，并且能够在任意漏极电压应力时长、漏极电压应力和负载电流下迅速检测待测晶体管的开关特性和导通电阻等状态。

公开(公告)号：CN117849569A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410251482.1

申请日：2024-03-06

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  胡志昊 ,  谭琨 ,  朱文杰 ,  胡存刚 ,  曹文平 ,  赵长辉 ,  李浩然 ,  郭素霞

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明揭示了一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法，所述纳秒量级延时的功率器件测试电路包括双脉冲测试电路，应力时长控制电路和接口控制电路；应力时长控制电路用于控制待测晶体管的漏极电压应力时长，并在时长内实现双脉冲测试电路产生既定的电流；双脉冲测试电路用于在待测晶体管导通时向待测晶体管施加电流，测试待测晶体管的特性；接口控制电路用于控制待测晶体管漏极的连接位置。本发明能够在任意设定的待测晶体管的漏极电压应力时长内产生既定的电流，从而进行测试时无需等待额外的充电时间，并且能够在任意漏极电压应力时长、漏极电压应力和负载电流下迅速检测待测晶体管的开关特性和导通电阻等状态。