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公开(公告)号：CN106663602B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201580037984.3
申请日：2015-07-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 维纳亚克·维什瓦纳特·哈桑 , 马耶德·A·福阿德 , 卡拉·比斯利 , 拉尔夫·霍夫曼
IPC: H01L21/027
Abstract: 极紫外(EUV)掩模基底制造系统包括：用于建立真空的基板操作真空腔室；位于真空中的基板操作平台，以用于搬运装载于该基板操作真空腔室中的超低膨胀基板；及可让该基板操作平台进出且用于形成EUV掩模基底的多个子腔室，该多个腔室包括：第一子腔室，该第一子腔室在超低膨胀基板上形成多层堆叠，以用于反射极紫外(EUV)光；及第二子腔室，该第二子腔室用于在该多层堆叠上形成双层式吸收剂，该双层式吸收剂用于吸收波长13.5纳米的EUV光以提供小于1.9％的反射率。
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公开(公告)号：CN106489188A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580036859.0
申请日：2015-07-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 维纳亚克·维什瓦纳特·哈桑 , 马耶德·A·福阿德 , 卡拉·比斯利 , 拉尔夫·霍夫曼
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种极紫外(EUV)掩模底板生产系统包括：基板操控真空腔室，该基板操控真空腔室用以产生真空；基板操控平台，该基板操控平台位在该真空中，该基板操控平台用以传送被装载在该基板操控真空腔室中的超低膨胀基板；及多个子腔室，该多个子腔室可由该基板操控平台进出，该多个子腔室用以形成EUV掩模底板，该EUV掩模底板包括：多层堆叠，该多层堆叠形成在该超低膨胀基板上方，该多层堆叠用以反射极紫外(EUV)光；及吸收剂层，该吸收剂层形成在该多层堆叠上方，该吸收剂层用以吸收在13.5nm的波长的该EUV光，该吸收剂层具有小于80nm的厚度与小于2％的反射率。
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公开(公告)号：CN112759278A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011604055.5
申请日：2014-12-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C03C17/30 , C03C10/00 , C03C17/22 , C03C17/245 , C23C16/34 , C23C16/40 , G03F1/22 , G03F7/20 , H01L21/033
Abstract: 一种极紫外线掩模及制造该极紫外线掩模的方法，包括：提供玻璃陶瓷块体；从该玻璃陶瓷块体形成玻璃陶瓷基板；及沉积平坦层于该玻璃陶瓷基板上。
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公开(公告)号：CN105144343B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201480013365.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/203
CPC classification number: G03F1/22 , C23C14/50 , C23C16/4583 , G03F7/16 , H01J37/32715 , H01J37/32899 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3447
Abstract: 一种处理系统，该处理系统包括：真空腔室；多个处理系统，这些多个处理系统附接于真空腔室的周围；以及晶片传送系统，该晶片传送系统位于该真空腔室中，用于在多个处理系统之间移动晶片，而不从真空中离开。一种用于制造极紫外线坯料的物理气相沉积系统，该系统包含：靶材，该靶材包含钼、钼合金或上述两者的组合。
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公开(公告)号：CN105027258A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480011357.8
申请日：2014-03-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 一种整合的极紫外(EUV)坯料生产系统，包括：用于将基板放置在真空中的真空腔室；用于沉积平坦化层于该基板之上的第一沉积系统，该平坦化层具有平坦化的顶表面；以及用于在不需将该基板从真空移出的情况下来沉积多层堆叠物于该平坦化层上的第二沉积系统。该EUV坯料是在EUV光刻系统中的，该EUV光刻系统包括：极紫外光源；用于引导来自该EUV源的光的镜；用于放置具有平坦化层的EUV掩模坯料的中间掩模台；以及用于放置晶片的晶片台。该EUV坯料包括：基板；平坦化层，该平坦化层用以弥补与该基板的表面相关的缺陷，该平坦化层具有平的顶表面；以及在该平坦化层上的多层堆叠物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106471604A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580036809.2
申请日：2015-07-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 维纳亚克·维什瓦纳特·哈桑 , 拉尔夫·霍夫曼 , 卡拉·比斯利 , 马耶德·A·福阿德
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种远紫外反射元件及其制造方法包括：基板；位于所述基板上的多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，所述多个反射层对具有由硅所形成的第一反射层和由钼所形成的第二反射层；形成在所述第一反射层与所述第二反射层之间的阻挡层，且所述阻挡层是由硼、碳、氮、氧、氟、硫、磷或上述材料的组合物所形成；和位于所述多层堆叠上并覆盖所述多层堆叠的覆盖层，所述覆盖层通过降低氧化作用和降低机械性磨蚀来保护所述多层堆叠。
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公开(公告)号：CN106663601B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201580036643.4
申请日：2015-07-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡拉·比斯利 , 拉尔夫·霍夫曼 , 马耶德·A·福阿德 , 鲁迪·贝克斯特罗姆三世
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种制造极紫外线反射构件的方法，其包括：提供基板；在所述基板上形成多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，这些反射层对具有第一反射层与第二反射层以形成布拉格反射器；以及在所述多层堆叠上形成覆盖所述多层堆叠的覆盖层，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者钌铌形成，并且所述覆盖层通过减少氧化与机械侵蚀来保护所述多层堆叠。
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公开(公告)号：CN105027257B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201480010996.2
申请日：2014-03-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏梅德拉·N·巴曼 , 卡拉·比斯利 , 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 拉尔夫·霍夫曼 , 妮琴·K·英吉
IPC: H01L21/027 , H01L21/20
CPC classification number: G03F1/24 , G03F7/164 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 一种极紫外线镜或坯料生产系统包括：第一沉积系统，用于在半导体基板之上沉积平坦化层；第二沉积系统，用于在该平坦化层之上沉积超平滑层，该超平滑层具有经重组的分子；以及第三沉积系统，用于在该超平滑层之上沉积多层堆叠物。该极紫外线坯料包括：基板；该基板之上的平坦化层；该平坦化层之上的超平滑层，该超平滑层具有经重组的分子；多层堆叠物；以及该多层堆叠物之上的覆盖层。一种极紫外线光刻系统包括：极紫外线光源；镜，用于导引来自该极紫外线光源的光；中间掩模台，用于置放带有平坦化层和在该平坦化层之上的超平滑层的极紫外线掩模坯料；以及晶片台，用于置放晶片。
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公开(公告)号：CN106663602A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580037984.3
申请日：2015-07-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 维纳亚克·维什瓦纳特·哈桑 , 马耶德·A·福阿德 , 卡拉·比斯利 , 拉尔夫·霍夫曼
IPC: H01L21/027
Abstract: 极紫外(EUV)掩模基底制造系统包括：用于建立真空的基板操作真空腔室；位于真空中的基板操作平台，以用于搬运装载于该基板操作真空腔室中的超低膨胀基板；及可让该基板操作平台进出且用于形成EUV掩模基底的多个子腔室，该多个腔室包括：第一子腔室，该第一子腔室在超低膨胀基板上形成多层堆叠，以用于反射极紫外(EUV)光；及第二子腔室，该第二子腔室用于在该多层堆叠上形成双层式吸收剂，该双层式吸收剂用于吸收波长13.5纳米的EUV光以提供小于1.9％的反射率。
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公开(公告)号：CN106663601A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580036643.4
申请日：2015-07-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡拉·比斯利 , 拉尔夫·霍夫曼 , 马耶德·A·福阿德 , 鲁迪·贝克斯特罗姆三世
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种制造极紫外线反射构件的方法，其包括：提供基板；在所述基板上形成多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，这些反射层对具有第一反射层与第二反射层以形成布拉格反射器；以及在所述多层堆叠上形成覆盖所述多层堆叠的覆盖层，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者钌铌形成，并且所述覆盖层通过减少氧化与机械侵蚀来保护所述多层堆叠。
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