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公开(公告)号：CN103597584A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027498.X
申请日：2012-04-16
Applicant: 富士纺控股株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/24 , C08G18/00 , C08G18/65 , C08J5/14
CPC classification number: B24B37/24 , C08G18/10 , C08G18/14 , C08G18/4854 , C08G2101/0008 , C08G2101/0083 , C08J9/12 , C08J2207/00 , C08J2375/04 , C08G18/48 , C08G18/3814
Abstract: 本发明提供一种研磨垫及其制造方法，研磨垫改善在使用现有的硬质(干式)研磨垫的情况下产生的刮伤问题，且研磨速率或研磨均匀性优异，不仅能应对一次研磨而且也能应对抛光研磨。本发明的半导体元件研磨用的研磨垫含有研磨层，研磨层具有含有大致球状的气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体，并且半导体元件研磨用的研磨垫的特征在于：聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的由式(1)所求出的硬段的含有率(HSC)在26％～34％的范围内，且聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm3～0.60g/cm3的范围内。HSC＝100×(r-1)×(Mdi+Mda)÷(Mg+r×Mdi+(r-1)×Mda)…(1)。
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公开(公告)号：CN103608903A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280028623.9
申请日：2012-04-16
Applicant: 富士纺控股株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/24 , C08G18/00 , C08G18/65 , C08J5/14
CPC classification number: H01L21/304 , B24B37/22 , B24B37/24 , C08G18/10 , C08G18/4854 , C08G2101/0008 , C08G2101/0083 , C08J9/12 , C08J2207/00 , C08J2375/04 , C08G2101/0066 , C08G18/3814 , C08G18/48 , C08G18/4829
Abstract: 本发明提供一种研磨垫及其制造方法，所述研磨垫改善在使用现有的硬质（干式）研磨垫的情况下产生的刮伤问题，且研磨速率或研磨均匀性优异，不仅能应对一次研磨而且也能应对抛光研磨。本发明的半导体元件研磨用的研磨垫含有研磨层，所述研磨层具有含有大致球状的气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体，并且所述半导体元件研磨用的研磨垫的特征在于：所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的纵弹性系数E在450kPa～30000kPa的范围内，且所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm3～0.60g/cm3的范围内。
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公开(公告)号：CN103563056B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201280025414.9
申请日：2012-04-16
Applicant: 富士纺控股株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/24 , C08J5/14
CPC classification number: B24B37/24 , B24B37/22 , C08G18/10 , C08G18/4854 , C08G18/7621 , C08G2101/0008 , C08J9/12 , C08J2207/00 , C08J2375/04 , H01L21/304 , C08G18/3814 , C08G18/4829
Abstract: 本发明提供一种研磨垫及其制造方法，其改善在使用习知的硬质(干式)研磨垫的情况下产生的划痕问题，且研磨垫的研磨速率或研磨均匀性优异，不仅可应对一次研磨，亦可应对最后研磨。本发明的半导体器件研磨用研磨垫含有研磨层，该研磨层具有包含大致球状气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体，其特征在于：聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的M成分的自旋-自旋弛豫时间T2为160μs～260μs，聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体在40℃、初始负荷10g、应变范围0.01％～4％、测定频率0.2Hz、拉伸模式下的储藏弹性模数E′为1MPa～30MPa，且聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm3～0.60g/cm3的范围内。
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公开(公告)号：CN103930975A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201280055965.X
申请日：2012-10-12
Applicant: 富士纺控股株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/20 , B24B37/24 , C08G18/32
CPC classification number: B24B37/24 , C08G18/3814 , C08G18/4854 , C08G18/7621 , C08G2101/00 , C08G2101/0066 , C08K2201/005 , H01L21/31053 , C08G18/10 , C08G18/3206 , C08G18/6685
Abstract: 提供一种研磨垫及其制造方法，研磨垫可改善使用之前的硬质(干式)研磨垫时产生的刮痕的问题，且研磨速率或研磨均匀性优异，不仅可满足一次研磨而且亦可满足精加工研磨。本发明是一种半导体装置研磨用的研磨垫，研磨垫具备研磨层，研磨层具有包含大致球状气泡的聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体，研磨垫的特征在于：聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的独泡率为60％～98％，聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的损失弹性模数E″相对于储存弹性模数E′的比例(损失弹性模数/储存弹性模数)tanδ为0.15～0.30，储存弹性模数E′为1MPa～100MPa，且聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的密度D为0.4g/cm3～0.8g/cm3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103930975B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280055965.X
申请日：2012-10-12
Applicant: 富士纺控股株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/20 , B24B37/24 , C08G18/32
CPC classification number: B24B37/24 , C08G18/3814 , C08G18/4854 , C08G18/7621 , C08G2101/00 , C08G2101/0066 , C08K2201/005 , H01L21/31053 , C08G18/10 , C08G18/6685 , C08G18/3206
Abstract: 提供一种研磨垫及其制造方法，研磨垫可改善使用之前的硬质(干式)研磨垫时产生的刮痕的问题，且研磨速率或研磨均匀性优异，不仅可满足一次研磨而且亦可满足精加工研磨。本发明是一种半导体装置研磨用的研磨垫，研磨垫具备研磨层，研磨层具有包含大致球状气泡的聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体，研磨垫的特征在于：聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的独泡率为60％～98％，聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的损失弹性模数E″相对于储存弹性模数E′的比例(损失弹性模数/储存弹性模数)tanδ为0.15～0.30，储存弹性模数E′为1MPa～100MPa，且聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的密度D为0.4g/cm3～0.8g/cm3。
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公开(公告)号：CN103563056A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280025414.9
申请日：2012-04-16
Applicant: 富士纺控股株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/24 , C08J5/14
CPC classification number: B24B37/24 , B24B37/22 , C08G18/10 , C08G18/4854 , C08G18/7621 , C08G2101/0008 , C08J9/12 , C08J2207/00 , C08J2375/04 , H01L21/304 , C08G18/3814 , C08G18/4829 , C08G2101/0066 , C08G2101/0083
Abstract: 本发明提供一种研磨垫及其制造方法，该研磨垫改善在使用习知的硬质(干式)研磨垫的情况下产生的划痕问题，且该研磨垫的研磨速率或研磨均匀性优异，不仅可应对一次研磨，而且亦可应对最后研磨。本发明的半导体器件研磨用研磨垫含有研磨层，该研磨层具有包含大致球状气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体，上述研磨垫的特征在于：上述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的M成分的自旋-自旋弛豫时间T2为160μs～260μs，上述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体在40℃、初始负荷10g、应变范围0.01％～4％、测定频率0.2Hz、拉伸模式下的储藏弹性模数E′为1MPa～30MPa，并且上述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm3～0.60g/cm3的范围内。
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公开(公告)号：CN104321370B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201380026114.7
申请日：2013-03-26
Applicant: 富士纺控股株式会社
IPC: C08J5/14 , B24B37/24 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , C08G18/4238 , C08G18/44 , C08G18/4825 , C08G18/4854 , C08G18/7671 , C08L75/04 , C08L75/06
Abstract: 一种研磨垫的制造方法，所述研磨垫在膜基材上具有聚氨酯树脂薄膜作为研磨层，该方法包括如下工序：将含有聚氨酯树脂和添加剂的聚氨酯树脂薄膜形成用组合物溶解在所述树脂的可溶性溶剂中的工序；除去不溶成分，使所述溶液中的不溶成分相对于聚氨酯树脂薄膜形成用组合物的总质量小于1质量％的工序；相对于树脂的固体成分质量1g，以通过式1：聚氨酯树脂相对于不良溶剂的凝固值(ml)×A(A＝0.007～0.027)而计算的量(ml)向除去了所述不溶成分的溶液中添加不良溶剂并混合的工序；以及通过湿式凝固法使所述混合溶液在成膜基材上成膜，制作聚氨酯树脂薄膜的工序。通过该方法，提供一种能够进行研磨损伤少的研磨，并且能够形成稳定的膜的抛光用研磨垫的制造方法以及研磨垫。
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公开(公告)号：CN103597584B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280027498.X
申请日：2012-04-16
Applicant: 富士纺控股株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/24 , C08G18/00 , C08G18/65 , C08J5/14
CPC classification number: B24B37/24 , C08G18/10 , C08G18/14 , C08G18/4854 , C08G2101/0008 , C08G2101/0083 , C08J9/12 , C08J2207/00 , C08J2375/04 , C08G18/48 , C08G18/3814
Abstract: 本发明提供一种研磨垫及其制造方法，研磨垫改善在使用现有的硬质(干式)研磨垫的情况下产生的刮伤问题，且研磨速率或研磨均匀性优异，不仅能应对一次研磨而且也能应对抛光研磨。本发明的半导体元件研磨用的研磨垫含有研磨层，研磨层具有含有大致球状的气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体，并且半导体元件研磨用的研磨垫的特征在于：聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的由式(1)所求出的硬段的含有率(HSC)在26％～34％的范围内，且聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm3～0.60g/cm3的范围内。HSC＝100×(r-1)×(Mdi+Mda)÷(Mg+r×Mdi+(r-1)×Mda)…(1)。
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公开(公告)号：CN104321370A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201380026114.7
申请日：2013-03-26
Applicant: 富士纺控股株式会社
IPC: C08J5/14 , B24B37/24 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , C08G18/4238 , C08G18/44 , C08G18/4825 , C08G18/4854 , C08G18/7671 , C08L75/04 , C08L75/06
Abstract: 一种研磨垫的制造方法，所述研磨垫在膜基材上具有聚氨酯树脂薄膜作为研磨层，该方法包括如下工序：将含有聚氨酯树脂和添加剂的聚氨酯树脂薄膜形成用组合物溶解在所述树脂的可溶性溶剂中的工序；除去不溶成分，使所述溶液中的不溶成分相对于聚氨酯树脂薄膜形成用组合物的总质量小于1质量％的工序；相对于树脂的固体成分质量1g，以通过式1：聚氨酯树脂相对于不良溶剂的凝固值(ml)×A(A＝0.007～0.027)而计算的量(ml)向除去了所述不溶成分的溶液中添加不良溶剂并混合的工序；以及通过湿式凝固法使所述混合溶液在成膜基材上成膜，制作聚氨酯树脂薄膜的工序。通过该方法，提供一种能够进行研磨损伤少的研磨，并且能够形成稳定的膜的抛光用研磨垫的制造方法以及研磨垫。
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