-
公开(公告)号：CN115261827B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210755357.5
申请日：2022-06-29
Applicant: 安徽工程大学
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域，且公开了一种硫化铟锌复合普鲁士蓝薄膜的制备方法，先采用水热法制备ZnIn2S4纳米片薄膜，设备简单，可控性强；再采用电沉积法，在ZnIn2S4纳米片沉积PB纳米颗粒，形成ZnIn2S4/PB复合薄膜。依照本发明方法制备的硫化铟锌复合普鲁士蓝薄膜结合了ZnIn2S4和PB两种材料各自的特点和优势，两者之间形成异质结结构，可以有效抑制光生电子与空穴的复合，提升载流子的迁移速率，从而提升了半导体光阳极的PEC性能。
Search Results
1
records
(took 0.023 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
