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公开(公告)号:CN116926609A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202310946184.X
申请日:2023-07-31
Applicant: 安徽工程大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/02 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本申请涉及新材料技术领域,尤其涉及一种缺陷态二氧化钛复合普鲁士蓝核壳纳米棒薄膜的制备方法,首先利用水热法制备TiO2纳米棒薄膜,然后利用电化学还原法制备缺陷态TiO2纳米棒薄膜,最后利用电沉积法在制备的纳米棒上再次包覆一层PB层,最终获得D‑TiO2@PB核壳纳米棒薄膜,制备的成本低廉、操作简单,化学反应条件相对温和,更易获得均匀稳定的复合薄膜材料,本发明方法制备的D‑TiO2@PB核壳纳米棒薄膜作为光阳极的吸光能力、载流子分离传输能力与光电催化效率得到显著提高,且在稳定性方面表现出较好的优势,促进了可再生清洁能源的发展。
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公开(公告)号:CN115261827B
公开(公告)日:2023-08-11
申请号:CN202210755357.5
申请日:2022-06-29
Applicant: 安徽工程大学
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域,且公开了一种硫化铟锌复合普鲁士蓝薄膜的制备方法,先采用水热法制备ZnIn2S4纳米片薄膜,设备简单,可控性强;再采用电沉积法,在ZnIn2S4纳米片沉积PB纳米颗粒,形成ZnIn2S4/PB复合薄膜。依照本发明方法制备的硫化铟锌复合普鲁士蓝薄膜结合了ZnIn2S4和PB两种材料各自的特点和优势,两者之间形成异质结结构,可以有效抑制光生电子与空穴的复合,提升载流子的迁移速率,从而提升了半导体光阳极的PEC性能。
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公开(公告)号:CN114959837A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210517398.0
申请日:2022-05-13
Applicant: 安徽工程大学
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域,且公开了一种镁合金表面TiO2‑MoS2二维薄膜的制备方法,包括镁合金预处理和TiO2‑MoS2复合薄膜材料制备,其中TiO2‑MoS2复合薄膜材料制备包括步骤:制作电泳液、电泳沉积、薄膜清洗。本发明通过电泳法制备的TiO2‑MoS2二维薄膜,结合了TiO2和MoS2两种二维材料各自的特点和优势,形成一种新型的多功能型复合材料,在镁合金表面形成一层致密的纳米薄膜,防止介质通过薄膜与镁合金接触,对镁合金起到保护作用,从而延长镁合金的使用寿命,在新材料防腐蚀等领域具有很大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN115261827A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210755357.5
申请日:2022-06-29
Applicant: 安徽工程大学
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域,且公开了一种硫化铟锌复合普鲁士蓝薄膜的制备方法,先采用水热法制备ZnIn2S4纳米片薄膜,设备简单,可控性强;再采用电沉积法,在ZnIn2S4纳米片沉积PB纳米颗粒,形成ZnIn2S4/PB复合薄膜。依照本发明方法制备的硫化铟锌复合普鲁士蓝薄膜结合了ZnIn2S4和PB两种材料各自的特点和优势,两者之间形成异质结结构,可以有效抑制光生电子与空穴的复合,提升载流子的迁移速率,从而提升了半导体光阳极的PEC性能。
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