公开(公告)号：CN101127433B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710091065.1

申请日：2007-04-06

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 植木伸明 ,  向山尚孝 ,  石井亮次 ,  中村毅

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/022 ,  H04B10/12 ,  H04B10/155

CPC classification number: H01S5/18311 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种具有改善的高频特性的垂直腔面发射激光器、半导体激光器件及光发送装置。该垂直腔面发射激光器包括：基板；形成在所述基板上的第一导电类型的第一半导体层；形成在所述第一半导体层上的有源层；形成在所述有源层上的第二导电类型的第二半导体层；形成在所述基板的主表面上的第一电极配线，所述第一电极配线与所述第一半导体层电连接；形成在所述基板的所述主表面上的第二电极配线，所述第二电极配线与所述第二半导体层电连接；以及形成在所述基板上的发光部，该发光部用于发射激光。所述第一电极配线与所述第一半导体层电连接的接触部以所述发光部为中心形成在等于或大于π/2弧度并且在π弧度之内的范围中。

公开(公告)号：CN101267086B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200710300104.4

申请日：2007-12-17

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 桑田靖章 ,  中山秀生 ,  石井亮次 ,  中村佳代子

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L31/173 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明涉及半导体器件和光学装置。该半导体器件包括：基板；形成在所述基板上的半导体层；以及利用所述半导体层的至少一部分而形成的光学功能部。该光学功能部执行光发射或光接收。该半导体器件还包括与所述光学功能部表面上的半导体层电连接的第一驱动电极，该第一驱动电极驱动所述光学功能部。该半导体器件还包括形成在所述半导体层上以包围所述光学功能部外周的封装电极，该封装电极与所述第一驱动电极电连接。

公开(公告)号：CN101726811A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910129439.3

申请日：2009-03-18

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 冈田纯二 ,  石井亮次 ,  小岛友晓 ,  逆井一宏

IPC: G02B6/43 ,  H01L23/12

CPC classification number: G02B6/4214 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种光学传输装置，该光学传输装置包括：光学元件，在与其安装表面相背对的表面上具有光发射部分和光接收部分中至少之一；光波导，其由聚合物材料制成并在贯通孔或开口中具有光学路径偏转部分，其中，光学路径偏转部分使光波导的光学路径关于光学元件的光发射部分和光接收部分中至少之一偏转；以及基底，其具有安装区域以及多个波导保持部分，在所述安装区域中安装光学元件的安装表面，所述每个波导保持部分保持光波导以便将光波导的光学路径偏转部分设置为与光学元件的光发射部分和光接收部分中至少之一相对。

公开(公告)号：CN101267086A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200710300104.4

申请日：2007-12-17

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 桑田靖章 ,  中山秀生 ,  石井亮次 ,  中村佳代子

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L31/173 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明涉及半导体器件和光学装置。该半导体器件包括：基板；形成在所述基板上的半导体层；以及利用所述半导体层的至少一部分而形成的光学功能部。该光学功能部执行光发射或光接收。该半导体器件还包括与所述光学功能部表面上的半导体层电连接的第一驱动电极，该第一驱动电极驱动所述光学功能部。该半导体器件还包括形成在所述半导体层上以包围所述光学功能部外周的封装电极，该封装电极与所述第一驱动电极电连接。

公开(公告)号：CN101127433A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710091065.1

申请日：2007-04-06

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 植木伸明 ,  向山尚孝 ,  石井亮次 ,  中村毅

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/022 ,  H04B10/12 ,  H04B10/155

CPC classification number: H01S5/18311 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种具有改善的高频特性的垂直腔面发射激光器、半导体激光器件及光发送装置。该垂直腔面发射激光器包括：基板；形成在所述基板上的第一导电类型的第一半导体层；形成在所述第一半导体层上的有源层；形成在所述有源层上的第二导电类型的第二半导体层；形成在所述基板的主表面上的第一电极配线，所述第一电极配线与所述第一半导体层电连接；形成在所述基板的所述主表面上的第二电极配线，所述第二电极配线与所述第二半导体层电连接；以及形成在所述基板上的发光部，该发光部用于发射激光。所述第一电极配线与所述第一半导体层电连接的接触部以所述发光部为中心形成在等于或大于π/2弧度并且在π弧度之内的范围中。