公开(公告)号：CN100350520C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200510043640.1

申请日：2005-06-03

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  陈延学 ,  宋红强 ,  刘国磊 ,  梅良模

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/14 ,  H01F41/18

Abstract: 一种非晶态高掺杂CoxTi1-xO2铁磁性半导体薄膜及其制备方法，属于自旋电子材料技术领域。在真空系统中，应用组分交替沉积的办法，获得均匀的无定形的非晶态相，Co和Ti之间的掺杂固溶度可达到30～56%。交替周期数为50～100，在交替沉积时，衬底的温度控制在水冷～200℃，沉积的速率控制在0.02nm～0.07nm/s；含Co层或含Ti层的单层厚度0.3nm～0.7nm。该非晶态薄膜呈现出变程跃迁的半导体特征，有效的室温平均原子磁矩为1.20～1.29μB，其磁居里温度高于室温，可见光区的透光率为50～85%，极向克尔磁光转动角高达0.4度。

公开(公告)号：CN1697095A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510043640.1

申请日：2005-06-03

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  陈延学 ,  宋红强 ,  刘国磊 ,  梅良模

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/14 ,  H01F41/18

Abstract: 一种非晶态高掺杂CoxTi1－xO2铁磁性半导体薄膜及其制备方法，属于自旋电子材料技术领域。在真空系统中，应用组分交替沉积的办法，获得均匀的无定形的非晶态相，Co和Ti之间的掺杂固溶度可达到30～56％。交替周期数为50～100，在交替沉积时，衬底的温度控制在水冷～200℃，沉积的速率控制在0.02nm～0.07nm/s；含Co层或含Ti层的单层厚度0.3nm～0.7nm。该非晶态薄膜呈现出变程跃迁的半导体特征，有效的室温平均原子磁矩为1.20～1.29μB，其磁居里温度高于室温，可见光区的透光率为50～85％，极向克尔磁光转动角高达0.4度。