导体屏蔽层的修复方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116260083A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310136815.1

    申请日:2023-02-17

    Abstract: 本发明涉及导体屏蔽层修复技术领域,公开一种导体屏蔽层的修复方法,包括:开剥待修复位置的两端,以露出待修复位置的两端的导体屏蔽层;对导体屏蔽层靠近待修复位置的端部进行打磨抛光处理;在待修复位置覆盖半导电筒,半导电筒的两端分别与两端的导体屏蔽层相接;对半导电筒进行加压加热处理;对加压加热处理后的半导电筒进行打磨抛光处理。其有益效果在于:开剥待修复位置的两端,可以提高半导电筒与导体屏蔽层之间熔融结合的程度;通过对半导电筒加压加热处理,本方法既可以实现导体屏蔽层的修复,也显著减小了修复位置的体积,还使得半导电筒与导体屏蔽层之间没有可分离的界面,并具有良好的抗局放特性,且防止水汽进入绝缘层。

    一种35kV聚乙烯基非交联绝缘电力电缆导体屏蔽层修复工艺

    公开(公告)号:CN119362297A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411492854.6

    申请日:2024-10-24

    Abstract: 本发明涉及线缆修复技术领域,公开了一种35kV聚乙烯基非交联绝缘电力电缆导体屏蔽层修复工艺,其包括如下步骤:S1、将第一电缆和第二电缆的端部处理形成断面,打磨第一电缆和第二电缆使其露出电缆导体层;S2、将第一电缆和第二电缆沿断面焊接连接,并打磨焊点至与原电缆导体层等径;S3、设置半导中空管包覆电缆导体层;S4、设置加热模具加热半导中空管使其与电缆导体层连接为一体;S5、等待加热模具自然冷却,拆除加热模具;S6、打磨熔融成型的半导中空管使其与第一电缆和第二电缆的导体屏蔽层保持一致,完成导体屏蔽层的修复。与现有技术相比,该电缆修复工艺采用熔融结合原有导体屏蔽层与现有导体屏蔽层,消除了冷缩预制件主体半导层与电缆本体之间的间隙。

    一种35kV聚乙烯基非交联绝缘电力电缆连接用居中装置

    公开(公告)号:CN119362291A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411490402.4

    申请日:2024-10-24

    Abstract: 本发明涉及电力设备技术领域,公开了一种35kV聚乙烯基非交联绝缘电力电缆连接用居中装置,包括框架、支撑机构、夹持机构和平移驱动机构。支撑机构设置于框架下方,用于支撑框架,支撑机构的高度可调。夹持机构设置于框架上方,两个夹持机构沿第一方向间隔设置,第一方向为框架的长度方向,夹持机构包括第一驱动组件、上夹板和下夹板,上夹板设置于下夹板上方,下夹板上设置有用于容纳电缆的第一容纳槽,两个夹持机构的第一容纳槽同轴设置,第一驱动组件用于驱使上夹板沿第二方向移动,以使上夹板能够与下夹板配合夹持位于第一容纳槽内的电缆,第二方向为支撑机构的高度方向,第二方向垂直于第一方向。平移驱动机构设置于框架上。

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