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公开(公告)号：CN101689521A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021489.3
申请日：2008-06-20
Applicant: 密克罗奇普技术公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
CPC classification number: G01R31/31717 , G01R31/2853 , G01R31/2884 , G01R31/318511 , H01L22/14 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种用于监视半导体制作过程的方法，其形成半导体芯片的晶片。每一芯片具有一个或一个以上二极管。每一二极管可作为阵列的部分寻址，对应于所述芯片的物理位置，且串联连接到堆叠。所述堆叠由一个或一个以上垂直互连件及金属触点组成。寻址所述二极管及相关联垂直互连件堆叠，且测量穿过阵列中的所述垂直互连件堆叠中的每一者的电流。
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公开(公告)号：CN101218675A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680024750.6
申请日：2006-06-27
Applicant: 密克罗奇普技术公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种在集成电路装置的输出端具有增加的耐电压力的静电放电(ESD)结构具有与较厚的栅极氧化物层MOS装置串联耦合的薄栅极氧化物层金属氧化物半导体(MOS)装置。所述薄栅极氧化物层MOS装置可由所述集成电路的低电压控制电路控制。所述较厚栅极氧化物层MOS装置可耦合到所述集成电路装置的输出，或者双极晶体管可耦合在所述集成电路装置的输出与所述较厚栅极氧化物层MOS装置之间。所述薄栅极氧化物层与较厚的栅极氧化物层MOS装置可串联耦合。
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公开(公告)号：CN101842954B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200880113858.1
申请日：2008-11-21
Applicant: 密克罗奇普技术公司
Abstract: 对装置接口的自适应静电放电(ESD)保护在装置接口被处置时或在安装到系统中或从系统移除时具有非常好的ESD稳健性。且当装置接口在系统中操作时，具有对DPI、电磁干扰(EMI)和类似物的稳健抗扰性。每当待保护的外部连接上不存在(或存在低水平)DPI时，ESD保护金属氧化物半导体(MOS)装置的漏极与栅极之间存在显著的电容性耦合，以增强ESD保护且降低其快回电压。因此当在所述外部连接上检测到显著的DPI/EMI信号时，MOS ESD保护装置的漏极与栅极之间的电容性耦合被断开、旁路或衰减，使得装置的DPI/EMI抗扰性得以增强。
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公开(公告)号：CN105144360B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201480013984.5
申请日：2014-03-04
Applicant: 密克罗奇普技术公司
Inventor： 兰迪·亚奇
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及种用于对半导体制作进行过程监视的半导体芯片,其具有多个阵列,所述多个阵列具有多个二极管,每二极管形成于所述芯片中,每二极管与具有至少个水平互连件(410)的堆叠相关联,所述堆叠与所述二极管串联连接以形成二极管堆叠组合,其中所述水平互连件具有经自对准硅化多晶硅互连件,所述经自对准硅化多晶硅互连件包括互补经掺杂多晶硅区段(412、414)以形成经反向偏置二极管。
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公开(公告)号：CN101842955B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200880113868.5
申请日：2008-11-21
Applicant: 密克罗奇普技术公司
Abstract: 对装置接口的自适应静电放电(ESD)保护在装置接口被处置时或在安装到系统中或从系统移除时具有非常好的ESD稳健性。且当装置接口在系统中操作时，具有对DPI、电磁干扰(EMI)和类似物的稳健抗扰性。每当待保护的外部连接上不存在(或存在低水平)DPI时，ESD保护金属氧化物半导体(MOS)装置的漏极与栅极之间存在显著的电容性耦合，以增强ESD保护且降低其快回电压。因此当在所述外部连接上检测到显著的DPI/EMI信号时，MOS ESD保护装置的漏极与栅极之间的电容性耦合被断开、旁路或衰减，使得装置的DPI/EMI抗扰性得以增强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101689521B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200880021489.3
申请日：2008-06-20
Applicant: 密克罗奇普技术公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
CPC classification number: G01R31/31717 , G01R31/2853 , G01R31/2884 , G01R31/318511 , H01L22/14 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种用于监视半导体制作过程的方法，其形成半导体芯片的晶片。每一芯片具有一个或一个以上二极管。每一二极管可作为阵列的部分寻址，对应于所述芯片的物理位置，且串联连接到堆叠。所述堆叠由一个或一个以上垂直互连件及金属触点组成。寻址所述二极管及相关联垂直互连件堆叠，且测量穿过阵列中的所述垂直互连件堆叠中的每一者的电流。
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公开(公告)号：CN1965488A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018514.9
申请日：2005-04-15
Applicant: 密克罗奇普技术公司
Abstract: 本发明揭示一种远程无钥匙进入(RKE)发射应答机，其具有一可编程的选择性唤醒滤波器以用于判定是否应唤醒所述RKE发射应答机来处理一所接收信号。所述唤醒滤波器使一输入信号的载波幅值的接通及断开时间周期的定时与一所期望信号的预定的可编程时间周期分布相关联，所述所期望信号具有设置于一已编码“标头”内的某一载波接通时间(接通时间周期)及某一载波断开时间(断开时间周期)。当一所接收信号与所述预定时间周期分布一致时，则RKE发射应答机将被唤醒以处理输入的信号数据。所述预定时间周期分布是可编程的并可存储于一标头配置寄存器中。每一RKE发射应答机均具有唯一的预定接通时间周期及断开时间周期分布。
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公开(公告)号：CN105009532B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201480010898.9
申请日：2014-03-07
Applicant: 密克罗奇普技术公司
IPC: H04L25/02 , H01L25/16 , H01L25/065
Abstract: 高电压额定隔离电容器形成于初级集成电路裸片的一面上。所述隔离电容器将第一电压域中的初级集成电路AC耦合到第二电压域中的第二集成电路。所述隔离电容器将所述初级集成电路与第二集成电路裸片DC隔离。借助AC振荡器或PWM产生器通过所述高电压额定隔离电容器提供从所述第一电压域到所述第二电压域的经隔离电力传送。AC振荡器电压振幅可针对穿过所述高电压额定隔离电容器的电力的增加而增加，且所述第二电压域中的较大值电容器可提供来自所述第二电压域中的电路的峰值电流需求。
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公开(公告)号：CN1898641B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN200480038058.X
申请日：2004-10-18
Applicant: 密克罗奇普技术公司
Inventor： 爱德华·布赖恩·博尔斯 , 罗德尼·杰伊·德雷克 , 达雷尔·雷·约翰森 , 苏密特·K·米特拉 , 兰迪·亚奇 , 詹姆斯·格罗斯巴赫 , 乔舒亚·M·康纳 , 约瑟夫·W·特里斯
IPC: G06F9/30
Abstract: 本发明提供一种微控制器装置，其具备一用于处理微控制器的行为的指令集。本发明提供具有使一模块化仿真成为可能的线性化地址空间的装置和系统。可能通过寄存器文件或数据存储器进行直接或间接寻址。特殊功能寄存器，包括程序计数器(PC)和工作寄存器(W)，映射到数据存储器中。一正交(对称)指令集使得可能使用任何寻址模式对任何寄存器进行任何操作。因此，两个文件寄存器可用于一些两个操作数的指令。这允许在两个寄存器之间直接移动数据，而不需要通过所述W寄存器。因此，增强了性能并减少了程序存储器的利用率。
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公开(公告)号：CN102246593A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149570.4
申请日：2009-12-11
Applicant: 密克罗奇普技术公司
IPC: H05B33/08
CPC classification number: H05B33/0806 , H05B33/0815
Abstract: 一种恒定电流输出吸收器或源消除用于发光二极管(LED)的电流限制串联电阻器且针对数字装置的所有操作及制造变量维持来自所述LED的恒定光强度，因为穿过所述LED的电流被维持在恒定值。所述恒定电流输出吸收器或源可以是可编程的以从多个可用恒定电流值中选择一恒定电流值。
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