公开(公告)号：CN108140555B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201680060858.4

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 拉克马尔·卡鲁塔格 ,  马克·沙丽 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

Abstract: 提供了沉积包含SiO或SiN的可流动薄膜的方法。某些方法包含：将基板表面暴露于硅氧烷或硅氮烷前驱物；将基板表面暴露于等离子体活化的共反应物以提供SiON中间薄膜；紫外线固化SiON中间薄膜以提供固化的中间薄膜；和退火固化的中间薄膜以提供包含SiO或SiN的薄膜。

公开(公告)号：CN116670320A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180086388.X

申请日：2021-11-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 劳伦·巴格比 ,  斯蒂芬·维克斯 ,  艾伦·丹格菲尔德 ,  拉克马尔·卡鲁塔格 ,  杰弗里·安西斯 ,  马克·沙丽 ,  瑞加娜·弗雷德 ,  韦恩·弗兰奇 ,  凯尔文·陈

IPC: C23C14/12

Abstract: 实施方式包括将金属氧基光刻胶形成于基板上的方法。在实施方式中，所述方法包含以下步骤：在真空腔室中提供靶材，其中靶材包含金属。所述方法可继续以下步骤：将烃类气体和惰性气体流入真空腔室，和在真空腔室中触发等离子体。在实施方式中，所述方法可进一步继续以下步骤：将金属氧基光刻胶沉积于基板上，其中金属氧基光刻胶包含金属‑碳键结和金属‑氧键结。

公开(公告)号：CN108140555A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680060858.4

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 拉克马尔·卡鲁塔格 ,  马克·沙丽 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348

Abstract: 提供了沉积包含SiO或SiN的可流动薄膜的方法。某些方法包含：将基板表面暴露于硅氧烷或硅氮烷前驱物；将基板表面暴露于等离子体活化的共反应物以提供SiON中间薄膜；紫外线固化SiON中间薄膜以提供固化的中间薄膜；和退火固化的中间薄膜以提供包含SiO或SiN的薄膜。