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公开(公告)号：CN119522482A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380055685.7
申请日：2023-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 一种在基板上形成结构的方法包括在至少一个特征内形成钨成核层。方法包括通过循环气相沉积制程形成成核层。循环气相沉积制程包括形成成核层的一部分，然后将成核层暴露至化学气相传输（CVT）制程，以从成核层的一部分中去除杂质。CVT制程可以在400摄氏度或更低的温度下执行，并且包括由处理气体形成等离子体，处理气体包含大于或等于氢气和氧的总流量的90%的氢气。
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公开(公告)号：CN114946009A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180008925.9
申请日：2021-04-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文提供了用于在处理腔室中使用的处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于处理腔室的处理配件包括：腔室衬垫，腔室衬垫具有管状主体，管状主体具有上部和下部；限制板，限制板耦接至腔室衬垫的下部并从腔室衬垫径向向内延伸，其中限制板包括多个狭槽；屏蔽环，屏蔽环设置在腔室衬垫内并可在腔室衬垫的上部和腔室衬垫的下部之间移动；和多个接地带，多个接地带在多个接地带中的每个接地带的第一端处耦接至屏蔽环，并在每个接地带的第二端处耦接至限制板，以在屏蔽环移动时保持屏蔽环与腔室衬垫之间的电连接。
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公开(公告)号：CN114930519A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008890.9
申请日：2021-04-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 用于处理基板的方法和装置包括清洁和自组装单层(SAM)形成，用于后续的反向选择性原子层沉积。装置可包括：工艺腔室，具有处理空间和包括基座的基板支撑件；远程等离子体源，流体地耦合至工艺腔室，且配置成产生自由基或具有自由基的离子化气体混合物，所述自由基或离子化气体混合物流动到处理空间中以从基板的表面移除残留物或氧化物；第一气体输送系统，具有第一安瓿，所述第一安瓿配置成提供至少一种第一化学物质至处理空间中，以在基板的表面上产生SAM；加热系统，定位于基座中，且配置成通过在基板的背侧上的流动气体加热基板；和真空系统，流体地耦合至工艺腔室，且配置成控制基板的加热。
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公开(公告)号：CN119173997A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202280096022.5
申请日：2022-07-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴立其 , 刘风全 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 詹姆斯·H·康诺利 , 亓智敏 , 张洁 , 窦伟 , 张爱西 , 马克·萨利 , 吕疆 , 汪荣军 , 戴维·汤普森 , 唐先敏
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L21/285
Abstract: 本公开的实施例涉及用于从特征的顶表面及侧壁选择性移除金属材料的方法。借由流动性聚合物材料覆盖的金属材料保持不受影响。在一些实施例中，金属材料借由物理气相沉积形成，从而导致相对薄的侧壁厚度。在从顶表面移除金属材料之后余留在侧壁上的任何金属材料可借由额外蚀刻工艺蚀刻。在特征底部处的所得金属层促进特征的选择性金属间隙填充。
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公开(公告)号：CN119072768A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202380034539.6
申请日：2023-03-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 许智勋 , 岳诗雨 , 雷蔚 , 徐翼 , 吕疆 , 雷雨 , 熊子逸 , 杨宗翰 , 亓智敏 , 张爱西 , 张洁 , 吴立其 , 汪荣军 , 陈世忠 , 吴孟珊 , 王俊杰 , 安娜马莱·雷克什马南 , 杨逸雄 , 唐先敏
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法及设备。该方法包括在基板的暴露表面上形成金属种晶层，其中基板具有在基板的顶表面中形成的沟槽或通孔形式的特征，所述特征具有侧壁及在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化工艺以氧化金属种晶层的暴露部分，从而形成金属氧化物，其中梯度氧化工艺优先氧化基板的场区域而非特征底表面。回蚀工艺去除或减少种晶层的氧化部分。金属间隙填充工艺用间隙填充材料填充或部分填充特征。
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公开(公告)号：CN114981954A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009151.1
申请日：2021-05-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285
Abstract: 描述一种微电子装置，该微电子装置包括形成在基板上的介电层、包括被限定在介电层中的间隙的特征、在介电层上的阻挡层、在阻挡层上的双金属衬里膜，和在双金属衬里上的间隙填充金属。多个实施方式提供一种形成包括在阻挡层上的双金属衬里膜的微电子装置的方法。
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公开(公告)号：CN114930521A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008927.8
申请日：2021-09-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/67
Abstract: 本文提供了用于填充基板上的特征的方法及设备。在一些实施例中，一种填充基板上的特征的方法包括：在第一温度下经由化学气相沉积(CVD)工艺在第一处理腔室中在基板上及设置在基板中的特征内沉积第一金属材料；在第二温度及第一偏置功率下在第二处理腔室中在第一金属材料上沉积第二金属材料以形成第二金属材料的种晶层；在大于第一偏置功率的第二偏置功率下在第二处理腔室中蚀刻种晶层以在特征内形成包含第一金属材料及第二金属材料的互相混合层；以及将基板加热至高于第二温度的第三温度，从而导致第二金属材料的回流。
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公开(公告)号：CN119855937A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380064517.4
申请日：2023-09-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 徐翼 , 赵咸元 , 亓智敏 , 张爱西 , 杰拉尔丁·瓦斯奎兹 , 吴典晔 , 雷蔚 , 高兴尧 , 谢里什·派斯 , 侯文婷 , 杜超 , 杨宗翰 , 夫敬皓 , 林政汉 , 贾勒帕里·拉维 , 雷雨 , 汪荣军 , 唐先敏
Abstract: 提供了一种用于在半导体元件中形成钨特征的方法及设备。方法包括将在基板中形成的特征的顶部开口暴露于物理气相沉积(PVD)工艺以在特征内沉积钨衬垫层。PVD工艺在第一处理腔室的第一处理区域中执行并且钨衬垫层形成部分阻碍特征的顶部开口的悬垂部分。将基板从第一处理腔室的第一处理区域传送到第二处理腔室的第二处理区域而不破坏真空。将悬垂部分暴露于第二处理区域中的含氮自由基以抑制钨沿着悬垂部分的后续生长。将特征暴露于含钨前驱物气体以在特征内的钨衬垫层上方形成钨填充层。
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