公开(公告)号：CN118439591A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410640513.2

申请日：2024-05-22

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 何苗 ,  徐杨硕 ,  冯叶锋 ,  熊德平 ,  冯祖勇

IPC: C01B32/05 ,  H01M4/587 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明涉及一种基于杨木的硬碳负极材料的制备方法及其制备的硬碳负极材料和应用。所述制备方法包括如下步骤：将杨木木屑粉碎、干燥，在惰性气氛下进行预碳烧处理，得到预碳烧前驱体，随后进行酸洗处理，抽滤得到前驱体并干燥再在惰性气氛下进行碳烧处理，得到硬碳负极材料，最后将碳烧处理后的硬碳负极材料进行球磨，得到所述硬碳负极材料。该方法实现了在不破坏杨木本身基本结构的基础上去除杨木中的杂质，制备过程简单易操作，节省了制备过程的能耗，并使硬碳负极材料制得的钠离子电池具有优异的倍率性能和充放电循环性能。

公开(公告)号：CN118289757A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410432144.8

申请日：2024-04-11

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 何苗 ,  詹锦被 ,  冯叶锋 ,  熊德平 ,  冯祖勇

IPC: C01B32/324 ,  C01B32/342 ,  H01M4/04 ,  H01M4/587 ,  H01M10/054 ,  H01M4/133

Abstract: 本发明公开了一种钠离子电池用多孔生物质硬碳材料制备方法及其应用，属于钠离子电池电极材料及其制备技术领域。通过造孔剂，对生物质硬碳进行掺杂，再高温煅烧进行造孔，在硬碳材料表面产生多孔以及内部产生闭孔两种效应，磷掺杂能够增加硬碳材料层间距，增加更多的活性点位，闭孔结构可以提高储纳容量、首次库伦效率，提高了硬碳材料的性能，因此，所制备多孔生物质硬碳材料具有优异电化学性能，表现出优异倍率性能和循环稳定性。该方法工艺简单，成本低，可操作性强，适用于大规模工业生产。

公开(公告)号：CN106935690B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201710171254.3

申请日：2017-03-21

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 何苗 ,  黄波 ,  熊德平 ,  杨思攀 ,  周海亮

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底，GaN缓冲层，未掺杂的GaN层，掺杂N型GaN层，AlGaN/GaN多量子阱结构，插入层，电子阻挡层EBL，P型GaN层，所述衬底采用蓝宝石衬底，所述GaN缓冲层厚度为20‑25nm，生长温度为530‑550℃，并在1050℃恒温6分钟使GaN缓冲层重结晶，所述未掺杂的GaN层厚度为2.0‑2.5μm，生长温度为1050℃，所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3.0μm，其中Si掺杂浓度为5x1018cm‑3，生长温度为1050℃，所述多量子阱AlGaN/GaN结构由多量子阱AlGaN层和多量子阱GaN层按6个周期的交替生长而成。本发明通过提高紫外LED芯片的晶体质量，优化电子阻挡层的电子阻挡效果，减少电子泄露，从而改善紫外LED器件的效率下降，提高光输出功率。

公开(公告)号：CN117819540A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311758921.X

申请日：2023-12-19

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 何苗 ,  黄睿锋 ,  徐晨浩 ,  陈丽 ,  熊德平 ,  冯祖勇

IPC: C01B32/21 ,  C01B32/05 ,  H01M10/054 ,  H01M4/36 ,  H01M4/587

Abstract: 本发明公开了一种硬碳包覆石墨材料及其制备方法和应用，属于电池材料技术领域。硬碳包覆石墨材料的制备方法，包括如下步骤：将含碳原材料和固化剂热处理，得硬碳材料；将所述硬碳材料粉碎，与塑形剂混合，热解塑形剂，制得包覆硬碳材料；将包覆硬碳材料高温熔融包覆在石墨上，得到包覆前驱体；将所述包覆前驱体在球磨机中球磨，得到硬碳包覆石墨材料；塑形剂与所述硬碳材料的重量比为(85‑95)：15；包覆温度不小于200℃；球磨机的转速为150‑450转/min，球磨时间为3‑9小时。本发明的硬碳包覆石墨材料，采用球磨工艺，能够使得石墨的端面露出，作为负极材料能够提高电池的电池初始库伦效率。

公开(公告)号：CN108105733B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201810091289.0

申请日：2018-01-30

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 何苗 ,  王成民 ,  王润 ,  熊德平

IPC: F21V29/503 ,  F21V29/56 ,  F21V29/76 ,  F21V29/89 ,  F21Y115/10

Abstract: 本发明属于LED散热技术领域，尤其涉及一种LED散热装置。本发明中，大功率LED光源散发的热量一方面可被第一冷液储存腔中的冷液吸收，一方面可被套接于第一空心圆台的侧面的外壁的横向圆环翅片吸收并进行热量排出，第一冷液储存腔的冷液吸收热量，对大功率LED光源进行液冷散热，横向圆环翅片吸收热量并进行热量排出，对大功率LED光源进行自然对流散热，本发明LED散热装置将冷液散热和自然对流散热结合，能够保证大功率LED光源的散热要求，并能够保证LED散热装置的稳定性。

公开(公告)号：CN107195743B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201710359384.X

申请日：2017-05-19

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 何苗 ,  杨思攀 ,  熊德平 ,  王成民

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/64 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；本发明通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除，形成用于设置n电极的n型半导体区域，并在芯片外延层内分别设有贯穿n型AlGaN层的第一内部接触层和贯穿n型AlGaN层至透明导电层的第二内部接触层，使芯片内部形成用于释放高压静电的电流释放通道，从而避免芯片遭受静电的危害；另外，反射层的设置可以最大限度反射向下射出的光线，有效提高芯片的出光率；透明导电层可以增大与p电极之间的接触面积，获得更好的散热效果；最后，本发明通过设置电流扩展层和电子阻挡层，加强芯片内部载流子向上流动的速度和流量，使芯片的出光率大大提高。

公开(公告)号：CN109847341B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201910012783.8

申请日：2019-01-07

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 何苗 ,  邓晓千 ,  黄仕华 ,  熊德平

IPC: A63F13/355 ,  A63F13/352 ,  A63F13/35 ,  A63F13/30 ,  A63F13/77 ,  H04L67/30 ,  H04L67/131

Abstract: 本申请实施例公开了一种云游戏方法，包括：根据玩家输入的游戏需求信息，生成对应游戏需求信息的配置请求文件；根据配置请求文件对应的需求算力，从区块链网络中确定可提供算力大于需求算力的响应主机；在与响应主机建立连接后，实时计算游戏过程中响应主机提供的算力；确定游戏结束后响应主机总共提供的贡献算力；根据区块链激励机制，确定贡献算力对应的费用，并根据费用进行结算。本申请实施例公开了一种云游戏方法及设备，解决了现有的云游戏服务被少数的企业垄断，云游戏费用过于高昂，导致云游戏服务难以推广的技术问题。

公开(公告)号：CN113725345A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110991333.5

申请日：2021-08-26

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 何苗 ,  高炯健 ,  熊德平

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明涉及紫外LED制备领域，更具体地，涉及一种双面微透镜阵列制备方法，采用该制备方法在蓝宝石玻璃透镜的上下表面制作均匀、大面积且易于控制的微透镜阵列，基于几何光学的折射原理，光在两种透明介质交界处，将向折射率高的区域弯折。材料的折射率越高，入射光发生折射的能力越强。通过这个原理，将一个完整的激光波前在空间上分成许多微小的部分，每一部分被相应的小透镜聚焦在焦平面上，光斑进行重叠，从而实现在特定区域将光均匀化。将该蓝宝石玻璃透镜应用在紫外LED封装装置上，降低深紫外LED封装光学窗口‑空气界面之间的全反射损失，将经过透镜的光聚焦在焦平面上，同时增加发射光的耦合能力，均匀紫外LED的出光强度。

公开(公告)号：CN111384402B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202010200392.1

申请日：2020-03-20

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 柯进 ,  何苗 ,  冯叶锋 ,  熊德平

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明属于电池电极材料技术领域，尤其涉及一种二氧化锡复合材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种二氧化锡复合材料，所述二氧化锡复合材料为片状结构；所述二氧化锡复合材料包括二氧化锡、二氧化硅和石墨，所述二氧化锡和所述二氧化硅包覆于所述石墨中。本发明中，采用二氧化硅和石墨对二氧化锡进行改性，二氧化硅具有较高的比容量，二氧化锡和二氧化硅包覆于石墨中，二氧化锡复合材料为片状结构，能够有效抑制二氧化锡的体积膨胀，实验结果表明，该二氧化锡复合材料作为负极材料应用于锂电池中，导电性好、循环和倍率性能好。

公开(公告)号：CN109545921B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201811527125.4

申请日：2018-12-13

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 何苗 ,  丛海云 ,  黄仕华 ,  熊德平

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种LED芯片、LED外延片及其制备方法，其中，LED外延片可以包括金属衬底、设置在金属衬底表面的GaN成核层、设置在GaN成核层表面的N型GaN层、设置在N型GaN层表面的多量子阱层、设置在多量子阱层表面的GaN阻挡层、设置在GaN阻挡层表面的P型GaN层。本申请公开的上述技术方案，直接利用金属衬底作为LED外延片的衬底，由于整个金属衬底都可以导电，因此，则可以对N型GaN层的电流实现扩展，以使电流均匀分布，从而可以提高内量子效率。另外，由于可以直接在金属衬底上设置电极，因此，则可以不再需要通过刻蚀来在N型GaN层上制备电极，从而可以增大LED外延片的有效发光区域。