转印薄膜、电极保护膜、层叠体、静电电容型输入装置及触摸面板的制造方法

    公开(公告)号:CN111480115B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN201880079579.1

    申请日:2018-10-19

    Abstract: 本发明提供一种可得到水蒸气透过率(WVTR)降低的固化膜,粘性小,且显影液中的耐刮擦性优异的转印薄膜、使用了上述转印薄膜的电极保护膜、层叠体、静电电容型输入装置及触摸面板的制造方法。转印薄膜具备临时支承体及感光性层,上述感光性层含有:包含由下述式A1表示的构成单元、源自具有脂环式结构的单体的构成单元及具有自由基聚合性基团的构成单元的聚合物A;自由基聚合性化合物;及光聚合引发剂,上述由式A1表示的构成单元的含量相对于聚合物A的总质量为10质量%以上,上述源自具有脂环式结构的单体的构成单元的含量相对于聚合物A的总质量为15质量%以上,上述具有脂环式结构的单体的均聚物的玻璃化转变温度为120℃以上。#imgabs0#

    转印薄膜、电极保护膜、层叠体、静电电容型输入装置及触摸面板的制造方法

    公开(公告)号:CN111480115A

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN201880079579.1

    申请日:2018-10-19

    Abstract: 本发明提供一种可得到水蒸气透过率(WVTR)降低的固化膜,粘性小,且显影液中的耐刮擦性优异的转印薄膜、使用了上述转印薄膜的电极保护膜、层叠体、静电电容型输入装置及触摸面板的制造方法。转印薄膜具备临时支承体及感光性层,上述感光性层含有:包含由下述式A1表示的构成单元、源自具有脂环式结构的单体的构成单元及具有自由基聚合性基团的构成单元的聚合物A;自由基聚合性化合物;及光聚合引发剂,上述由式A1表示的构成单元的含量相对于聚合物A的总质量为10质量%以上,上述源自具有脂环式结构的单体的构成单元的含量相对于聚合物A的总质量为15质量%以上,上述具有脂环式结构的单体的均聚物的玻璃化转变温度为120℃以上。

    修饰基板的制造方法、半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN120019480A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202380071927.1

    申请日:2023-11-13

    Abstract: 本发明提供一种修饰基板的制造方法及与上述修饰基板的制造方法相关的半导体器件的制造方法,该修饰基板的制造方法能够通过进行ALD处理来制造在规定的区域选择性良好地形成有ALD覆膜的修饰基板。本发明的修饰基板的制造方法包括:工序1,使基板与药液接触,在上述基板的第1表面上形成第1覆膜,上述基板具有由彼此不同的材料构成的上述第1表面及第2表面的至少2个表面,上述药液包含具有键合或吸附于上述第1表面的官能团及交联性基团且分子量为500以下的化合物、以及溶剂;及工序2,对在上述工序1中所获得的基板实施原子层沉积处理,在上述第2表面上形成第2覆膜。

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