公开(公告)号：CN105097451A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510395293.2

申请日：2015-07-03

Applicant: 安徽工程大学

Inventor： 鲁麟 ,  李明潮 ,  刘畅 ,  吕琛 ,  江明

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02488 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明公开了一种低位错密度AlxGa1-xN外延薄膜的制备方法，制备方法包括：在衬底上外延生长AlN薄膜；将制得的AlN薄膜上外延生长多个周期AlyGa1-yN/AlN超晶格插入层；在上述AlyGa1-yN/AlN超晶格插入层表面外延生长AlxGa1-xN薄膜；腐蚀制得的AlxGa1-xN薄膜，形成具有位错坑的AlxGa1-xN薄膜；在上述具有位错坑的AlxGa1-xN薄膜表面沉积介质膜，形成具有介质膜的外延片；将上述具有介质膜的外延片表面抛光，制得外延片模板；在上述外延片模板上继续外延生长AlxGa1-xN，制得AlxGa1-xN外延薄膜；其中，x、y为不大于1的正数。实现低位错密度的效果。