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公开(公告)号:CN102124544A
公开(公告)日:2011-07-13
申请号:CN200980132360.4
申请日:2009-08-10
Applicant: 岩谷产业株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3065 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C1/00531 , B81C2201/0132 , G02B1/00 , H01L21/76898
Abstract: 本发明提供一种团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件。提供采用电中性的反应性团簇进行的试样加工方法,在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下,使该混合气体沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出,生成反应性团簇,将上述反应性团簇喷射到真空处理室内的试样上而加工试样表面。
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公开(公告)号:CN102124544B
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN200980132360.4
申请日:2009-08-10
Applicant: 岩谷产业株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3065 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C1/00531 , B81C2201/0132 , G02B1/00 , H01L21/76898
Abstract: 本发明提供一种团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件。提供采用电中性的反应性团簇进行的试样加工方法,在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下,使该混合气体沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出,生成反应性团簇,将上述反应性团簇喷射到真空处理室内的试样上而加工试样表面。
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