公开(公告)号：CN118495946B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202410716463.1

申请日：2024-06-04

Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司

Inventor： 张涵 ,  李朝雄 ,  黄章峰 ,  杨现猛 ,  黄新春 ,  宋邦洪

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种A位高熵化设计的PbZrO3基低剩余极化强度陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明所述高熵陶瓷材料的化学式为(Pb0.2Bi0.2Ba0.2Sr0.2Me0.2)ZrO3(Me＝Na、K、Li)。制备过程为按照设计的化学计量比分别称量PbO、BaCO3、Bi2O3、SrCO3、ZrO2、Na2CO3或者K2CO3或者Li2CO3粉末，之后进行湿法球磨、离心喷雾干燥、预烧，对所得预烧粉末进行干磨、干燥、研磨、过筛、压片，最后经空气中1260℃下烧结2.5h得到(Pb0.2Bi0.2Ba0.2Sr0.2Na0.2)ZrO3高熵陶瓷。(Pb0.2Bi0.2Ba0.2Sr0.2Na0.2)ZrO3高熵陶瓷在10Hz测试频率下，击穿场强达到120kv/cm，剩余极化强度仅仅为0.06μC/cm2，有望成为低剩余极化强度陶瓷电容器的候选材料。

公开(公告)号：CN118908728B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202410971581.7

申请日：2024-07-19

Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司

Inventor： 张涵 ,  杨现猛 ,  黄新春 ,  黄章峰 ,  宋邦洪 ,  李朝雄

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种B位掺杂的NaNbO3高熵陶瓷材料及其制备方法，属于高熵陶瓷材料技术领域。所述高熵陶瓷的化学式为Na(Nb0.25Ta0.25V0.25W0.25)O3，制备过程为按照设计的化学计量比分别称量Na2CO3、Nb2O5、Ta2O5、V2O5、WO3原料粉末，之后进行湿法球磨、干燥、煅烧、二次球磨、干燥、研磨、压片，最后在空气中1100℃下烧结4h得到高熵陶瓷。该高熵陶瓷在1kHz频率测试下，在常温下介电损耗低于0.05，介电常数为223。在常温下，测试频率从1kHz升高到1MHz时，该高熵陶瓷的介电常数保持稳定，在陶瓷电容器领域具有广泛的应用潜力。

公开(公告)号：CN118908727A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411005189.3

申请日：2024-07-25

Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司

Inventor： 张涵 ,  李朝雄 ,  黄章峰 ,  杨现猛 ,  黄新春 ,  宋邦洪

IPC: C04B35/493 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种A、B位双掺杂中熵化锆酸铅基复相介电陶瓷及其制备方法，本发明所述中熵陶瓷材料的化学式为xPbSnO3‑(1‑x)(Pb0.96La0.01Ba0.01Sm0.01)(Hf1/3Zr1/3Ti1/3)O3(x＝0～0.03)，制备过程为按照设计的化学计量比分别称量SnO2、PbO、BaCO3、La2O3、Sm2O3、HfO2、ZrO2、TiO2，之后进行三维混料机混料、预烧、湿法球磨、干燥、过筛、压片，最后在空气中1235℃下烧结3h得到致密的中熵陶瓷。在常温下，1kHz的频率测试下，该中熵陶瓷介电常数可达到825，介电损耗低于0.05，有望成为新一代介电陶瓷的候选材料。

公开(公告)号：CN118495946A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410716463.1

申请日：2024-06-04

Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司

Inventor： 张涵 ,  李朝雄 ,  黄章峰 ,  杨现猛 ,  黄新春 ,  宋邦洪

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种A位高熵化设计的PbZrO3基低剩余极化强度的陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明所述高熵陶瓷材料的化学式为(Pb0.2Bi0.2Ba0.2Sr0.2Me0.2)ZrO3，Me＝Na、K、Li制备过程为按照设计的化学计量比分别称量PbO、BaCO3、Bi2O3、SrCO3、ZrO2、Na2CO3或者K2CO3或者Li2CO3粉末，之后进行湿法球磨、离心喷雾干燥、预烧，对所得预烧粉末进行干磨、干燥、研磨、过筛、压片，最后经空气中1260℃下烧结2.5h得到(Pb0.2Bi0.2Ba0.2Sr0.2Me0.2)ZrO3(Me＝Na、K、Li)高熵陶瓷。(Pb0.2Bi0.2Ba0.2Sr0.2Na0.2)ZrO3高熵陶瓷在10Hz测试频率下，击穿场强达到120kv/cm，剩余极化强度仅仅为0.06μC/cm2，有望成为低剩余极化的陶瓷电容器的候选材料。

公开(公告)号：CN118908728A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410971581.7

申请日：2024-07-19

Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司

Inventor： 张涵 ,  杨现猛 ,  黄新春 ,  黄章峰 ,  宋邦洪 ,  李朝雄

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种B位掺杂的NaNbO3高熵陶瓷材料及其制备方法，属于高熵陶瓷材料技术领域。所述高熵陶瓷的化学式为Na(Nb0.25Ta0.25V0.25W0.25)O3，制备过程为按照设计的化学计量比分别称量Na2CO3、Nb2O5、Ta2O5、V2O5、WO3原料粉末，之后进行湿法球磨、干燥、煅烧、二次球磨、干燥、研磨、压片，最后在空气中1100℃下烧结4h得到高熵陶瓷。该高熵陶瓷在1kHz频率测试下，在常温下介电损耗低于0.05，介电常数为223。在常温下，测试频率从1kHz升高到1MHz时，该高熵陶瓷的介电常数保持稳定，在陶瓷电容器领域具有广泛的应用潜力。