-
公开(公告)号：CN113373429A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110253002.1
申请日：2021-03-08
Inventor： 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 马克·沙丽 , 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 尤金·于金·空 , 齐波
IPC: C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 披露了形成碳聚合物膜的方法。一些方法有利地在较低温度下执行。将基板暴露于第一碳前驱物以基于第一碳前驱物的反应性官能团形成具有封端的基板表面，以及暴露于第二碳前驱物以与表面封端反应并形成碳聚合物膜。还披露了执行工艺的处理工具和非暂时性存储器。
-
公开(公告)号：CN104995333A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008492.7
申请日：2014-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布赖恩·萨克斯顿·安德伍德 , 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 妮琴·英吉 , 罗曼·古科 , 史蒂文·韦尔韦贝克
Abstract: 提供了用于形成图案化的磁性基板的方法和装置。将图案化的抗蚀部形成于基板的磁致激活表面上。通过可流动式CVD工艺将氧化物层形成在所述图案化的抗蚀部之上。蚀刻所述氧化物层，以使所述图案化的抗蚀部的部分暴露出来。随后，使用经蚀刻的氧化物层作为掩模来对所述图案化的抗蚀部进行蚀刻，以使所述磁致激活表面的部分暴露出来。随后，通过引导能量穿过经蚀刻的抗蚀层和经蚀刻的氧化物层，对所述磁致激活表面的暴露部分的磁特性进行改性，然后，将所述经蚀刻的抗蚀层和所述经蚀刻的氧化物层从所述基板去除。
-
公开(公告)号：CN101418438B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200810171160.7
申请日：2008-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 叶怡利
IPC: C23C16/42 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/318 , H01L21/316 , H01L21/3105
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供了一种在基板上沉积含硅和氮的膜的方法。所述方法包括将含硅前体引入到包含基板的沉积室中，其中含硅前体包括至少两个硅原子。所述方法还包括通过远程等离子体系统产生至少一种自由基氮前体，所述远程等离子体系统设置在沉积室外部。而且，所述方法包括将自由基氮前体引入到沉积室中，在所述沉积室中自由基氮和含硅前体反应且在基板上沉积含硅和氮的膜。而且，所述方法包括在蒸汽气氛中退火含硅和氮的膜以形成氧化硅膜，其中蒸汽气氛包括水和酸性蒸汽。
-
公开(公告)号：CN114901858A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202180003449.1
申请日：2021-10-20
Inventor： 维克内什·萨穆加纳坦 , 陈仲欣 , 谷继腾 , 埃斯瓦拉南德·文卡塔苏布拉曼尼亚 , 罗建平 , 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 约翰·苏迪约诺
IPC: C23C16/27 , C23C16/515
Abstract: 描述了沉积金刚石层的方法，该方法可用于集成电路的制造。方法包括处理基板，其中纳米晶金刚石沉积在基板上，其中处理方法产生具有高硬度的纳米晶金刚石硬掩模。
-
公开(公告)号：CN101802984B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200880107123.8
申请日：2008-10-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/31 , C09D183/14 , C09D183/05
CPC classification number: H01L21/31612 , C23C16/045 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02274 , H01L21/02337 , H01L21/3122 , H01L21/31633
Abstract: 一种在基板上沉积氧化硅层的方法，包括提供基板至沉积室。第一含硅前驱物、第二含硅前驱物与氨气(NH3)等离子体反应以形成氧化硅层。第一含硅前驱物包括Si-H和Si-Si键的至少其中之一。第二含硅前驱物包括至少一Si-N键。沉积的氧化硅层经过退火处理。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105027257B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201480010996.2
申请日：2014-03-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏梅德拉·N·巴曼 , 卡拉·比斯利 , 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 拉尔夫·霍夫曼 , 妮琴·K·英吉
IPC: H01L21/027 , H01L21/20
CPC classification number: G03F1/24 , G03F7/164 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 一种极紫外线镜或坯料生产系统包括：第一沉积系统，用于在半导体基板之上沉积平坦化层；第二沉积系统，用于在该平坦化层之上沉积超平滑层，该超平滑层具有经重组的分子；以及第三沉积系统，用于在该超平滑层之上沉积多层堆叠物。该极紫外线坯料包括：基板；该基板之上的平坦化层；该平坦化层之上的超平滑层，该超平滑层具有经重组的分子；多层堆叠物；以及该多层堆叠物之上的覆盖层。一种极紫外线光刻系统包括：极紫外线光源；镜，用于导引来自该极紫外线光源的光；中间掩模台，用于置放带有平坦化层和在该平坦化层之上的超平滑层的极紫外线掩模坯料；以及晶片台，用于置放晶片。
-
公开(公告)号：CN105027257A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480010996.2
申请日：2014-03-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏梅德拉·N·巴曼 , 卡拉·比斯利 , 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 拉尔夫·霍夫曼 , 妮琴·K·英吉
IPC: H01L21/027 , H01L21/20
CPC classification number: G03F1/24 , G03F7/164 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 一种极紫外线镜或坯料生产系统包括：第一沉积系统，用于在半导体基板之上沉积平坦化层；第二沉积系统，用于在该平坦化层之上沉积超平滑层，该超平滑层具有经重组的分子；以及第三沉积系统，用于在该超平滑层之上沉积多层堆叠物。该极紫外线坯料包括：基板；该基板之上的平坦化层；该平坦化层之上的超平滑层，该超平滑层具有经重组的分子；多层堆叠物；以及该多层堆叠物之上的覆盖层。一种极紫外线光刻系统包括：极紫外线光源；镜，用于导引来自该极紫外线光源的光；中间掩模台，用于置放带有平坦化层和在该平坦化层之上的超平滑层的极紫外线掩模坯料；以及晶片台，用于置放晶片。
-
公开(公告)号：CN114901858B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202180003449.1
申请日：2021-10-20
Inventor： 维克内什·萨穆加纳坦 , 陈仲欣 , 谷继腾 , 埃斯瓦拉南德·文卡塔苏布拉曼尼亚 , 罗建平 , 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 约翰·苏迪约诺
IPC: C23C16/27 , C23C16/515
Abstract: 描述了沉积金刚石层的方法，该方法可用于集成电路的制造。方法包括处理基板，其中纳米晶金刚石沉积在基板上，其中处理方法产生具有高硬度的纳米晶金刚石硬掩模。
-
公开(公告)号：CN108475640B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201780006952.6
申请日：2017-01-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 托马斯·琼万·权 , 程睿 , 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 平尔萱 , 安在洙
IPC: H01L21/3213 , H10B43/27 , H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/308 , H01L21/311
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。
-
公开(公告)号：CN114503241A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202180002988.3
申请日：2021-08-16
Inventor： 维克内什·萨穆加纳坦 , 顾继腾 , E·文卡塔苏布拉曼尼亚 , 罗建平 , 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 约翰·苏迪约诺 , 陈中兴
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L27/11556 , C23C16/27
Abstract: 描述制造集成电路的方法。纳米结晶金刚石代替非晶碳被用作硬模。提供处理基板的方法，其中纳米结晶金刚石被用作硬模，其中处理方法产生光滑表面。所述方法涉及两个处理部分。两个单独的纳米结晶金刚石配方组合，即，第一配方和第二配方循环以达成具有高硬度、高模量和光滑表面的纳米结晶金刚石硬模。在其他多个实施方式中，在所述第一配方之后是惰性气体等离子体平滑工艺并且随后所述第一配方被循环以达成高硬度、高模量和光滑的表面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.016 seconds)
