公开(公告)号：CN111908914A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010685817.2

申请日：2020-07-16

Applicant: 广州天极电子科技有限公司 ,  华南理工大学

Inventor： 冯毅龙 ,  吕明 ,  卢振亚 ,  陈炜豪

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明提供了一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用，属于芯片电容器技术领域。本发明提供的晶界层陶瓷材料包括以下质量份数的制备原料：SrTiO395.35～99.30份、Nb2O30.30～0.55份和改性添加剂0.30～5.00份；所述改性添加剂为BaCO3、Nd2O3、CaO、Sm2O3、Al2O3和SiO2中的一种或几种。本发明提供的晶界层陶瓷材料具有优异的电性能和可控性，由该晶界层陶瓷材料制备的晶界层陶瓷基片具有优良的重复性和一致性。

公开(公告)号：CN118439888A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410680528.1

申请日：2024-05-29

Applicant: 东莞令特电子有限公司 ,  华南理工大学

Inventor： 颜健 ,  刘树英 ,  符小艺 ,  黄创炜 ,  卢振亚

IPC: C04B41/85

Abstract: 本发明属于无机功能陶瓷材料领域，具体涉及一种制备ZnO压敏电阻器表面玻璃绝缘层的方法。本发明采用的技术方案包含3个步骤：首先保护银电极，然后在ZnO磁体上化学沉积玻璃粉，最后高温煅烧，让玻璃粉在ZnO陶瓷表面上形成均匀的玻璃绝缘层，同时将保护银电极的有机物分解掉。得到的玻璃绝缘层仅仅包覆在ZnO陶瓷表面而不会沉积在Ag电极表面，Ag电极的导电性不会受到影响。本发明避免了在后续的过程中聚电解质在银端电极上吸附以及玻璃粉的沉积，保证了玻璃绝缘层仅沉积在ZnO陶瓷体上，减少传统特制设备去除端电极绝缘层工艺步骤。此方法不需要特殊的设备，成本低廉，效率高。

公开(公告)号：CN116925481A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310337170.8

申请日：2023-03-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 符小艺 ,  马腾飞 ,  卢振亚

IPC: C08L27/16 ,  C08K9/10 ,  C08K7/00 ,  C08K3/24 ,  C08J5/18

Abstract: 本发明公开了一种低介电损耗的改性BaTi2O5/PVDF复合薄膜材料及其制备方法。陶瓷/聚合物材料拥有较大的介电常数，但通常介电损耗较大，本发明目的是为了提高复合材料的介电常数，同时降低介电损耗。该方法选用高介电常数的BaTi2O5纳米线作为填充材料，先利用具有低介电损耗的SiO2对其表面包覆，再与PVDF基体复合得到改性BaTi2O5/PVDF复合薄膜。此改性法有效的降低了复合薄膜的介电损耗。在室温条件下，本方法制备得到的复合薄膜材料，1000Hz时测试的介电常数最大可达到42.22，介电损耗可低至0.09。

公开(公告)号：CN112331271B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011213889.3

申请日：2020-11-04

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 关康 ,  曾庆丰 ,  卢振亚 ,  吴建青 ,  刘建涛 ,  冯志强

IPC: G16C10/00 ,  G06F30/23 ,  G06F30/28 ,  C23C16/00 ,  G06F113/08 ,  G06F119/14 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明提供CVD沉积速率、产物织构和质量跨尺度预测方法，S1建立反应器几何模型和划分网格；添加材料属性；S2建立多物理场模型，建立流体传热和层流模型，计算温度场和流场；S3建立化学和多组分物质传递模型，将先驱体气体反应输入模型，计算化学反应和浓度场分布；S4计算沉积表面浓度，与上一次总迭代计算的结果进行对比，满足收敛要求，流程结束；否则将表面浓度结果输入KMC模型进行下一次迭代；S5构建原子结构，确定表面反应；S6计算吸附、扩散速度，确定一步的原子结构与反应时间；S7若原子结构满足要求厚度，则返回S2；否则返回S5继续迭代计算。在本发明的基础上进行沉积工艺参数的优化，得到沉积产物织构可控，质量好的CVD产品。

公开(公告)号：CN112102897B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202010988337.3

申请日：2020-09-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 关康 ,  任海涛 ,  曾庆丰 ,  卢振亚 ,  吴建青

IPC: G16C20/30 ,  G16C20/70 ,  G16C10/00 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开了一种化学气相多元沉积产物组分预测方法，包括：步骤S1，根据工艺条件，计算配分函数：步骤S2，计算热熔和熵；步骤S3，根据平动、转动、振动及电子配分函数，计算标准生成焓和标准生成吉布斯自由能；步骤S4，根据化学平衡原理，即体系总吉布斯自由能最小的数学条件，获得所有产物的平衡产量分布；步骤S5，工艺条件、沉积固相和产率作为输入数据，利用BP算法建立训练模型。步骤S6，建立BP训练模型后，结合遗传算法，对计算出的结果进行分析，不断搜索出不同权重条件下的最高固相产量。本发明的优点是：建立可准确预测沉积理论产物组分的模型，实现多组分产量最大的优化目标，加快CVD工业生产研发效率和降低其生产成本。

公开(公告)号：CN113834859A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202111113271.4

申请日：2021-09-23

Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 ,  华南理工大学

Inventor： 冯毅龙 ,  卢振亚 ,  吕明 ,  戴婷

IPC: G01N27/00 ,  G01N27/04 ,  G01R27/02

Abstract: 本发明涉及一种晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法及测试方法。其中，制备方法包括：在晶界层上表面均匀涂覆一层光刻胶并进行固化；使用图形化掩膜版对表面涂覆固化有光刻胶的微米级金电极进行曝光，显影后使用溶液在曝光后的微米级金电极上形成光刻胶保护图层；使用蚀刻液蚀刻无光刻胶保护图层的微米级金电极后，进行清洗得到微米级电极。本发明在制备的晶界层基片晶粒上直接镀上微米级金电极材料，在金相显微镜下即可获取适用于测试晶界层基片的电性能的微米级电极块，通过定位，可具体到某一微观晶粒晶界性能的测试，并且实现该晶粒晶界性能的重复测试，从而在晶界层性能上实现机理上的研究。

公开(公告)号：CN113209998A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110386015.6

申请日：2021-04-09

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 陈志武 ,  蒙华星 ,  卢振亚 ,  王歆

IPC: B01J27/24 ,  B01J35/10 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明属于光催化材料的技术领域，公开了一种石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法。方法：1)将g‑C3N4纳米片、有机溶剂和酸混合，获得混合物A；酸为醋酸或乳酸中一种以上；有机溶剂为乙醇或甲醇；2)将钛酸丁酯与混合物A混匀，获得混合物B；3)将氨水与混合物B中混匀，干燥，煅烧，获得复合光催化剂。本发明的方法简单，通过原位生长的方法在g‑C3N4纳米片上生长N‑TiO2，N‑TiO2纳米颗粒分散均匀，且与g‑C3N4纳米片具有充分的界面接触，两者结合更紧密，能够有效地提高光生电子和空穴的分离速度，从而提高量子效率，达到提高其催化效率的效果。本发明的催化剂在光催化制氢中具有较好的催化活性。

公开(公告)号：CN108409306B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201810238077.0

申请日：2018-03-22

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王瀛洲 ,  卢振亚 ,  陈志武 ,  王歆

IPC: H01C7/112 ,  C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种氧化锌压敏陶瓷材料及其制备方法。该ZnO压敏陶瓷材料的ZnO含量为97.24～97.26mol％,添加剂含量为2.74～2.76mol％；所述添加剂包括0.5mol％Bi2O3、0.5mol％Co2O3、0.72mol％Sb2O3、0.5mol％MnCO3、0.5mol％Ni203和0.02～0.04mol％的ZnCl2。本发明采用的半导化施主添加剂为ZnCl2，而不是采用常用的Al(N03)3.9H20，获得的氧化锌压敏电阻材料压敏电压在150V～260V/mm,非线性系数(I‑V非线性系数)a≥45,漏电流IL≦1uA,耐脉冲电流特性良好。

公开(公告)号：CN109665755A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201910056449.2

申请日：2019-01-22

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  郑伟浩 ,  卢振亚 ,  胡泽森

IPC: C04B26/32 ,  C04B35/453 ,  C04B111/90

Abstract: 本发明属于交流电缆附件材料的技术领域，公开了一种室温硫化硅橡胶基交流电缆附件材料及其制备方法。所述室温硫化硅橡胶基交流电缆附件材料主要由氧化锌基陶瓷、室温硫化硅橡胶、交联剂以及催化剂制备得到；氧化锌基陶瓷的原料包括氧化锌、氧化铋、四氧化三钴、三氧化二锑、碳酸锰、三氧化二铬、三氧化二镍、二氧化硅、氧化镁和氧化钇。本发明还公开了附件材料的制备方法。本发明的交流电缆附件材料具有适宜的非线性系数并具有高的压敏场强，提高了该附件材料的击穿场强，满足电压等级更高的电缆的需求。本发明的方法简单，成本低廉，容易实施。

公开(公告)号：CN103311916B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310268448.7

申请日：2013-06-28

Applicant: 华南理工大学 ,  深圳市劲阳电子有限公司 ,  深圳市固安电子有限公司

Inventor： 卢振亚 ,  王佩艺 ,  沈朝阳 ,  杨凤金

IPC: H02H9/04

Abstract: 本发明公开了防雷过压保护器件，包括压敏电阻片、正温度系数热敏电阻片和气体放电管，所述压敏电阻片和正温度系数热敏电阻片封装为一体，形成封装体；所述正温度系数热敏电阻片的一端为第一引出端；正温度系数热敏电阻片的另一端与压敏电阻片的一端连接，形成公共端，所述公共端作为第三引出端；压敏电阻片的另一端作为第二引出端；气体放电管位于封装体之外，气体放电管的两端分别连接第一引出端和第三引出端。本发明不但可抑制操作过电压和故障工频过电压，当发生雷击脉冲过电压时，该保护组件能发挥正常压敏元件的保护作用。