公开(公告)号：CN118886220B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411015596.2

申请日：2024-07-26

Applicant: 山东大学

Inventor： 孙洵 ,  柏建宇 ,  徐明霞 ,  刘宝安

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/11 ,  G06F111/10 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法，涉及晶体生长数值模拟技术领域，包括：建立晶体生长槽物理几何模型，对物理几何模型进行网格划分后，导入至Fluent仿真软件；基于用户自定义标量方程UDS，耦合流体湍流、能量方程，建立KDP晶体生长系统溶质传输方程；基于KDP晶体表面溶质反应边界条件，编写用户自定义函数UDF，并基于用户自定义存储UDM，存储KDP溶液平衡浓度，挂载平衡浓度随温度变化的自定义函数，以此构造晶体表面生长速率自洽函数；耦合所建立的方程及函数，建立KDP晶体生长系统的数学模型，设置数学模型的计算域条件及边界条件，计算求解得到KDP晶体生长系统的过饱和度分布。

公开(公告)号：CN118886220A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411015596.2

申请日：2024-07-26

Applicant: 山东大学

Inventor： 孙洵 ,  柏建宇 ,  徐明霞 ,  刘宝安

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/11 ,  G06F111/10 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法，涉及晶体生长数值模拟技术领域，包括：建立晶体生长槽物理几何模型，对物理几何模型进行网格划分后，导入至Fluent仿真软件；基于用户自定义标量方程UDS，耦合流体湍流、能量方程，建立KDP晶体生长系统溶质传输方程；基于KDP晶体表面溶质反应边界条件，编写用户自定义函数UDF，并基于用户自定义存储UDM，存储KDP溶液平衡浓度，挂载平衡浓度随温度变化的自定义函数，以此构造晶体表面生长速率自洽函数；耦合所建立的方程及函数，建立KDP晶体生长系统的数学模型，设置数学模型的计算域条件及边界条件，计算求解得到KDP晶体生长系统的过饱和度分布。

公开(公告)号：CN116555885A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310536092.4

申请日：2023-05-12

Applicant: 山东大学

Inventor： 徐明霞 ,  郝国凯 ,  孙洵 ,  张立松 ,  刘宝安 ,  任宏凯

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/14

Abstract: 本发明涉及一种梯度掺氘DKDP晶体生长装置及DKDP晶体生长方法，包括恒温供液装置、蠕动泵和晶体生长装置，所述晶体生长装置包括外壳，外壳内部设置有恒温水槽，恒温水槽的底部设置有控温装置Ⅱ，外壳的顶部设置有生长槽架，生长槽架上方竖直设置有电机，电机下方驱动连接有竖直的旋转轴，旋转轴底部向下延伸入外壳内，旋转轴的底端设置有晶架，在恒温水槽中设置有生长槽，晶架位于生长槽内，在晶体生长时，通过蠕动泵连续不断加入水或重水，当晶体在圆柱形玻璃管内定向生长时，生长溶液的氘含量是均匀变化的，形成了一定氘浓度梯度，使氘含量沿晶体生长方向变化，可以准确计算晶体生长量，从而控制蠕动泵传输速率，使氘含量变化均匀。