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公开(公告)号：CN119368765A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411458910.4
申请日：2024-10-18
Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碱性电解槽用电极网等离子增材制造设备，属于增材制造技术领域，包括底座，所述底座顶部固定设有3d打印机，所述底座一侧壁固定设有加工台，所述底座与加工台上均开设有凹槽，且两个所述凹槽直接相互连通设置，所述凹槽内部滑动设有用于对待打印物进行承托的承托板，所述底座一侧壁固定设有用于对承托板进行固定的夹持组件，所述加工台上固定设有用于对打印好的电极网进行脱离的辅助脱离机构。本发明通过锁紧组件对电极网进行锁紧，并通过脱离组件使电极网小幅度进行左右往复移动，减少电极网与加工台之间的摩擦力，同时可定时增加添加剂增加电极网表面润滑辅助翘边脱离，使脱离的损坏降到最低，提高成品率。
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公开(公告)号：CN112609146A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011360021.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种焰流自反应生成硼化钼碳化钼涂层的等离子喷涂材料，包括钼粉复合包覆碳化硼粉末，所述钼粉复合包覆碳化硼粉末在等离子焰流中的反应制备出硼化钼碳化钼复合耐磨涂层；所述钼粉复合包覆碳化硼粉末为核壳结构式钼粉复合包覆碳化硼粉末，且所述钼粉复合包覆碳化硼粉末的核芯为碳化硼，表面包覆超细钼粉。本发明提供的一种焰流自反应生成硼化钼碳化钼涂层的等离子喷涂材料与传统的固态产品相比，本发明以采用该粉末制备的硼化钼碳化硼复合耐磨涂层红硬性好，耐高温耐磨，涂层致密，气孔率低，抗热振性能好等特点；同时该方法具有工艺简单、生产量大、经济可靠、可以工业推广等优点。
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公开(公告)号：CN118908727A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411005189.3
申请日：2024-07-25
Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司
IPC: C04B35/493 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种A、B位双掺杂中熵化锆酸铅基复相介电陶瓷及其制备方法，本发明所述中熵陶瓷材料的化学式为xPbSnO3‑(1‑x)(Pb0.96La0.01Ba0.01Sm0.01)(Hf1/3Zr1/3Ti1/3)O3(x＝0～0.03)，制备过程为按照设计的化学计量比分别称量SnO2、PbO、BaCO3、La2O3、Sm2O3、HfO2、ZrO2、TiO2，之后进行三维混料机混料、预烧、湿法球磨、干燥、过筛、压片，最后在空气中1235℃下烧结3h得到致密的中熵陶瓷。在常温下，1kHz的频率测试下，该中熵陶瓷介电常数可达到825，介电损耗低于0.05，有望成为新一代介电陶瓷的候选材料。
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公开(公告)号：CN112500140A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011352267.9
申请日：2020-11-26
Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司
IPC: C04B35/12 , C04B35/622 , C23C4/10 , C23C4/134
Abstract: 本发明公开了一种热喷涂氧化铬复合陶瓷粉体的制备方法，该氧化铬复合陶瓷粉体由以下成分构成，以重量计：氧化铬400‑750Kg、氧化钛250‑600Kg和原料重量2‑4.0％的中性硅溶胶。本发明以硅常溶胶做氧化硅源和造粒粘接剂，经喷雾造粒‑高温烧结后制成Cr2O3‑5％SiO23％TiO2复合粉末。硅溶胶中氧化硅的原始粒径14纳米，可以有效吸附并均匀包覆在氧化铬和氧化钛表面，降低了烧结温度，涂层孔隙率更低，硬度和韧性显著提高。在等离子喷涂过程中有效的隔绝了氧化铬与氧的反应，产生六价铬。
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公开(公告)号：CN112474234A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011347076.3
申请日：2020-11-26
Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种热喷涂绝缘涂层，所述热喷涂绝缘涂层包括，打底层、致密氧化铝中间层和多孔氧化铝面层，所述打底层位于基体的表面，且打底层通过等离子喷涂工艺形成，其厚度为50‑100μm，所述致密氧化铝中间层设置在打底层的表面上，且致密氧化铝中间层采用细粒径氧化铝粉末通过等离子喷涂工艺形成，其厚度为100‑200μm，所述多孔氧化铝面层设置在致密氧化铝中间层的外表面。本发明提供的一种热喷涂绝缘涂层，与传统的涂层相比，本发明采用细粒径氧化铝涂层作为过滤层，可形成较致密涂层结构，提高绝缘强度；采用粗粒径氧化铝喷涂多孔面层，可提高涂层的韧性；采用聚硅氧烷类替代环氧树酯类封孔剂，绝缘和耐温性更优。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112341231A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011336186.X
申请日：2020-11-24
Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司
IPC: C04B35/81 , C04B35/626 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结高韧性3D打印工艺陶瓷粉体浆料，按质量份数计，该低温烧结高韧性3D打印工艺陶瓷粉体浆料的配方包括：氧化铝100‑180份、六钛酸钾50‑120份、晶须硅500‑800份、锂长石150‑350份、蛇纹石120‑240份、中性铝溶胶80‑120份、触变剂2‑6份、分散剂8‑14份、增稠剂15‑37份、流平剂3‑11份、水200‑480份。本发明通过在3D打印工艺陶瓷粉体浆料的配方中添加锂长石，锂长石粉状物可以当碱性物大量加入从而作为氧化铝、蛇纹石和晶须硅的助溶剂，由于锂长石熔化本身温度低，会使本3D打印工艺陶瓷粉体浆料的熔点温度降低，拓宽了作为碱性降温矿化物的烧温度范围，从而能是本3D打印工艺陶瓷粉体浆料通过低温烧结的方式进行3D打印。
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公开(公告)号：CN118908728A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410971581.7
申请日：2024-07-19
Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种B位掺杂的NaNbO3高熵陶瓷材料及其制备方法，属于高熵陶瓷材料技术领域。所述高熵陶瓷的化学式为Na(Nb0.25Ta0.25V0.25W0.25)O3，制备过程为按照设计的化学计量比分别称量Na2CO3、Nb2O5、Ta2O5、V2O5、WO3原料粉末，之后进行湿法球磨、干燥、煅烧、二次球磨、干燥、研磨、压片，最后在空气中1100℃下烧结4h得到高熵陶瓷。该高熵陶瓷在1kHz频率测试下，在常温下介电损耗低于0.05，介电常数为223。在常温下，测试频率从1kHz升高到1MHz时，该高熵陶瓷的介电常数保持稳定，在陶瓷电容器领域具有广泛的应用潜力。
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公开(公告)号：CN112479702A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011364688.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子喷涂用氧化铬氧化钛复合粉末，所述等离子喷涂用氧化铬氧化钛复合粉末的配方如下：高钛渣250‑550份、三氧化二铬950‑1050份、液体润滑剂20‑40份、涂料工业消泡剂15‑35份、二乙基醚溶剂10‑15份、羟基纤维素3‑8份、乙基纤维素5‑12份、阿拉伯树胶10‑15份；所述氧化铬氧化钛复合粉末根据TiO2的含量的不同，具体分为Cr2O3·25％TiO2氧化铬氧化钛复合粉末、Cr2O3·40％TiO2氧化铬氧化钛复合粉末和Cr2O3·55％TiO2氧化铬氧化钛复合粉末。本发明采用高钛渣替代钛白粉通过破碎、混合、烧结、球磨制备出氧化铬氧化钛复合粉，制备工艺简单，并且通过该氧化铬氧化钛复合粉制备的复合涂层耐候性好，结合强度高，涂层致密等特点，并且采用高钛渣替代钛白粉显著降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN112358310A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011352346.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司
IPC: C04B35/80 , B28B1/00 , C04B35/185 , C04B35/19 , C04B35/48
Abstract: 本发明公开了一种高韧性3D打印陶瓷粉体浆料，包括主料和辅料，所述主料与辅料之间的质量比为：主料∶辅料＝10‑15∶1.5‑2；按质量份数计，该高韧性3D打印陶瓷粉体浆料的主料配方包括：3Y氧化锆200‑400份、晶须硅400‑600份、锂辉石200‑600份、红柱石150‑450份、中性铝溶胶100‑150份；按质量份数计，该高韧性3D打印陶瓷粉体浆料的辅料配方包括：触变剂1‑5份、分散剂8‑12份、增稠剂15‑35份、流平剂1‑10份、水200‑450份。本发明通过在3D打印陶瓷粉体浆料的配方中添加3Y氧化锆、锂辉石和红柱石在与现有的陶瓷粉体浆料相比，通过3Y氧化锆、锂辉石和红柱石与晶须硅复合可以极大地提高粉末材料的性能参数，提高其断裂韧性、抗弯强度，提高其抗热振性以及韧性。
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公开(公告)号：CN118495946B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202410716463.1
申请日：2024-06-04
Applicant: 安徽盈锐优材科技有限公司
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种A位高熵化设计的PbZrO3基低剩余极化强度陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明所述高熵陶瓷材料的化学式为(Pb0.2Bi0.2Ba0.2Sr0.2Me0.2)ZrO3(Me＝Na、K、Li)。制备过程为按照设计的化学计量比分别称量PbO、BaCO3、Bi2O3、SrCO3、ZrO2、Na2CO3或者K2CO3或者Li2CO3粉末，之后进行湿法球磨、离心喷雾干燥、预烧，对所得预烧粉末进行干磨、干燥、研磨、过筛、压片，最后经空气中1260℃下烧结2.5h得到(Pb0.2Bi0.2Ba0.2Sr0.2Na0.2)ZrO3高熵陶瓷。(Pb0.2Bi0.2Ba0.2Sr0.2Na0.2)ZrO3高熵陶瓷在10Hz测试频率下，击穿场强达到120kv/cm，剩余极化强度仅仅为0.06μC/cm2，有望成为低剩余极化强度陶瓷电容器的候选材料。
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