公开(公告)号：CN109686846B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN201811442868.1

申请日：2018-11-29

Applicant: 常州大学

Inventor： 张帅 ,  胡志蕾 ,  姜禾 ,  史超 ,  袁宁一 ,  丁建宁

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K30/88 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50

Abstract: 本发明属于太阳电池领域，具体涉及一种有机金属卤化物钙钛矿太阳电池的界面修饰方法，提出了一种修饰有机金属卤化物钙钛矿太阳电池中钙钛矿晶粒界面和钙钛矿/空穴传输层界面的方法。向制备电池用的反溶剂中添加酞菁，通过酞菁分子与钙钛矿前驱体阳离子间的弱相互作用，使酞菁分子附着在钙钛矿晶粒界面和钙钛矿/空穴传输层界面。相对于无酞菁界面修饰的钙钛矿太阳电池，修饰后的钙钛矿太阳电池在大气环境下和光照下的稳定性得到大幅提升，而且对应的电池效率也更高。该方法对未来钙钛矿太阳电池的产业化具有重要的意义。该方法可改善有机金属卤化物钙钛矿层在大气环境下和光照下的稳定性，并提高钙钛矿太阳电池的效率。

公开(公告)号：CN109686846A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811442868.1

申请日：2018-11-29

Applicant: 常州大学

Inventor： 张帅 ,  胡志蕾 ,  姜禾 ,  史超 ,  袁宁一 ,  丁建宁

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/0025 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/4253

Abstract: 本发明属于太阳电池领域，具体涉及一种有机金属卤化物钙钛矿太阳电池的界面修饰方法，提出了一种修饰有机金属卤化物钙钛矿太阳电池中钙钛矿晶粒界面和钙钛矿/空穴传输层界面的方法。向制备电池用的反溶剂中添加酞菁，通过酞菁分子与钙钛矿前驱体阳离子间的弱相互作用，使酞菁分子附着在钙钛矿晶粒界面和钙钛矿/空穴传输层界面。相对于无酞菁界面修饰的钙钛矿太阳电池，修饰后的钙钛矿太阳电池在大气环境下和光照下的稳定性得到大幅提升，而且对应的电池效率也更高。该方法对未来钙钛矿太阳电池的产业化具有重要的意义。该方法可改善有机金属卤化物钙钛矿层在大气环境下和光照下的稳定性，并提高钙钛矿太阳电池的效率。

公开(公告)号：CN110993803B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201911230511.1

申请日：2019-12-05

Applicant: 常州大学

Inventor： 刘雯雯 ,  张帅 ,  王立 ,  胡志蕾 ,  曹梦莎 ,  张晶 ,  张婧 ,  袁宁一

IPC: H10K71/00 ,  H10K30/80

Abstract: 本发明属于太阳能电池领域，公开了一种基于全无机金属卤化物钙钛矿材料的太阳电池的界面修饰方法。利用强紫外光或潮湿大气使CsPbI2Br或CsPbI3在表面和晶界处发生部分分解并生成卤化铅；再将CsBr或CsCl的超干甲醇溶液滴涂到钙钛矿层上并静置，在钙钛矿表面和晶界处生成CsPbBr3或CsPbCl3修饰层；用甲醇溶剂冲洗，除去未反应的CsBr或CsCl；最后进行退火。该方法可在钙钛矿晶界和钙钛矿/空穴传输层界面形成钝化层，抑制界面复合，加速空穴的抽取，从而提高器件的效率。此外修饰层材料自身的稳定性优于CsPbI2Br或CsPbI3，提升了器件稳定性，对钙钛矿太阳电池的产业化具有重要的意义。

公开(公告)号：CN112002812B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202010964897.5

申请日：2020-09-15

Applicant: 常州大学

Inventor： 张帅 ,  王立 ,  刘雯雯 ,  胡志蕾 ,  张晶 ,  曹梦莎 ,  贾旭光 ,  袁宁一

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/16 ,  H10K30/15 ,  H10K30/50

Abstract: 本发明公开一种基于分步热蒸发制备钙钛矿太阳电池吸收层及钙钛矿太阳电池的方法，首先通过热蒸发将PbI2沉积至FTO/TiO2衬底上；接着通过两步热蒸发使甲基碘化铵(MAI)蒸气与PbI2薄膜反应；最后对反应产物进行退火，在FTO/TiO2衬底上获得钙钛矿层(CH3NH3PbI3)。两步热蒸发具体为：把制备的PbI2薄膜放于热蒸发装置中，并在PbI2薄膜的正下方放置MAI粉末；然后在200±10℃的环境下，先常压反应1～10min，再负压反应2～15min，完成2次热蒸发反应。此方法可以有效调控钙钛矿晶粒的生长过程，增大钙钛矿晶粒尺寸，进而提高器件的光电转换效率。

公开(公告)号：CN112002812A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010964897.5

申请日：2020-09-15

Applicant: 常州大学

Inventor： 张帅 ,  王立 ,  刘雯雯 ,  胡志蕾 ,  张晶 ,  曹梦莎 ,  贾旭光 ,  袁宁一

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明公开一种基于分步热蒸发制备钙钛矿太阳电池吸收层及钙钛矿太阳电池的方法，首先通过热蒸发将PbI2沉积至FTO/TiO2衬底上；接着通过两步热蒸发使甲基碘化铵(MAI)蒸气与PbI2薄膜反应；最后对反应产物进行退火，在FTO/TiO2衬底上获得钙钛矿层(CH3NH3PbI3)。两步热蒸发具体为：把制备的PbI2薄膜放于热蒸发装置中，并在PbI2薄膜的正下方放置MAI粉末；然后在200±10℃的环境下，先常压反应1～10min，再负压反应2～15min，完成2次热蒸发反应。此方法可以有效调控钙钛矿晶粒的生长过程，增大钙钛矿晶粒尺寸，进而提高器件的光电转换效率。

公开(公告)号：CN110993803A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911230511.1

申请日：2019-12-05

Applicant: 常州大学

Inventor： 刘雯雯 ,  张帅 ,  王立 ,  胡志蕾 ,  曹梦莎 ,  张晶 ,  张婧 ,  袁宁一

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明属于太阳能电池领域，公开了一种基于全无机金属卤化物钙钛矿材料的太阳电池的界面修饰方法。利用强紫外光或潮湿大气使CsPbI2Br或CsPbI3在表面和晶界处发生部分分解并生成卤化铅；再将CsBr或CsCl的超干甲醇溶液滴涂到钙钛矿层上并静置，在钙钛矿表面和晶界处生成CsPbBr3或CsPbCl3修饰层；用甲醇溶剂冲洗，除去未反应的CsBr或CsCl；最后进行退火。该方法可在钙钛矿晶界和钙钛矿/空穴传输层界面形成钝化层，抑制界面复合，加速空穴的抽取，从而提高器件的效率。此外修饰层材料自身的稳定性优于CsPbI2Br或CsPbI3，提升了器件稳定性，对钙钛矿太阳电池的产业化具有重要的意义。