公开(公告)号：CN1523623A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN03139038.2

申请日：2003-09-09

Applicant: 山东大学

Inventor： 陈延学 ,  王成建 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  阎景贤 ,  徐荣历

IPC: H01H1/02 ,  H01B1/02 ,  H01B1/04

Abstract: 一种铜基复合电接触材料，属于新材料技术领域。组分如下：导电陶瓷1～15％，石墨0.1～3％，Mo、W之一或者其组合1～10％，Ni0.2～4％，铜余量，重量百分比。本发明的中低压电器用铜基复合电接触材料具有良好的导电和导热性，较好的灭弧性、抗熔焊性、抗电侵蚀及抗粘结性，且具有低电阻率、温升小、性能价格比高等优点，可用于在大范围内替代现有银基材料。

公开(公告)号：CN1303133A

公开(公告)日：2001-07-11

申请号：CN01107798.0

申请日：2001-02-14

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘宜华 ,  萧淑琴 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  代由勇

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 纳米晶巨磁阻抗复合材料属于信息功能材料领域。本发明采用高真空技术,先将铁基软磁合金和高导电材料铜或银组合成层状复合材料,然后,进行真空退火热处理,把磁性层的晶粒尺度控制在几十纳米的范围。它克服了传统软磁合金薄膜磁阻抗效应弱、工作频率高的缺点,简化了后序处理工艺。这种纳米晶复合材料具有磁阻抗效应强、灵敏度高、工作频率低等优点。

公开(公告)号：CN1124621C

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN01107727.1

申请日：2001-01-09

Applicant: 山东大学

Inventor： 王成建 ,  栾开政 ,  陈延学 ,  梅良模

IPC: H01B1/02 ,  H01B1/08

Abstract: 银-导电陶瓷复合电接触材料，属于新材料技术领域。它的主要内容是银和导电陶瓷组成复合电接触材料，其重量比为银60%～90%，导电陶40%～10%。导电陶瓷为(Re1-xAx)(B1-yFey)O3。它克服了现有技术存在的加工性差、温度稳定性差的缺点。本发明具有较好的灭弧性、抗熔焊性、抗损耗、抗粘结性以及抗银迁移性，还具有接触电阻低而稳定、温升小等优点。

公开(公告)号：CN1211631A

公开(公告)日：1999-03-24

申请号：CN98110340.5

申请日：1998-07-15

Applicant: 山东大学

Inventor： 梅良模 ,  陈晨 ,  郭慧群 ,  刘宜华 ,  栾开政

IPC: C22C38/14 ,  C21D8/12

Abstract: 本发明属于功能材料技术领域。本发明的主要内容是采用新的掺杂铁锆硼材料体系,其组分为:Fe100－x－y－zZryBzMx,通过熔炼、快淬形成非晶薄带,然后进行退火处理,最终得到铁锆硼掺杂的纳米晶巨磁阻抗(GMI)薄带材料。本发明解决了现有材料存在的温度稳定性差,时效老化严重,生产工艺复杂等缺点。采用本发明制得的纳米晶巨磁阻抗(GMI)薄带材料具有良好的热稳定性,同时该发明还简化了工艺,降低了生产成本。

公开(公告)号：CN1238874C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN03138995.3

申请日：2003-08-12

Applicant: 山东大学

Inventor： 陈延学 ,  王成建 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  阎景贤 ,  徐荣历

IPC: H01H1/02 ,  H01B1/02 ,  H01B1/16

Abstract: 银基压敏复合陶瓷电接触材料，属于中低压电器中的触头材料技术领域。材料组分(重量百分比)：银80-95%，压敏复合陶瓷1-15%，金属和金属氧化物0.5-5%。本发明的材料具有电阻率低，导热、导电性好，抗电烧蚀和抗熔焊能力强，机械加工性好，无毒等优点，可以制备成丝材、板材、棒材，不需要内氧化，降低了生产成本，该材料的加工性优于Ag/SnO2材料。

公开(公告)号：CN1062611C

公开(公告)日：2001-02-28

申请号：CN98110340.5

申请日：1998-07-15

Applicant: 山东大学

Inventor： 梅良模 ,  陈晨 ,  郭慧群 ,  刘宜华 ,  栾开政

IPC: C22C38/14 ,  C21D8/12

Abstract: 本发明属于功能材料技术领域。本发明的主要内容是采用新的掺杂铁锆硼材料体系，其组分为Fe100-x-y-zZryBzMx，通过熔炼、快淬形成非晶薄带，然后进行退火处理，最终得到铁锆硼掺杂的纳米晶巨磁阻抗(GMI)薄带材料。本发明解决了现有材料存在的温度稳定性差，时效老化严重，生产工艺复杂等缺点。采用本发明制得的纳米晶巨磁阻抗(GMI)薄带材料具有良好的热稳定性，同时该发明还简化了工艺，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN1061299A

公开(公告)日：1992-05-20

申请号：CN91106523.7

申请日：1991-08-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘宜华 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  张连生

IPC: H01F41/20 ,  H01F10/10

Abstract: 一种钴铁镍铌硅硼非晶薄膜的制备处理方法，属于高导磁非晶薄膜制备领域。该薄膜除材料成分有别于其他非晶薄膜外，其制备态非晶薄膜又经综合退火热处理工艺，故该薄膜具有很高的饱和磁化强度(可达9000高斯)和高导磁率(10MHz达4300)，且高频特性好，耐腐蚀性好。

公开(公告)号：CN1152440C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN01107798.0

申请日：2001-02-14

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘宜华 ,  萧淑琴 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  代由勇

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 纳米晶巨磁阻抗复合材料属于信息功能材料领域。本发明采用高真空技术，先将铁基软磁合金和高导电材料铜或银组合成层状复合材料，然后，进行真空退火热处理，把磁性层的晶粒尺度控制在几十纳米的范围。它克服了传统软磁合金薄膜磁阻抗效应弱、工作频率高的缺点，简化了后序处理工艺。这种纳米晶复合材料具有磁阻抗效应强、灵敏度高、工作频率低等优点。

公开(公告)号：CN1300082A

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN01107727.1

申请日：2001-01-09

Applicant: 山东大学

Inventor： 王成建 ,  栾开政 ,  陈延学 ,  梅良模

IPC: H01B1/02 ,  H01B1/08

Abstract: 银一导电陶瓷复合电接触材料,属于新材料技术领域。它的主要内容是银和导电陶瓷组成复合电接触材料,其重量比为银60%～90%,导电陶40%～10%。它克服了现有技术存在的加工性差,温度稳定性差的缺点。本发明具有较好的灭弧性、抗熔焊性、抗损耗,抗粘结性以及抗银迁移性,还具有接触电阻低而稳定。温升小等优点。

公开(公告)号：CN1021495C

公开(公告)日：1993-06-30

申请号：CN91106523.7

申请日：1991-08-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘宜华 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  张连生

IPC: H01F41/22 ,  H01F10/16

Abstract: 一种钴铁镍铌硅硼非晶薄膜的制备处理方法，属于高导磁非晶薄膜制备领域。该薄膜除材料成分有别于其他非晶薄膜外，其制备态非晶薄膜又经综合退火热处理工艺，故该薄膜具有很高的饱和磁化强度(可达9000高斯)和高导磁率(10MHz达4300)，且高频特性好，耐腐蚀性好。