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公开(公告)号：CN110892508B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201880047381.5
申请日：2018-07-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 马克·沙丽 , 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 托马斯·卡尼斯利
IPC: H01L21/02
Abstract: 描述增强选择性沉积的数种方法。一些实施方式中，在沉积介电质之前，将阻挡层沉积于金属表面上。一些实施方式中，金属表面经过官能化而增强或降低其反应性。
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公开(公告)号：CN119498028A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380054840.3
申请日：2023-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 弗雷德里克·费什伯恩 , 北岛知彦 , 付强 , 斯里尼瓦斯·古吉拉 , 于航 , 封俊 , 陈世忠 , 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 杰登·波特 , 卡希克·贾纳基拉曼 , 迪内士·帕德希 , 周逸峰 , 姜于峰 , 姜声官
Abstract: 描述了存储器器件及形成存储器器件的方法。描述了形成电子器件的方法，其中碳用作形成DRAM电容器的可移除模具材料。致密的高温（500℃或更高）PECVD碳材料替代氧化物用作可移除模具材料（例如，芯材料）。碳材料可以在暴露于氧（O2）、氮（N2）、氢（H2）、氨（NH3）、及其组合的自由基的情况下通过各向同性蚀刻移除。
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公开(公告)号：CN116997862A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280022454.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 艾伦·丹格菲尔德 , 马克·约瑟夫·萨利
IPC: G03F7/16
Abstract: 本文公开的实施方式包括使用干法沉积和氧化处理工艺沉积正色调光刻胶的方法。在一实例中，用于在真空腔室中的基板上形成光刻胶层的方法包括将金属前驱物蒸气提供至真空腔室中。方法进一步包括将氧化剂蒸气提供至真空腔室中，其中金属前驱物蒸气与氧化剂蒸气之间的反应导致在基板的表面上形成正色调光刻胶层。此正色调光刻胶层为含金属‑氧的材料。此方法进一步包括在含氧环境中进行含金属‑氧的材料的后退火工艺。
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公开(公告)号：CN112740397A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980060595.0
申请日：2019-09-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马克·沙丽 , 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 杰弗里·W·安西斯 , 佐藤达也
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 沉积膜的方法包括在基板表面的特征中以自下而上方式沉积含铝间隙填充膜。基板可连续暴露于含铝前驱物、反应物、氟化剂和蚀刻剂任意次数，以促进特征中膜的自下而上生长。
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公开(公告)号：CN119522404A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380053072.X
申请日：2023-06-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 韩振兴 , 路易莎·博萨诺 , 马杜尔·萨尚
IPC: G03F7/004 , H01L21/308 , G03F7/40 , G03F7/16
Abstract: 本文公开的实施例包括一种图案化金属氧光刻胶的方法。在一实施例中，该方法包含在基板上沉积金属氧光刻胶，用第一处理处理该金属氧光刻胶，用EUV暴露暴露该金属氧光刻胶以形成暴露区域和未暴露区域，用第二处理处理该暴露的金属氧光刻胶，并且将该金属氧光刻胶显影。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110892507B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201880046778.2
申请日：2018-07-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·沙丽 , 托马斯·奈斯利 , 本杰明·施密格 , 大卫·汤普森
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 兹描述用于经由原子层沉积工艺来沉积含钇膜的方法。本公开内容的某些实施方式利用等离子体增强的原子层沉积工艺。亦描述用于执行含钇膜的原子层沉积的设备。
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公开(公告)号：CN115777086A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202180046725.2
申请日：2021-06-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·约瑟夫·萨利 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 马杜尔·萨尚 , 瑞加娜·弗雷德
IPC: G03F7/36
Abstract: 本文披露的实施方式包括显影金属氧代光刻胶的方法。在一实施方式中，所述方法包括将具有金属氧代光刻胶的基板提供到真空腔室中，其中所述金属氧代光刻胶包括多个暴露区域和多个未暴露区域。在一实施方式中，所述未暴露区域包括比所述暴露区域更高的碳浓度。所述方法可进一步包括将卤化剂汽化至所述真空腔室中，其中所述卤化剂与所述未暴露区域抑或所述暴露区域反应，以产生挥发性副产物。在一实施方式中，所述方法可进一步包括净化所述真空腔室。
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公开(公告)号：CN113957414A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110824339.3
申请日：2021-07-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·约瑟夫·萨利 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 托马斯·约瑟夫·奈斯利 , 凯尔文·陈 , 瑞加娜·杰曼尼·弗雷德 , 戴维·迈克尔·汤普森 , 苏米特·辛格·罗伊 , 马杜尔·萨尚
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50 , B05D1/00 , H01L21/027
Abstract: 本文公开的实施方式包括使用干法沉积工艺沉积金属氧光刻胶的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：用包括第一金属前驱物蒸气和第一氧化剂蒸气的第一气相工艺在所述基板上形成第一金属氧膜；和用包括第二金属前驱物蒸气和第二氧化剂蒸气的第二气相工艺在所述第一金属氧膜之上形成第二金属氧膜。
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公开(公告)号：CN112789706A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980064571.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 兹描述通过将基板表面暴露于卤化物前驱物和铝反应物来沉积金属碳化物膜的方法。卤化物前驱物包含通式(I)MXyRn的化合物，其中M为金属，X为选自Cl、Br、F或I的卤素，y为从1至6，R选自烷基、CO及环戊二烯基，且n为从0至6。铝反应物包含通式(II)Al(CH2AR1R2R3)3的化合物，其中A为C、Si或Ge，各R1、R2及R3独立地为烷基或实质上不包含β‑氢。
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公开(公告)号：CN112740397B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN201980060595.0
申请日：2019-09-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马克·沙丽 , 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 杰弗里·W·安西斯 , 佐藤达也
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 沉积膜的方法包括在基板表面的特征中以自下而上方式沉积含铝间隙填充膜。基板可连续暴露于含铝前驱物、反应物、氟化剂和蚀刻剂任意次数，以促进特征中膜的自下而上生长。
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