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公开(公告)号:CN117904716A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202410264706.2
申请日:2024-03-08
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明公开了一种KDP类晶体生长架及定向生长方法,包括上下平行间隔的下底板和上底板,下底板一侧边缘上方垂直设置有侧壁,侧壁位于侧连接杆内侧且侧壁的高度低于侧连接杆的高度,下底板的上表面设置有籽晶槽,籽晶槽靠近侧壁并远离下底板中心。首先在生长槽中放入晶体生长溶液;然后将点籽晶放入生长架的籽晶槽中,并将生长架放置在晶体生长溶液中以使点籽晶生长;点籽晶接触侧壁后沿没有侧壁阻挡的方向生长,最终得到特定取向的KDP类晶体。
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公开(公告)号:CN116555885A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310536092.4
申请日:2023-05-12
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种梯度掺氘DKDP晶体生长装置及DKDP晶体生长方法,包括恒温供液装置、蠕动泵和晶体生长装置,所述晶体生长装置包括外壳,外壳内部设置有恒温水槽,恒温水槽的底部设置有控温装置Ⅱ,外壳的顶部设置有生长槽架,生长槽架上方竖直设置有电机,电机下方驱动连接有竖直的旋转轴,旋转轴底部向下延伸入外壳内,旋转轴的底端设置有晶架,在恒温水槽中设置有生长槽,晶架位于生长槽内,在晶体生长时,通过蠕动泵连续不断加入水或重水,当晶体在圆柱形玻璃管内定向生长时,生长溶液的氘含量是均匀变化的,形成了一定氘浓度梯度,使氘含量沿晶体生长方向变化,可以准确计算晶体生长量,从而控制蠕动泵传输速率,使氘含量变化均匀。
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