基于分步热蒸发制备钙钛矿太阳电池吸收层的方法及钙钛矿太阳电池的制备

    公开(公告)号:CN112002812A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010964897.5

    申请日:2020-09-15

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明公开一种基于分步热蒸发制备钙钛矿太阳电池吸收层及钙钛矿太阳电池的方法,首先通过热蒸发将PbI2沉积至FTO/TiO2衬底上;接着通过两步热蒸发使甲基碘化铵(MAI)蒸气与PbI2薄膜反应;最后对反应产物进行退火,在FTO/TiO2衬底上获得钙钛矿层(CH3NH3PbI3)。两步热蒸发具体为:把制备的PbI2薄膜放于热蒸发装置中,并在PbI2薄膜的正下方放置MAI粉末;然后在200±10℃的环境下,先常压反应1~10min,再负压反应2~15min,完成2次热蒸发反应。此方法可以有效调控钙钛矿晶粒的生长过程,增大钙钛矿晶粒尺寸,进而提高器件的光电转换效率。

    一种基于全无机金属卤化物钙钛矿材料的太阳电池的界面修饰方法

    公开(公告)号:CN110993803A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911230511.1

    申请日:2019-12-05

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于太阳能电池领域,公开了一种基于全无机金属卤化物钙钛矿材料的太阳电池的界面修饰方法。利用强紫外光或潮湿大气使CsPbI2Br或CsPbI3在表面和晶界处发生部分分解并生成卤化铅;再将CsBr或CsCl的超干甲醇溶液滴涂到钙钛矿层上并静置,在钙钛矿表面和晶界处生成CsPbBr3或CsPbCl3修饰层;用甲醇溶剂冲洗,除去未反应的CsBr或CsCl;最后进行退火。该方法可在钙钛矿晶界和钙钛矿/空穴传输层界面形成钝化层,抑制界面复合,加速空穴的抽取,从而提高器件的效率。此外修饰层材料自身的稳定性优于CsPbI2Br或CsPbI3,提升了器件稳定性,对钙钛矿太阳电池的产业化具有重要的意义。

    一种基于全无机金属卤化物钙钛矿材料的太阳电池的界面修饰方法

    公开(公告)号:CN110993803B

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN201911230511.1

    申请日:2019-12-05

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于太阳能电池领域,公开了一种基于全无机金属卤化物钙钛矿材料的太阳电池的界面修饰方法。利用强紫外光或潮湿大气使CsPbI2Br或CsPbI3在表面和晶界处发生部分分解并生成卤化铅;再将CsBr或CsCl的超干甲醇溶液滴涂到钙钛矿层上并静置,在钙钛矿表面和晶界处生成CsPbBr3或CsPbCl3修饰层;用甲醇溶剂冲洗,除去未反应的CsBr或CsCl;最后进行退火。该方法可在钙钛矿晶界和钙钛矿/空穴传输层界面形成钝化层,抑制界面复合,加速空穴的抽取,从而提高器件的效率。此外修饰层材料自身的稳定性优于CsPbI2Br或CsPbI3,提升了器件稳定性,对钙钛矿太阳电池的产业化具有重要的意义。

    钙钛矿量子点/贵金属纳米颗粒复合材料制备方法

    公开(公告)号:CN115197691A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210856743.3

    申请日:2022-07-20

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于钙钛矿量子点领域,涉及钙钛矿量子点/贵金属纳米颗粒复合材料制备方法,该复合材料具有良好的光催化活性,在5h内可降解约69%的苏丹红III,可将其作为降解苏丹红III的新型光催化剂。本发明提出的合成方法是在钙钛矿量子点的前驱体CsX纳米颗粒的表面先还原AuX,从而沉积Au,再进行CsX与Pb(OA)2的反应,生成钙钛矿量子点/Au复合材料。而传统方法是先合成钙钛矿量子点,再进行Au沉积。本发明提出的方法可避免传统方法中造成的钙钛矿量子点与Au+离子的反应,避免副产物(如Cs2Au2Br6)的产生,对量子点的合成和光催化应用具有重要意义。

    一种捕捉气泡聚合过程的方法和装置

    公开(公告)号:CN104089754B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201410347675.3

    申请日:2014-07-22

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 庞明军 张晶 沈琴

    Abstract: 本发明提供一种捕捉气泡聚合过程的装置,包括气泡聚合发生装置和用于记录和分析气泡聚合发生装置内气泡运动过程的拍摄及数据处理设备;所述的气泡聚合发生装置包括,密封的充液容器、充液管、若干滴液管和进气管,所述的充液管安装在充液容器上部并与充液器内部连通,所述充液管上设置有阀门;所述滴液管开口向下安装在充液容器底部,用于在重力作用下将充液容器内液体排出,所述滴液管上安装有调节阀;所述的进气管与滴液管连通作为滴液管的支管,其开口端与大气连通,且其高度高于充液容器中液体的高度。本发明装置能获得不同大小和速度的气泡,形成的气泡较稳定、不易破裂,整个动态聚合过程持续的时间较长,降低了对拍摄相机的要求。

    钙钛矿量子点/贵金属纳米颗粒复合材料制备方法

    公开(公告)号:CN115197691B

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202210856743.3

    申请日:2022-07-20

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于钙钛矿量子点领域,涉及钙钛矿量子点/贵金属纳米颗粒复合材料制备方法,该复合材料具有良好的光催化活性,在5h内可降解约69%的苏丹红III,可将其作为降解苏丹红III的新型光催化剂。本发明提出的合成方法是在钙钛矿量子点的前驱体CsX纳米颗粒的表面先还原AuX,从而沉积Au,再进行CsX与Pb(OA)2的反应,生成钙钛矿量子点/Au复合材料。而传统方法是先合成钙钛矿量子点,再进行Au沉积。本发明提出的方法可避免传统方法中造成的钙钛矿量子点与Au+离子的反应,避免副产物(如Cs2Au2Br6)的产生,对量子点的合成和光催化应用具有重要意义。

    基于CsPbIBr2的半透明全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN113363393A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202110607106.8

    申请日:2021-06-01

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域,具体为一种基于CsPbIBr2的半透明全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括采用电子束蒸发法在CsPbIBr2钙钛矿吸收层上沉积度15‑30nm厚的NiOx层,蒸镀结束后对NiOx层进行氧等离子体处理获得NiOx空穴传输层;最后采用磁控溅射的方法在NiOx空穴传输层上制备ITO。本发明制得的太阳能电池的光电转换效率和在较高湿度环境下的稳定性均得到了提升。同时,本方法制备的太阳能电池在400‑800和600‑800nm波长范围内的平均透过率分别达到了38.2%和64.0%,有利于拓宽钙钛矿太阳能电池在光伏建筑一体化方面的应用。

    基于CsPbIBr2的半透明全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN113363393B

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202110607106.8

    申请日:2021-06-01

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域,具体为一种基于CsPbIBr2的半透明全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括采用电子束蒸发法在CsPbIBr2钙钛矿吸收层上沉积度15‑30nm厚的NiOx层,蒸镀结束后对NiOx层进行氧等离子体处理获得NiOx空穴传输层;最后采用磁控溅射的方法在NiOx空穴传输层上制备ITO。本发明制得的太阳能电池的光电转换效率和在较高湿度环境下的稳定性均得到了提升。同时,本方法制备的太阳能电池在400‑800和600‑800nm波长范围内的平均透过率分别达到了38.2%和64.0%,有利于拓宽钙钛矿太阳能电池在光伏建筑一体化方面的应用。

    一种捕捉气泡聚合过程的方法和装置

    公开(公告)号:CN104089754A

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201410347675.3

    申请日:2014-07-22

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 庞明军 张晶 沈琴

    Abstract: 本发明提供一种捕捉气泡聚合过程的装置,包括气泡聚合发生装置和用于记录和分析气泡聚合发生装置内气泡运动过程的拍摄及数据处理设备;所述的气泡聚合发生装置包括,密封的充液容器、充液管、若干滴液管和进气管,所述的充液管安装在充液容器上部并与充液器内部连通,所述充液管上设置有阀门;所述滴液管开口向下安装在充液容器底部,用于在重力作用下将充液容器内液体排出,所述滴液管上安装有调节阀;所述的进气管与滴液管连通作为滴液管的支管,其开口端与大气连通,且其高度高于充液容器中液体的高度。本发明装置能获得不同大小和速度的气泡,形成的气泡较稳定、不易破裂,整个动态聚合过程持续的时间较长,降低了对拍摄相机的要求。

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