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公开(公告)号：CN111834135B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010684501.1
申请日：2020-07-15
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01H1/0233 , H01H1/0237 , H01H11/04 , C22C5/06 , C22C32/00 , C22C1/05
Abstract: 本发明公开一种MAX@MOm/AOn电触头增强相材料、复合电触头材料及制备方法，为具有核壳结构的MAX@MOm/AOn，其内核为三维材料MAX相，外壳为同内核MAX相材料对应的氧化物颗粒MOm、AOn或复合氧化物层MOm/AOn；采用本发明制备的MAX@MOm/AOn作为增强相制备的Ag/MAX@MOm/AOn复合电触头材料，导电性极佳，硬度适中，加工性良好，可按照实际应用需求加工成各种电触头形状，抗电弧侵蚀性能优异，且节银效果显著，Ag基体中增强相MAX@MOm/AOn含量占复合材料比例最高可达40wt％；制备工艺简单，实用性好，适合大规模生产，适用于接触器、断路器、继电器等低压开关设备中，带来社会和经济价值。
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公开(公告)号：CN112635490B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202011517515.0
申请日：2020-12-21
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H10B51/30 , H01L29/47 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了电子科学技术领域的一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极；本发明通过代替传统贵金属电极设计的铁磁金属氧化物电极/铁电层/半导体电极型铁电隧道结存储器件，在35K的低温下可以实现电流开关比(电流开关比ON/OFF，开态隧穿电流值与关态隧穿电流值之比)达到～105，此外，本发明制备工艺简易，操作简便，成本低廉，可在低温下保持较好的信息存储及转换的性能，本发明中的低温存储器件通过电场调控及温度调控克服传统铁电隧道结在低温下性能缺陷，拓宽了La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3铁电隧道结存储器使用范围和使用性能。
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公开(公告)号：CN112694333A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110056237.1
申请日：2021-01-15
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种TixAlCy/TiCz/TiaAlb多元复相陶瓷粉末及其低温快速制备方法，所述TixAlCy/TiCz/TiaAlb为多元组分的金属性陶瓷粉末(x＝2‑3，y＝1‑2，z＝0.625‑1.020，a＝1‑3，b＝1‑5)；制备原料为Ti粉、TiC粉、Al粉、石墨粉，配比为xTi‑yTiC‑zAl‑C(x＝2‑2.2，y＝1‑1.3，z＝0.9‑1.2)；本发明通过结合冷冻干燥和二步快速降温技术在较低温度下高效制备出的所述TixAlCy/TiCz/TiaAlb多元复相陶瓷粉末，具有良好的导电、导热和力学性能，在结构、导电、导热、摩擦、复合等材料的开发和应用上具有广泛前景。
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公开(公告)号：CN112635490A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011517515.0
申请日：2020-12-21
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01L27/1159 , H01L29/47 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了电子科学技术领域的一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极；本发明通过代替传统贵金属电极设计的铁磁金属氧化物电极/铁电层/半导体电极型铁电隧道结存储器件，在35K的低温下可以实现电流开关比(电流开关比ON/OFF，开态隧穿电流值与关态隧穿电流值之比)达到～105，此外，本发明制备工艺简易，操作简便，成本低廉，可在低温下保持较好的信息存储及转换的性能，本发明中的低温存储器件通过电场调控及温度调控克服传统铁电隧道结在低温下性能缺陷，拓宽了La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3铁电隧道结存储器使用范围和使用性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834135A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010684501.1
申请日：2020-07-15
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01H1/0233 , H01H1/0237 , H01H11/04 , C22C5/06 , C22C32/00 , C22C1/05
Abstract: 本发明公开一种MAX@MOm/AOn电触头增强相材料、复合电触头材料及制备方法，为具有核壳结构的MAX@MOm/AOn，其内核为三维材料MAX相，外壳为同内核MAX相材料对应的氧化物颗粒MOm、AOn或复合氧化物层MOm/AOn；采用本发明制备的MAX@MOm/AOn作为增强相制备的Ag/MAX@MOm/AOn复合电触头材料，导电性极佳，硬度适中，加工性良好，可按照实际应用需求加工成各种电触头形状，抗电弧侵蚀性能优异，且节银效果显著，Ag基体中增强相MAX@MOm/AOn含量占复合材料比例最高可达40wt％；制备工艺简单，实用性好，适合大规模生产，适用于接触器、断路器、继电器等低压开关设备中，带来社会和经济价值。
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公开(公告)号：CN111834136B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010684502.6
申请日：2020-07-15
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01H1/0233 , H01H11/04
Abstract: 本发明公开一种MAX@M复合电触头增强相材料、复合电触头材料及制备方法，为表面包覆金属纳米颗粒的MAX@M，其内核为三维材料MAX相，外壳为表面包覆的金属纳米颗粒；采用本发明通过在MAX相表面敏化生成MXene材料，活化后用化学镀法在其表面包覆金属纳米颗粒制备表面包覆金属纳米颗粒的MAX@M复合电触头增强相材料；增强相材料与低压电触头Ag基复合后，有效解决了Ag‑MAX间存在的界面反应与扩散问题，且化学镀法工艺方便，技术成本低廉，可实用性强；使用表面包覆金属纳米颗粒的MAX@M作为低压电触头电接触材料增强相时，增强相含量占复合材料比例最高可达50wt％，节银效果明显且可以大幅提高复合材料基本性能。
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公开(公告)号：CN110699568B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910867101.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种壳核结构MXene@MAX复合触头增强相材料及其制备方法；所述MXene@MAX复合触头增强相材料为多维核壳结构，内核为MAX相材料，外壳为同内核MAX相材料对应的MXene材料；本发明同时公开了将上述MXene@MAX用于制备Ag/MXene@MAX复合触头材料及其制备方法，本发明所制备的MXene@MAX复合触头增强相材料，与Ag基体复合后，三维MAX起到支撑结构，二维MXene起到导电导热、增强与Ag基界面结合的作用，提高了Ag基电触头的密度、导电、导热和抗电弧侵蚀性能，且降低了电触头的表面温升、接触电阻以及材料损失率。
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公开(公告)号：CN111834136A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010684502.6
申请日：2020-07-15
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01H1/0233 , H01H11/04
Abstract: 本发明公开一种MAX@M复合电触头增强相材料、复合电触头材料及制备方法，为表面包覆金属纳米颗粒的MAX@M，其内核为三维材料MAX相，外壳为表面包覆的金属纳米颗粒；采用本发明通过在MAX相表面敏化生成MXene材料，活化后用化学镀法在其表面包覆金属纳米颗粒制备表面包覆金属纳米颗粒的MAX@M复合电触头增强相材料；增强相材料与低压电触头Ag基复合后，有效解决了Ag-MAX间存在的界面反应与扩散问题，且化学镀法工艺方便，技术成本低廉，可实用性强；使用表面包覆金属纳米颗粒的MAX@M作为低压电触头电接触材料增强相时，增强相含量占复合材料比例最高可达50wt％，节银效果明显且可以大幅提高复合材料基本性能。
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公开(公告)号：CN110699568A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910867101.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种壳核结构MXene@MAX复合触头增强相材料及其制备方法；所述MXene@MAX复合触头增强相材料为多维核壳结构，内核为MAX相材料，外壳为同内核MAX相材料对应的MXene材料；本发明同时公开了将上述MXene@MAX用于制备Ag/MXene@MAX复合触头材料及其制备方法，本发明所制备的MXene@MAX复合触头增强相材料，与Ag基体复合后，三维MAX起到支撑结构，二维MXene起到导电导热、增强与Ag基界面结合的作用，提高了Ag基电触头的密度、导电、导热和抗电弧侵蚀性能，且降低了电触头的表面温升、接触电阻以及材料损失率。
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