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公开(公告)号:CN119630256A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202410185376.8
申请日:2024-02-19
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/853 , H10N10/857
Abstract: 本发明提供一种碳量子点复合改性制备高性能方钴矿化合物的方法。所述碳量子点复合改性制备高性能方钴矿化合物的方法通过抓住碳量子点易溶于水或有机溶剂、并能够均匀分散的特点,采用碳点溶液快速超声震荡的方法将碳量子点复合进入CoSb3基方钴矿热电材料中,能够使得碳量子点快速进入CoSb3基方钴矿的介孔体系中,使得碳量子点均匀分散进CoSb3基方钴矿热电材料中,达到均匀复合的效果,再结合SPS烧结即制备得到CoSb3基方钴矿热电材料。达到快速、均匀复合要求,且做到简化复合流程和优化工艺的目的,并且能够得到热电性能较好的CoSb3基方钴矿热电复合材料;本发明具有打破现有CoSb3基方钴矿热电材料常见通过掺杂、填充和复合金属纳米相等传统的提升热电性能的方法。
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公开(公告)号:CN119630255A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202410134242.3
申请日:2024-01-30
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/855 , H10N10/857
Abstract: 本发明公开一种BiCuSeO碳纳米点复合热电材料及其制备方法,所述方法包括骤一、碳纳米点的合成;步骤二、BiCuSeO/碳纳米点的原位合成;步骤三、BiCuSeO/碳纳米点复合粉末的放电等离子烧结得到BiCuSeO/碳纳米点复合热电材料,本发明以BiCuSeO为基体,引入N‑CDs纳米相,由于碳点具有电子转移性质,其碳点表面含有大量的空穴和电子,可以同时作为电子给体和电子受体,并且在适宜的条件下出现电子转移现象,这一性质使N‑CDs弥散分布在BiCuSeO母相的晶界处来大幅度地提高其电输运性能,同时维持一个相对较大的塞贝克系数,从而提高了其热电性能。
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