公开(公告)号：CN100511996C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510051298.X

申请日：2005-03-03

Applicant: 富士通媒体部品株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 三浦道雄 ,  上田政则 ,  相川俊一 ,  上村亨 ,  和田一久 ,  三岛直之

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/02559 ,  H01L41/312 ,  H03H9/02574

Abstract: 接合基板、表面声波芯片以及表面声波器件。接合基板包括钽酸锂基板及与钽酸锂基板相接合的蓝宝石基板，钽酸锂基板和蓝宝石基板的接合界面包括厚度为0.3nm到2.5nm、处于非晶态的接合区域。处于非晶态的接合区域是通过利用惰性气体或氧的中性化原子束、离子束或者等离子体在接合界面中激活钽酸锂基板和蓝宝石基板中的至少一方来形成的。可以无需高温热处理而将压电基板与具有不同晶格常数的支撑基板相接合，并且可以实现具有优良接合强度和更小翘曲的接合基板。

公开(公告)号：CN1665131A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510051298.X

申请日：2005-03-03

Applicant: 富士通媒体部品株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 三浦道雄 ,  上田政则 ,  相川俊一 ,  上村亨 ,  和田一久 ,  三岛直之

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/02559 ,  H01L41/312 ,  H03H9/02574

Abstract: 接合基板、表面声波芯片以及表面声波器件。接合基板包括钽酸锂基板及与钽酸锂基板相接合的蓝宝石基板，钽酸锂基板和蓝宝石基板的接合界面包括厚度为0.3nm到2.5nm、处于非晶态的接合区域。处于非晶态的接合区域是通过利用惰性气体或氧的中性化原子束、离子束或者等离子体在接合界面中激活钽酸锂基板和蓝宝石基板中的至少一方来形成的。可以无需高温热处理而将压电基板与具有不同晶格常数的支撑基板相接合，并且可以实现具有优良接合强度和更小翘曲的接合基板。