公开(公告)号：CN118851776A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410778522.8

申请日：2024-06-17

Applicant: 广东技术师范大学 ,  广东工业大学

Inventor： 于俊杰 ,  李泽华 ,  杨小青 ,  刘健 ,  曾海洋 ,  吴敏 ,  郭伟明 ,  林华泰

IPC: C04B35/587 ,  B23B27/00 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明属于非氧化物基材料技术领域，公开了一种具有高韧性和高硬度的氮化硅陶瓷及其制备方法和应用。该方法通过向α‑Si3N4粉中引入烧结助剂MgO‑Re2O3经混料，干燥后得到α‑Si3N4‑MgO‑Re2O3的混合粉体，将混合粉体放入放电等离子烧结炉模具后，在1atm的氮气气氛下，先升温至1700～1800℃预烧结并保温1～3min，预烧结压力1～10MPa；然后再降温至1500～1600℃烧结并保温5～20min，烧结压力30～50MPa，制得氮化硅陶瓷。本发明采用高温预烧结和低温烧结的两步放电等离子烧结工艺，实现高性能氮化硅陶瓷的制备。该氮化硅陶瓷具有高韧性和高硬度，可应用在切削刀具领域。

公开(公告)号：CN117945763A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311853085.3

申请日：2023-12-29

Applicant: 广东工业大学 ,  广东技术师范大学

Inventor： 郭伟明 ,  李泽华 ,  于俊杰 ,  林华泰

IPC: C04B35/591 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种高性能的氮化硅陶瓷及其制备方法和应用。该方法是以Si粉为基体原料，以ZrO2‑YF3‑MgSiN2为烧结助剂，通过高能剪切混合处理得到逐层包覆的Si‑ZrO2‑MgSiN2‑YF3混合粉体，再经过氮化处理与后烧结处理，制得高性能高导热的氮化硅陶瓷。本发明氮化硅陶瓷的工艺过程简单，通过向Si粉引入ZrO2促进Si粉氮化且抑制α→β‑Si3N4的相变，又通过烧结助剂MgSiN2与YF3还原氮化处理生成的SiO2，从而降低了晶格氧含量，并且配合烧结工艺形成了互锁的致密双峰微观结构，陶瓷具有优异的力学性能和较高的热导率，可以用于汽车电子、航天航空等领域。

公开(公告)号：CN119797930A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411954239.2

申请日：2024-12-27

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 郭伟明 ,  李泽华 ,  詹创添 ,  于俊杰 ,  游洋 ,  汪义欣 ,  林华泰

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/587 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于材料生产技术领域，公开了一种AlN/Si3N4复合陶瓷基板及其制备方法和应用。该复合陶瓷基板是将Si粉和烧结助剂EuO2‑HfO2‑MgO‑Yb2O3，通过流延工艺和n×m矩阵的圆柱模具制备Si基陶瓷素片；将Al2O3粉、C粉与Yb2O3粉，制备Al2O3‑C流延浆料，将Al2O3‑C流延浆料填补Si基陶瓷素片的圆孔中，得到Si‑Al2O3‑C复合陶瓷素片，在1320～1380℃经过氮化处理，然后经1600～1800℃反应烧结制得。该复合陶瓷基板以AlN陶瓷为导热通路，Si3N4陶瓷为力学支撑，具有优异的导热性能和力学性能。本发明生产稳定高效，可用于汽车电子、航天航空等领域。

公开(公告)号：CN119735443A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411809478.9

申请日：2024-12-10

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 郭伟明 ,  汪义欣 ,  于俊杰 ,  游洋 ,  李泽华 ,  林华泰

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/80 ,  H04M1/02

Abstract: 本发明属于非氧化物基材料技术领域，公开了一种高强度和高韧性的SiCf‑Si3N4‑Si复合陶瓷及其制备方法和应用。该SiCf‑Si3N4‑Si复合陶瓷是将Si粉、Al2O3粉和酚醛树脂粉加入无水乙醇混合球磨，得到浸渍料浆；将预处理的碳化硅纤维布完全浸没在浸渍料浆中，然后进行抽真空，通入压力为4～10MPa的保护气体并保压，干燥固化得到预制体；将预制体在1～10MPa的氮气压力下，升温至1800～1900℃烧结制得。本发明采用浸渍法和高温高压气压烧结工艺，实现制备高强度和高韧性SiCf‑Si3N4‑Si复合陶瓷，该复合陶瓷可应用在手机背板领域。