公开(公告)号：CN111564509A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010547102.0

申请日：2020-06-16

Applicant: 山东大学

Inventor： 陈延学 ,  魏琳 ,  颜世申 ,  王东 ,  邢若飞 ,  田玉峰 ,  刘国磊 ,  柏利慧

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明提供一种全氧化物柔性光电探测器及其制备方法与应用。本发明通过依次将导电电极阵列、SrCoOx薄膜、ZnO薄膜、导电电极阵列按顺序沉积于柔性衬底上，构建了一种全氧化物ZnO/SrCoOx无机薄膜异质结型的柔性紫外(UV)光电探测器，该柔性光电探测器对紫外光具有高响应度和极快的响应速度，并且具有零功耗和性能稳定的优点，在可穿戴设备，紫外成像和紫外探测领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN103400679B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201310308681.3

申请日：2013-07-22

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘国磊 ,  曹强 ,  颜世申 ,  梅良模 ,  陈延学

IPC: H01F1/40 ,  H01F10/193 ,  H01F41/14 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  C23C14/32 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及一种高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法，所述高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料结构式为Zn1-xCoxO,x=0.2～0.45。本发明采用在低温、超低氧气压条件下的氧分子束外延制备方法，得到具有单晶单相的纤维锌矿晶格结构的Zn1-xCoxO磁性半导体材料，最大Co金属固溶度达到45％。本发明制备的Zn1-xCoxO磁性半导体具备超强的室温铁磁性，最大饱和磁化强度530emu/cm3，最大平均原子磁矩1.68μB/Co、巨大的室温磁光克尔效应。制备的Zn1-xCoxO磁性半导体材料可用于自旋电子学器件。

公开(公告)号：CN104064951A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410285835.6

申请日：2014-06-24

Applicant: 北京工业大学 ,  山东大学

Inventor： 王璞 ,  任军 ,  张怀金 ,  于浩海 ,  王树贤 ,  陈延学 ,  梅良模

IPC: H01S3/115

Abstract: 本发明涉及一种基于非线性光学材料二硫化钼被动调Q光纤激光器，属于激光技术及其非线性光学领域。该激光器包括泵浦源、波分复用器、掺杂光纤、二硫化钼可饱和吸收体、单模光纤、环形器、隔离器、光纤光栅、光纤耦合器及透镜。由于少数层二硫化钼在中红外波段具有非线性可饱和吸收特性，可实现高脉冲能量、纳秒量级的脉冲激光输出。此外，通过控制二硫化钼材料的层数及缺陷，可得到不同的能量带隙以满足不同响应光谱范围，进而实现二硫化钼可饱和吸收体在不同激光波段的运转。

公开(公告)号：CN103280325A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310223324.7

申请日：2013-06-06

Applicant: 山东大学

Inventor： 陈延学 ,  李逸坦

IPC: H01G9/042 ,  H01G9/20

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 针对目前硅基太阳能电池在生产过程中造成严重环境污染，生产成本高昂的现状，本发明将紫薯和麦冬果实的提取液应用于氧化锌单晶纳米阵列，组装新型结构的天然有机染料敏化太阳能电池，改进太阳能电池的性能。本发明的方法获得了光电效率为2%的太阳能电池，使天然有机染料代替现有人工有机染料作为太阳能敏化剂提供了可能。

公开(公告)号：CN1858849B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610043854.3

申请日：2006-04-25

Applicant: 山东大学

Inventor： 陈延学 ,  颜世申 ,  张云鹏 ,  刘国磊 ,  梅良模

IPC: G11B13/04

Abstract: 一种具有极大克尔(Kerr)转角的非匀质Zn-Co-O磁光薄膜及其制备方法，属于信息材料领域。在真空系统中，应用层状交替沉积和退火处理的办法，获得无定型的非晶态或者六角结构的纳米晶薄膜，Co和Zn之间的固溶度可达到40～85％。该非匀质磁光薄膜在可见光波长区内呈现出非常大的克尔转角，并且可通过控制成分方便的改变克尔转角与波长的关系。

公开(公告)号：CN101256869A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200710115811.6

申请日：2007-12-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  陈延学 ,  刘国磊 ,  梅良模 ,  田玉峰 ,  乔瑞敏

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/14 ,  H01F41/18

Abstract: 电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法，属于信息技术自旋电子材料领域。该系列氧化物磁性半导体薄膜显示普遍的电输运性质：低电阻率的材料为莫特(Mott)变程跃迁电阻，中间电阻率的材料为埃弗洛斯(Efros)变程跃迁电阻，高电阻率的材料为硬带隙(hard gap)电阻。利用磁控溅射或脉冲激光沉积的方法，交替沉积非常薄的铁磁金属层和宽禁带氧化物半导体层在衬底上，通过精确控制薄膜制备过程中的氧分压来调控材料的电输运性质。氧化物磁性半导体薄膜的电输运性质只与材料中氧空位的浓度相关。

公开(公告)号：CN100350520C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200510043640.1

申请日：2005-06-03

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  陈延学 ,  宋红强 ,  刘国磊 ,  梅良模

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/14 ,  H01F41/18

Abstract: 一种非晶态高掺杂CoxTi1-xO2铁磁性半导体薄膜及其制备方法，属于自旋电子材料技术领域。在真空系统中，应用组分交替沉积的办法，获得均匀的无定形的非晶态相，Co和Ti之间的掺杂固溶度可达到30～56%。交替周期数为50～100，在交替沉积时，衬底的温度控制在水冷～200℃，沉积的速率控制在0.02nm～0.07nm/s；含Co层或含Ti层的单层厚度0.3nm～0.7nm。该非晶态薄膜呈现出变程跃迁的半导体特征，有效的室温平均原子磁矩为1.20～1.29μB，其磁居里温度高于室温，可见光区的透光率为50～85%，极向克尔磁光转动角高达0.4度。

公开(公告)号：CN1523623A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN03139038.2

申请日：2003-09-09

Applicant: 山东大学

Inventor： 陈延学 ,  王成建 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  阎景贤 ,  徐荣历

IPC: H01H1/02 ,  H01B1/02 ,  H01B1/04

Abstract: 一种铜基复合电接触材料，属于新材料技术领域。组分如下：导电陶瓷1～15％，石墨0.1～3％，Mo、W之一或者其组合1～10％，Ni0.2～4％，铜余量，重量百分比。本发明的中低压电器用铜基复合电接触材料具有良好的导电和导热性，较好的灭弧性、抗熔焊性、抗电侵蚀及抗粘结性，且具有低电阻率、温升小、性能价格比高等优点，可用于在大范围内替代现有银基材料。

公开(公告)号：CN113937217B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202111312221.9

申请日：2021-11-08

Applicant: 山东大学

Inventor： 田玉峰 ,  颜世申 ,  陈延学 ,  柏利慧 ,  黄启坤

IPC: H10N52/85 ,  H10N52/01 ,  H10N50/10

Abstract: 本发明涉及一种铁磁自由层、制备方法及其应用，铁磁自由层所包括磁性薄膜合金中的每一层薄膜的厚度从第一端到第二端依次减小，以打破面内结构对称性，且薄膜包括重金属薄膜和铁磁金属薄膜，重金属薄膜和铁磁金属薄膜交错设置，以打破面外晶体对称性，当在磁性薄膜合金内施加电流时会产生自旋轨道力矩，直接驱动磁性薄膜合金的磁矩发生确定性磁化翻转，利用该磁性薄膜合金作为铁磁自由层，无需在磁性隧道结中增加额外的重金属层，也不需要额外的磁场辅助，便可以实现自旋轨道力矩驱动磁矩翻转。

公开(公告)号：CN111564509B

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202010547102.0

申请日：2020-06-16

Applicant: 山东大学

Inventor： 陈延学 ,  魏琳 ,  颜世申 ,  王东 ,  邢若飞 ,  田玉峰 ,  刘国磊 ,  柏利慧

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明提供一种全氧化物柔性光电探测器及其制备方法与应用。本发明通过依次将导电电极阵列、SrCoOx薄膜、ZnO薄膜、导电电极阵列按顺序沉积于柔性衬底上，构建了一种全氧化物ZnO/SrCoOx无机薄膜异质结型的柔性紫外(UV)光电探测器，该柔性光电探测器对紫外光具有高响应度和极快的响应速度，并且具有零功耗和性能稳定的优点，在可穿戴设备，紫外成像和紫外探测领域具有广阔的应用前景。