公开(公告)号：CN108475722A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079260.X

申请日：2016-12-21

Applicant: 索泰克公司

Inventor： M·波卡特 ,  T·巴尔格 ,  帕斯卡·昆纳德 ,  I·拉杜 ,  E·德斯邦内特斯 ,  奥列格·科农丘克

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/312 ,  H03H9/02

CPC classification number: H01L41/312 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02102 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02834

Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热膨胀系数比硅的热膨胀系数更接近压电层(10)的材料的热膨胀系数，半导体层(111)被设置在压电层(10)与加强衬底(110)之间。

公开(公告)号：CN108352442A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680002494.4

申请日：2016-09-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 长江智毅 ,  小泉文人

IPC: H01L41/337 ,  H01L41/053 ,  H01L41/08 ,  H01L41/313 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25

CPC classification number: H01L41/337 ,  H01L41/081 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/22 ,  H01L41/313 ,  H03H9/02047 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02614

Abstract: 本发明的复合基板是一种包括直径2英寸以上的支撑基板和厚度为20μm以下且透光并接合于所述支撑基板的压电基板的复合基板，其中，所述压电基板具有条纹状的厚度分布，在沿着与所述条纹正交的线切割所述复合基板而得到的截面处的、所述压电基板的厚度分布中，出现厚度方向的振幅为5nm～100nm且宽度方向的间距为0.5mm～20mm的波形，该波形的间距与所述条纹的宽度相关。压电基板中，所述条纹可以为平行的条纹，也可以为旋涡状或同心圆状的条纹。

公开(公告)号：CN107840664A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710846104.8

申请日：2017-09-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野本祐辉 ,  井上胜弘 ,  田中启 ,  胜田祐司

IPC: C04B35/599 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/597 ,  B32B18/00 ,  C04B35/645 ,  C04B37/00 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/87 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/345 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/55 ,  C04B2237/704 ,  H03H9/02543 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/145 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/77

Abstract: 本发明涉及一种硅铝氧氮陶瓷烧结体、其制法、复合基板及电子器件。本发明的硅铝氧氮陶瓷烧结体由Si6-zAlzOzN8-z(0＜z≤4.2)表示，开口气孔率为0.1％以下，相对密度为99.9％以上，且X射线衍射图中，硅铝氧氮陶瓷以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于硅铝氧氮陶瓷的最大峰的强度的比值为0.005以下。

公开(公告)号：CN107615653A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680027017.3

申请日：2016-06-15

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高井努 ,  田中厚志 ,  甲斐诚二

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H9/25 ,  H01L41/0477 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/0595 ,  H03H9/14544 ,  H03H9/6483

Abstract: 本发明提供一种具有层叠有厚度薄的压电薄膜、低声速膜以及高声速部件的构造的弹性波装置，其中，特性的偏差少。弹性波装置(1)，在低声速膜(3)上设置有压电薄膜(4)，在压电薄膜(4)上设置有IDT电极(5)，压电薄膜(4)由压电单晶构成，并具有作为极化轴方向上的正的面的第一主面(4a)和作为极化轴方向上的负的面的第二主面(4b)，压电薄膜(4)的低声速膜(3)侧的主面为第一主面(4a)，IDT电极(5)侧的主面为第二主面(4b)。

公开(公告)号：CN104396142B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201380033657.1

申请日：2013-07-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  多井知义 ,  浜岛章 ,  仲原利直

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/22 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02574 ,  Y10T428/2495

Abstract: 复合基板10具有：压电基板12；以及支持层14，所述支持层14接合于压电基板12上，由在接合面内不具有结晶各向异性的材料制成，厚度小于压电基板12。此外，压电基板12与支持层14通过粘着层16相接合。复合基板10的总厚度为180μm以下。将压电基板12的厚度设为t1，将支持层14的厚度设为t2时，基材厚度比Tr＝t2/(t1+t2)为0.1以上且0.4以下。厚度t1为100μm以下。厚度t2为50μm以下。支持层14由硼硅玻璃、石英玻璃等玻璃、Si、SiO2、蓝宝石、陶瓷、铜等金属等形成。

公开(公告)号：CN104737449B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201380054292.0

申请日：2013-08-26

Applicant: 追踪有限公司

Inventor： 左诚杰 ,  龙海·金 ,  章汉·霍比·云 ,  朴相俊 ,  菲利普·贾森·斯蒂法诺 ,  智升·罗 ,  罗伯特·保罗·米库尔卡 ,  马里奥·弗朗西斯科·韦莱兹 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: H03H9/24 ,  H03H9/205 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H9/02157 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/205 ,  H03H9/2405 ,  H03H2009/02503 ,  H03H2009/02527 ,  H03H2009/241

Abstract: 本发明提供与声学谐振器相关的系统、方法及设备，所述声学谐振器包含用于使得能够选择性地调谐一或多个声学或机电性质的复合转换层(116，118)。在一方面，谐振器结构包含一或多个第一电极(142)、一或多个第二电极(144)及布置于所述第一及第二电极之间的转换层(116，118)。所述转换层包含多个构成层。在一些实施方案中，所述构成层包含一或多个第一压电层及一或多个第二压电层。所述转换层经配置以响应于被提供到所述第一及第二电极的信号提供具有沿着z轴的位移分量的所述转换层的至少第一振动模式及具有沿着x轴及y轴的平面的位移分量的所述转换层的至少第二振动模式。

公开(公告)号：CN107134988A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710104039.1

申请日：2017-02-24

Applicant: 安华高科技通用IP(新加坡)公司

Inventor： 理查德·C·鲁比 ,  斯蒂芬·罗伊·吉尔伯特 ,  约翰·D·拉森三世

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H9/02866 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02622 ,  H03H9/64 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明涉及表面声波saw谐振器。一种设备包含：硅Si衬底，其具有第一表面及第二表面，所述硅衬底在室温下具有大于约1000Ω‑cm且小于约15000Ω‑cm的电阻率；及压电层，其安置在所述衬底上方且具有第一表面及第二表面。所述压电层可具有在约0.5μm到约30.0μm的范围内的厚度且基本上不含铁Fe。

公开(公告)号：CN107113967A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680005385.8

申请日：2016-01-14

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 金田明雄

IPC: H05K1/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25 ,  H05K1/18 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L41/083 ,  H01L41/277 ,  H01L41/312 ,  H03H9/02031 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/059 ,  H03H9/125 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/094 ,  Y02P70/613

Abstract: 提供在推进小型化的情况下也能减小寄生电容的基板以及其制造方法。基板(2)具备：基板主体(2A)，其具有第1主面(2a)和与第1主面(2a)对置的第2主面(2b)。在基板主体(2A)的第1主面(2a)的凹部(2c)内设置第1电极连接盘(5a、5b)。在凹部(2c)外的区域(2d)设置第2电极连接盘(6a、6b)。第1电极连接盘(5a)和第2电极连接盘(6a)与不同的电位连接。

公开(公告)号：CN107112975A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580059165.9

申请日：2015-10-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岩本英树 ,  冈田圭司 ,  高峰裕一 ,  高井努

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/02818 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02992 ,  H03H9/14541 ,  H03H9/1457 ,  H03H9/54

Abstract: 本发明提供一种能够在不导致制造工序的复杂化以及成本的上升的情况下有效地抑制横模波动的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，其中，在高音速件上层叠有低音速膜、压电膜以及IDT电极，在IDT电极(3)中，在第1、第2电极指(13、14)中的至少一方中，与长度方向中央相比宽度方向尺寸被设得较大的宽宽度部(13a～13d、14a～14d)设置在与中央区域相比更靠近基端侧以及前端侧中的至少一侧，第1以及第2汇流条(11、12)中的至少一方具有沿着汇流条长度方向分散配置的多个开口部(15)，第1以及第2汇流条(11、12)中的至少一方具有：内侧汇流条部(11A)，位于与开口部(15)相比更靠近第1或者第2电极指(13、14)侧，且在第1以及第2汇流条(11、12)的长度方向上延伸；中央汇流条部(11B)，设置有开口部(15)；以及外侧汇流条部(11C)。

公开(公告)号：CN104205629B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201380015669.1

申请日：2013-03-15

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 神藤始

IPC: H03H9/145 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H9/25 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/083 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/253 ,  H01L41/277 ,  H01L41/29 ,  H01L41/312 ,  H01L41/314 ,  H01L41/39 ,  H03H3/10 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/02574

Abstract: 本发明提供一种不仅可以实现高声速化，还不容易受到由成为乱真的其他模式而引起的响应的影响的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，其具有铌酸锂膜(5)，并利用SH型表面波，具备：支撑基板(2)；高声速膜(3)，其形成在所述支撑基板(2)上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜(5)中传播的弹性波声速更高速；低声速膜(4)，其层叠在所述高声速膜(3)上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜(5)中传播的体波声速更低速；所述铌酸锂膜(5)，其层叠在所述低声速膜(4)上；和IDT电极(6)，其形成在所述铌酸锂膜(5)的一面，在将铌酸锂膜(5)的欧拉角设为(0°±5°，θ，0°)时，θ处于0°～8°以及57°～180°的范围内。