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公开(公告)号：CN101083460B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200710105462.X
申请日：2007-05-31
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/54
CPC classification number: H03H9/605 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/02141 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供具有多个压电薄膜谐振器的滤波器。所述多个压电薄膜谐振器各自具有：基板、形成在所述基板上的下电极、形成在所述下电极上的压电膜、以及隔着所述压电膜与所述下电极彼此相对地设置在所述压电膜上的上电极。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第一谐振器：所述第一谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分比所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部更靠外。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第二谐振器：所述第二谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分与所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部基本一致，或者比所述区域的外侧曲部更靠内。
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公开(公告)号：CN101170303A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710167454.8
申请日：2007-10-25
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/04 , H03H9/13 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H2003/023
Abstract: 本发明涉及压电薄膜谐振器和使用该压电薄膜谐振器的滤波器。该压电薄膜谐振器包括：由基板支撑的下部电极，在该下部电极的下方限定有一空间；设置在下部电极和基板上的压电膜；以及上部电极，该上部电极设置在压电膜上以形成谐振部分，在该谐振部分中，上部电极隔着压电膜与下部电极面对。下部电极和上部电极中的至少一个具有互连部分，该互连部分用于从谐振部分提取信号并位于该空间的上方。下部电极和上部电极中的所述至少一个在其中下部电极和上部电极中的所述至少一个与压电膜接触的区域中具有第一质量每单位面积，并且在谐振部分中具有第二质量每单位面积，该第一质量每单位面积小于该第二质量每单位面积。
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公开(公告)号：CN101599468A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910137486.2
申请日：2009-04-29
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明提供一种电子部件，其能够气密性较高地进行密封并且能实现小型化。本发明的电子部件具有：绝缘基板(10)；以倒装的方式安装在绝缘基板(10)上的器件芯片(20)；图案(32)，其以图案(32)的上表面与器件芯片(20)的下表面之间具有间隙的方式沿着器件芯片(20)的侧面设置在绝缘基板(10)上；SOG氧化膜(30)，其以嵌入在图案(32)的上表面与器件芯片(20)的下表面之间的间隙中、并且在绝缘基板(10)的上表面与器件芯片(20)的下表面之间形成有空隙(26)的方式，覆盖器件芯片(20)和图案(32)的侧面。
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公开(公告)号：CN100576734C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610137474.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供了压电薄膜谐振器及滤波器。该压电薄膜谐振器包括构建于基板上的下电极，在该下电极和基板之间限定了圆形穹状空腔；设置于下电极之上的压电膜，以及设置于压电膜上的上电极。隔膜区域是下电极和上电极隔着压电膜的交叠区域，空腔在所述基板上的投影区域包含了该隔膜区域。
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公开(公告)号：CN101309074A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810096545.1
申请日：2008-05-16
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H9/0211 , H03H9/02133 , H03H9/132 , H03H9/173
Abstract: 本发明提供压电薄膜谐振器和滤波器。压电薄膜谐振器包括：在基板上形成的下部电极；在该基板和该下部电极上形成的压电膜；在该压电膜上形成的上部电极，该压电膜的一部分插在相互面对的该下部电极和该上部电极之间；以及附加膜，该附加膜形成在该基板上，在该下部电极的外周的至少一部分上，并且位于该下部电极和该上部电极相互面对的部分，该附加膜沿着该下部电极布置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1956324A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610137474.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供了压电薄膜谐振器及滤波器。该压电薄膜谐振器包括构建于基板上的下电极，在该下电极和基板之间限定了圆形穹状空腔；设置于下电极之上的压电膜，以及设置于压电膜上的上电极。隔膜区域是下电极和上电极隔着压电膜的交叠区域，空腔在所述基板上的投影区域包含了该隔膜区域。
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公开(公告)号：CN101785183A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200780100338.2
申请日：2007-11-21
Applicant: 富士通株式会社 , 富士通媒体部品株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H9/174 , H03H9/588 , H03H9/605 , H03H2003/0428
Abstract: 本发明提供低损耗高性能的滤波器、使用该滤波器的双工器及使用该双工器的通信机。该滤波器具有：串联臂压电薄膜谐振器，其配置在串联臂上；以及并联臂压电薄膜谐振器，其配置在并联臂上，串联臂压电薄膜谐振器和并联臂压电薄膜谐振器分别具有基板(21)、形成于基板(21)上的下部电极(22)、形成于下部电极(22)上的压电膜(23)、和形成于压电膜(23)上的上部电极(24)。串联臂压电薄膜谐振器的谐振部(29)的长轴的长度(A)相对于短轴长度(B)的比(A/B)高于并联臂压电薄膜谐振器中的比。
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公开(公告)号：CN101741343A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910168371.X
申请日：2009-08-31
Applicant: 富士通株式会社 , 富士通媒体部品株式会社
Abstract: 本发明涉及谐振器、滤波器、以及电子装置。该谐振器包括：基板；下电极；压电薄膜，设置在所述下电极上；以及上电极，设置在所述压电薄膜上。所述下电极包括设置在所述基板上的第一薄膜、以及设置在第一薄膜上并且比重大于第一薄膜的比重的第二薄膜。所述压电薄膜设置在第二薄膜上。所述上电极包括设置在所述压电薄膜上的第三薄膜、以及设置在第三薄膜上的第四薄膜，第三薄膜的比重大于第四薄膜的比重。第三薄膜比第二薄膜厚。
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公开(公告)号：CN101207370A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710198855.X
申请日：2007-12-14
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/173
Abstract: 本发明提供了薄膜体声波谐振器和滤波器。该薄膜体声波谐振器包括：下电极，其形成在基板的空腔上或以在该下电极和所述基板之间形成空腔的方式形成；压电薄膜，其形成在所述下电极上；上电极，其形成在所述压电薄膜上以获得隔着所述压电薄膜与所述下电极相对的谐振区；支撑区，其设置在所述谐振区的周围，该支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的0.35倍到0.65倍，并透射所述波；以及相邻区，其设置在所述支撑区的周围并阻挡所述波。
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公开(公告)号：CN101083460A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710105462.X
申请日：2007-05-31
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H03H9/54
CPC classification number: H03H9/605 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/02141 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供具有多个压电薄膜谐振器的滤波器。所述多个压电薄膜谐振器各自具有：基板、形成在所述基板上的下电极、形成在所述下电极上的压电膜、以及隔着所述压电膜与所述下电极彼此相对地设置在所述压电膜上的上电极。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第一谐振器：所述第一谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分比所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部更靠外。所述多个压电薄膜谐振器包括如下的第二谐振器：所述第二谐振器的所述压电膜的外侧曲部的至少一部分与所述上电极和所述下电极隔着所述压电膜而彼此相对的区域的外侧曲部基本一致，或者比所述区域的外侧曲部更靠内。
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