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公开(公告)号：CN119894200A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510057786.9
申请日：2025-01-14
Applicant: 广东工业大学
IPC: H10H29/03 , H10H29/02 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，尤其是一种巨量转移装置及转移方法，操作台设有取料工位和放料工位，取料工位用于放置晶圆盘，放料工位用于放置电路基板；旋转转移机构设于操作台的上方，旋转件可移动地设置于安装座的侧壁，驱动件用于驱动旋转件围绕安装座移动，若干组转移组件间隔地安装于旋转件；当一组转移组件位于取料工位的上方时，另有一组转移组件位于放料工位的上方，两组转移组件同时实施取料和放料。通过设计旋转转移机构，能够在一次旋转过程中同时完成取料和放料操作，这种并行操作的方式显著减少了传统技术中吸附装置在晶圆和电路基板之间多次往返所需的时间，从而提高巨量转移的整体效率。
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公开(公告)号：CN117761828B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202311794732.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明提供了一种用于安装弧形光纤的硅V槽阵列的加工方法，包括：S1，提供一硅片晶圆，并对所述硅片晶圆进行清洗并烘干；S2，在烘干后的所述硅片晶圆表面制备出不同宽度的氮化硅掩膜图案形成目标硅片晶圆；S3，将所述目标硅片晶圆浸泡在氢氧化钾和异丙醇的混合溶液中进行碱性湿法刻蚀形成带有不同深度的V槽阵列的硅片晶圆；S4，去除所述带有不同深度的V槽阵列的硅片晶圆表面的多余杂质，并依次对去除多余杂质的所述有不同深度的V槽阵列的硅片晶圆进行离心洗涤和真空干燥。本发明通过设计出不同宽度的掩膜图案来控制V槽阵列的开口大小，以此加工出深度不一致的V槽通道，进而实现光纤阵列在Z轴方向呈弧形分布。
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公开(公告)号：CN118076213A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410147222.X
申请日：2024-02-01
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单边非金属电极忆阻器，其包括基底、形成于所述基底上的底电极层、与所述底电极层相互垂直设置的顶电极层以及夹设于所述底电极层和所述顶电极层之间的功能介质层，且所述顶电极层由石墨烯前体材料制成。本发明通过石墨烯前体材料制造顶电极层，具有良好的导电性能，而且石墨烯前体材料制造非金属电极的顶电极层，还可以消除忆阻器功能介质层内部形成的导电细丝渗透到底电极层，使所述单边非金属电极忆阻器表现出更好的耐久特性、保留特性以及耐用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117672841A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311653726.0
申请日：2023-12-04
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供了一种硅柱阵列的器件连接结构的制造方法及器件连接结构，所述制造方法包括以下步骤：S1、硅片准备：对硅片晶圆进行初步清洗烘干；S2、刻蚀晶向寻找：通过硅晶圆中心初步预刻蚀来观察目标刻蚀晶向；S3、掩膜制备：通过热氧化在所述硅片晶圆的表面制备出SiO2掩膜，再用光刻机制备定向刻蚀胶层图案；S4、碱性湿法刻蚀：将所述目标硅片晶圆浸泡在KOH和TMAH混合液中刻蚀；S5、制备玻璃保护层：去除刻蚀后的表面杂质并依次进行离心洗涤与真空干燥，随后在其表面浇筑熔融玻璃以保护所述硅片晶圆。本发明的硅柱阵列的器件连接结构的制造方法制造效率高，质量好，可靠性高，生产成本低。
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公开(公告)号：CN115771686A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111045029.8
申请日：2021-09-07
Applicant: 广东工业大学
IPC: B65G1/02
Abstract: 本发明提供一种基于有限元分析的仓储货架，包括平行布置的两个呈竖向状态的支撑架，两个支撑架之间等距设置多个放置板，放置板下端左侧设置L型支撑板的横向部，放置板下端右侧安装U型支撑板，放置板下端左侧固定连接纵向布置的固定块，放置板下侧活动安装横向布置的丝杆，丝杆环形端通过滚珠螺母副连接纵向布置移动块，移动块上端开设左低右高倾斜布置的第一倾斜面，固定块下端左高右低倾斜布置的第二倾斜面且第二倾斜面与第一倾斜面相互贴合，该设计利用丝杆，使移动块向左移动，并在第一倾斜面与第二倾斜面作用下，使放置板形成左高右低的倾斜状态，能使物料沿着放置板向直板方向进行滑动，便于进行取料作业，提升工作效率。
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公开(公告)号：CN117672841B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202311653726.0
申请日：2023-12-04
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供了一种硅柱阵列的器件连接结构的制造方法及器件连接结构，所述制造方法包括以下步骤：S1、硅片准备：对硅片晶圆进行初步清洗烘干；S2、刻蚀晶向寻找：通过硅晶圆中心初步预刻蚀来观察目标刻蚀晶向；S3、掩膜制备：通过热氧化在所述硅片晶圆的表面制备出SiO2掩膜，再用光刻机制备定向刻蚀胶层图案；S4、碱性湿法刻蚀：将所述目标硅片晶圆浸泡在KOH和TMAH混合液中刻蚀；S5、制备玻璃保护层：去除刻蚀后的表面杂质并依次进行离心洗涤与真空干燥，随后在其表面浇筑熔融玻璃以保护所述硅片晶圆。本发明的硅柱阵列的器件连接结构的制造方法制造效率高，质量好，可靠性高，生产成本低。
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公开(公告)号：CN117658058A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311653710.X
申请日：2023-12-04
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明提供了一种硅基宽阵列纳米通孔的制造方法及硅基宽阵列纳米通孔，所述制造方法包括以下步骤：S1、硅片准备：对硅片晶圆进行初步清洗烘干；S2、锥形槽初步刻蚀：将所述硅片浸泡在KOH和异丙醇的混合溶液中刻蚀；S3、金属辅助化学刻蚀：通过匀胶机将包覆SiO2的Au颗粒溶液旋涂在硅片表面，固化后将目标硅片浸泡在HF和H2O2混合液中刻蚀；S4、去除所述目标硅片的表面多余杂质，并依次进行离心洗涤与真空干燥，得到硅基宽阵列纳米通孔成品。本发明的硅基宽阵列纳米通孔的制造方法制造效率高，硅纳米孔排列有序且间距易调控，稳定性好。
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公开(公告)号：CN117761828A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311794732.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明提供了一种用于安装弧形光纤的硅V槽阵列的加工方法，包括：S1，提供一硅片晶圆，并对所述硅片晶圆进行清洗并烘干；S2，在烘干后的所述硅片晶圆表面制备出不同宽度的氮化硅掩膜图案形成目标硅片晶圆；S3，将所述目标硅片晶圆浸泡在氢氧化钾和异丙醇的混合溶液中进行碱性湿法刻蚀形成带有不同深度的V槽阵列的硅片晶圆；S4，去除所述带有不同深度的V槽阵列的硅片晶圆表面的多余杂质，并依次对去除多余杂质的所述有不同深度的V槽阵列的硅片晶圆进行离心洗涤和真空干燥。本发明通过设计出不同宽度的掩膜图案来控制V槽阵列的开口大小，以此加工出深度不一致的V槽通道，进而实现光纤阵列在Z轴方向呈弧形分布。
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