本占地菇的菌床栽培方法

    公开(公告)号:CN101743855A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200910226282.6

    申请日:2009-11-27

    CPC classification number: A01G18/00

    Abstract: 本发明提供一种本占地菇的菌床栽培方法,其中发芽步骤和/或子实体生长步骤是在高CO2浓度的环境条件下进行的。高CO2浓度的环境条件的例子包括:在发芽步骤中CO2浓度为2,500ppm或更高以及在子实体生长步骤中CO2浓度为5,000ppm或更高。由于本发明的实施方案提高了本占地菇的菌床栽培方法中小芽的形成率,因此可通过大规模的商业栽培来稳定地生产本占地菇。

    本占地菇的菌床栽培方法

    公开(公告)号:CN101743855B

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN200910226282.6

    申请日:2009-11-27

    CPC classification number: A01G18/00

    Abstract: 本发明提供一种本占地菇的菌床栽培方法,其中发芽步骤和/或子实体生长步骤是在高CO2浓度的环境条件下进行的。高CO2浓度的环境条件的例子包括:在发芽步骤中CO2浓度为2,500ppm或更高以及在子实体生长步骤中CO2浓度为5,000ppm或更高。由于本发明的实施方案提高了本占地菇的菌床栽培方法中小芽的形成率,因此可通过大规模的商业栽培来稳定地生产本占地菇。

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