-
公开(公告)号：CN110211859B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910514110.2
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , C23C16/509 , C23C16/458
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
-
公开(公告)号：CN102844854A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201080055563.0
申请日：2010-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/68792
Abstract: 本发明的实施例大致关于半导体处理腔室，且更明确地，关于半导体处理腔室的加热支撑基座。在一个实施例中，提供半导体处理腔室的基座。基座包括：基板支撑件，基板支撑件包括导电材料并具有接收基板的支撑表面；电阻式加热器，密封于基板支撑件中；中空轴，在第一端耦接至基板支撑件并在相反端耦接至相配接口，中空轴包括具有中空核心的轴主体；及冷却通道组件，环绕中空核心并配置于轴主体中，以通过内部冷却路径从基座移除热量，其中基板支撑件具有位于加热元件与环形冷却通道之间的热控制间隙。
-
公开(公告)号：CN107548515B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201680023407.3
申请日：2016-03-16
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。
-
公开(公告)号：CN102844854B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201080055563.0
申请日：2010-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/68792
Abstract: 本发明的实施例大致关于半导体处理腔室，且更明确地，关于半导体处理腔室的加热支撑基座。在一个实施例中，提供半导体处理腔室的基座。基座包括：基板支撑件，基板支撑件包括导电材料并具有接收基板的支撑表面；电阻式加热器，密封于基板支撑件中；中空轴，在第一端耦接至基板支撑件并在相反端耦接至相配接口，中空轴包括具有中空核心的轴主体；及冷却通道组件，环绕中空核心并配置于轴主体中，以通过内部冷却路径从基座移除热量，其中基板支撑件具有位于加热元件与环形冷却通道之间的热控制间隙。
-
公开(公告)号：CN110326095A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880013181.8
申请日：2018-01-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所说明的实施例大体涉及用于在基板上沉积材料的设备与方法。在一个实现中，用于处理基板的处理腔室包含腔室主体与基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体中并且适于支撑基板。所述处理腔室包含定位在所述基板支撑件上方的多个气体入口，以在所述基板支撑件上方引导处理气体。可移动式扩散器通过枢转架座被可枢转地安装为与所述基板支撑件相邻。所述可移动式扩散器包含沉积头，所述沉积头具有多个入口开口与多个排气开口，所述多个入口开口用于将处理气体导向所述基板支撑件，所述多个排气开口用于对所述可移动式扩散器设置在所述基板支撑件上方的处理气体提供排气。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106133873B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580013445.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
-
公开(公告)号：CN102498558A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080035135.1
申请日：2010-07-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·R·杜鲍斯 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , S·巴录佳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , L·亚普 , J·周 , T·诺瓦克
IPC: H01L21/683 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L21/68728 , H01L21/6875
Abstract: 本发明提供加热腔室中的基板的方法与设备。一实施例中，该设备包括基板支撑组件，该基板支撑组件具有适以接收基板的支撑表面；及多个向心件，多个向心件用以在平行于支撑表面且相隔一距离处支撑该基板，并相对于实质垂直于支撑表面的参照轴让基板朝向中心。多个向心件沿着支撑表面周边而被可移动地放置，且多个向心件各自包括第一末端部分，该第一末端部分用以接触或支撑该基板的周围边缘。
-
公开(公告)号：CN110211859A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910514110.2
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , C23C16/509 , C23C16/458
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
-
公开(公告)号：CN108292600A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680052365.6
申请日：2016-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·巴苏 , J·李 , P·康纳斯 , D·R·杜鲍斯 , P·K·库尔施拉希萨 , K·T·纳拉辛哈 , B·贝伦斯 , K·高希 , 周建华 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·D·李 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , H·小木曾 , L·克里武莉娜 , R·吉尔伯特 , M·瓦卡尔 , V·山卡拉姆茜 , H·K·波内坎蒂
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/6708 , H01L21/67201 , H01L21/68785
Abstract: 本文公开的实现描述一种在装载锁定斜面蚀刻腔室内的斜面蚀刻设备及其使用方法。所述斜面蚀刻设备具有在装载锁定斜面蚀刻腔室内的掩模组件。在蚀刻处理期间，掩模组件传输气体流，以控制斜面蚀刻，而无需使用阴影框。如此，在所述斜面边缘处的所述边缘排除可被减少，由此提高产品的良率。
-
公开(公告)号：CN107548515A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201680023407.3
申请日：2016-03-16
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.017 seconds)
