公开(公告)号：CN102844854A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201080055563.0

申请日：2010-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 叶立耀 ,  T·A·M·恩古耶 ,  D·R·杜鲍斯 ,  S·巴录佳 ,  T·诺瓦克 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  周建华

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明的实施例大致关于半导体处理腔室，且更明确地，关于半导体处理腔室的加热支撑基座。在一个实施例中，提供半导体处理腔室的基座。基座包括：基板支撑件，基板支撑件包括导电材料并具有接收基板的支撑表面；电阻式加热器，密封于基板支撑件中；中空轴，在第一端耦接至基板支撑件并在相反端耦接至相配接口，中空轴包括具有中空核心的轴主体；及冷却通道组件，环绕中空核心并配置于轴主体中，以通过内部冷却路径从基座移除热量，其中基板支撑件具有位于加热元件与环形冷却通道之间的热控制间隙。

公开(公告)号：CN102844854B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201080055563.0

申请日：2010-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 叶立耀 ,  T·A·M·恩古耶 ,  D·R·杜鲍斯 ,  S·巴录佳 ,  T·诺瓦克 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  周建华

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明的实施例大致关于半导体处理腔室，且更明确地，关于半导体处理腔室的加热支撑基座。在一个实施例中，提供半导体处理腔室的基座。基座包括：基板支撑件，基板支撑件包括导电材料并具有接收基板的支撑表面；电阻式加热器，密封于基板支撑件中；中空轴，在第一端耦接至基板支撑件并在相反端耦接至相配接口，中空轴包括具有中空核心的轴主体；及冷却通道组件，环绕中空核心并配置于轴主体中，以通过内部冷却路径从基座移除热量，其中基板支撑件具有位于加热元件与环形冷却通道之间的热控制间隙。