一种具有多场板结构的氮化镓功率器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN111370483B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202010123752.2

    申请日:2020-02-27

    Abstract: 本发明公开了一种具有多场板结构的氮化镓功率器件,由下而上依次设置有:衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属,位于AlGaN势垒层表面的钝化层呈间隔排列的条状,栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本发明使电场分布更加均匀,器件耐压能力增强,有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性,有效降低器件在大电流作用下的漏电。本发明制备方法与传统工艺完全兼容,制备难度低。

    一种用于数论变换乘法的基32运算电路

    公开(公告)号:CN111694541B

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202010371312.9

    申请日:2020-05-06

    Abstract: 本发明公开了一种用于数论变换乘法的基32运算电路,包括32个操作数生成模块,对32个输入数据的每一个进行高位填零后以6比特为一个字分割为11个字,合并输出1路32个96比特操作数、16路11个192比特操作数、3路16个192比特操作数以及12路12个192比特操作数,每个操作数生成模块连接一个操作数模加模块,对每个操作数生成模块的输出的操作数进行模加;模p模块,将每个操作数模加模块输出的数据对质数p取模输出,质数p=264‑232+1。本发明将操作数从现有技术的1024个合并到400个,大幅减小了计算开销,提高了基32运算的计算效率。

    一种具有多场板结构的氮化镓功率器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN111370483A

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN202010123752.2

    申请日:2020-02-27

    Abstract: 本发明公开了一种具有多场板结构的氮化镓功率器件,由下而上依次设置有:衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属,位于AlGaN势垒层表面的钝化层呈间隔排列的条状,栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本发明使电场分布更加均匀,器件耐压能力增强,有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性,有效降低器件在大电流作用下的漏电。本发明制备方法与传统工艺完全兼容,制备难度低。

    一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106960887B

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201710301067.2

    申请日:2017-05-02

    Abstract: 本发明公开了一种铝镓氮基日盲紫外探测器,包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1‑x1N缓冲层、n型Alx2Ga1‑x2N层、非掺杂i型Zny1Mg1‑y1O吸收层、n型ZnO/Zny2Mg1‑y2O超晶格分离层、非掺杂i型Zny3Mg1‑y3O倍增层、p型Alx3Ga1‑x3N层、p型GaN层,在n型Alx2Ga1‑x2N层上引出的n型欧姆电极,在p型GaN层上引出的p型欧姆电极。本发明还公开了铝镓氮基日盲紫外探测器的制备方法。该铝镓氮基日盲紫外探测器可提高日盲紫外探测器雪崩倍增因子与探测器的响应度。

    一种荧光探针在长程观测细胞膜中的应用

    公开(公告)号:CN119192136A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411198264.2

    申请日:2024-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种荧光探针在长程观测细胞膜中的应用,所述吡咯类荧光探针的化学名称为:(E)‑4‑(2‑(1‑甲基‑1H‑吡咯‑2)乙烯基)‑1‑十八烷基‑1‑碘盐。本发明所述的吡咯类荧光探针,能够用于长时间追踪观测细胞膜的动态变化,该探针具有内在化作用较弱、不受pH值的影响、对粘度敏感等特点。由于细胞膜与细胞的生长、分裂、代谢和疾病诊断(肿瘤)等密切相关,因此,本发明的荧光化合物能够用于制备肿瘤诊断试剂、荧光成像试剂或放射性显像试剂、细胞生长分裂的诊断试剂或长程观测细胞膜试剂等领域。

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