抛光液
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101255316B

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN200810009627.8

    申请日:2008-02-19

    CPC classification number: C23F3/00 C09G1/02 H01L21/3212

    Abstract: 本发明提供一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液,所述抛光液包含:双季铵阳离子;腐蚀抑制剂;和胶体二氧化硅,其中所述抛光液的pH值在2.5至5.0的范围内。根据本发明,可以提供能够实现优异阻挡层抛光速率以及抑制由于固体磨料粒的聚集而引起擦伤的产生的抛光液。

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