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公开(公告)号：CN114981954A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009151.1
申请日：2021-05-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285
Abstract: 描述一种微电子装置，该微电子装置包括形成在基板上的介电层、包括被限定在介电层中的间隙的特征、在介电层上的阻挡层、在阻挡层上的双金属衬里膜，和在双金属衬里上的间隙填充金属。多个实施方式提供一种形成包括在阻挡层上的双金属衬里膜的微电子装置的方法。
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