公开(公告)号：CN119498028A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202380054840.3

申请日：2023-07-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 弗雷德里克·费什伯恩 ,  北岛知彦 ,  付强 ,  斯里尼瓦斯·古吉拉 ,  于航 ,  封俊 ,  陈世忠 ,  拉克马尔·C·卡拉塔拉格 ,  杰登·波特 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  迪内士·帕德希 ,  周逸峰 ,  姜于峰 ,  姜声官

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了存储器器件及形成存储器器件的方法。描述了形成电子器件的方法，其中碳用作形成DRAM电容器的可移除模具材料。致密的高温（500℃或更高）PECVD碳材料替代氧化物用作可移除模具材料（例如，芯材料）。碳材料可以在暴露于氧（O2）、氮（N2）、氢（H2）、氨（NH3）、及其组合的自由基的情况下通过各向同性蚀刻移除。