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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115777086A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202180046725.2
申请日：2021-06-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·约瑟夫·萨利 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 马杜尔·萨尚 , 瑞加娜·弗雷德
IPC: G03F7/36
Abstract: 本文披露的实施方式包括显影金属氧代光刻胶的方法。在一实施方式中，所述方法包括将具有金属氧代光刻胶的基板提供到真空腔室中，其中所述金属氧代光刻胶包括多个暴露区域和多个未暴露区域。在一实施方式中，所述未暴露区域包括比所述暴露区域更高的碳浓度。所述方法可进一步包括将卤化剂汽化至所述真空腔室中，其中所述卤化剂与所述未暴露区域抑或所述暴露区域反应，以产生挥发性副产物。在一实施方式中，所述方法可进一步包括净化所述真空腔室。
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公开(公告)号：CN117111418A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310943316.3
申请日：2021-06-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·约瑟夫·萨利 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 马杜尔·萨尚 , 瑞加娜·弗雷德
IPC: G03F7/36
Abstract: 本文披露的实施方式包括显影金属氧代光刻胶的方法。在一实施方式中，所述方法包括将具有金属氧代光刻胶的基板提供到真空腔室中，其中所述金属氧代光刻胶包括多个暴露区域和多个未暴露区域。在一实施方式中，所述未暴露区域包括比所述暴露区域更高的碳浓度。所述方法可进一步包括将卤化剂汽化至所述真空腔室中，其中所述卤化剂与所述未暴露区域抑或所述暴露区域反应，以产生挥发性副产物。在一实施方式中，所述方法可进一步包括净化所述真空腔室。
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公开(公告)号：CN115836250A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202180046735.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 艾伦·丹格菲尔德 , 马克·约瑟夫·萨利 , 戴维·迈克尔·汤普森 , 苏斯米特·辛哈·罗伊 , 瑞加娜·弗雷德
IPC: G03F7/16
Abstract: 本文所披露的实施方式包括使用干式沉积工艺沉积金属氧光刻胶的方法。在实施方式中，在真空腔室中于基板上方形成光刻胶层的方法包含将金属前驱物蒸气提供至真空腔室中。在实施方式中，方法进一步包含将氧化剂蒸气提供至真空腔室中，其中金属前驱物蒸气与氧化剂蒸气之间的反应导致在基板的表面上形成光刻胶层。在实施方式中，光刻胶层为含金属氧的材料。
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公开(公告)号：CN109979819A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811567125.7
申请日：2018-12-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿米丽塔·B·莫里克 , 伊斯梅尔·埃姆什 , 乌迪·米特拉 , 罗伊·沙威 , 瑞加娜·弗雷德
IPC: H01L21/3213 , C23F1/14
Abstract: 公开了蚀刻钨的方法，所述方法包括：校平特征内和基板的顶表面顶上的钨层的第一顶表面；以及利用过氧化物(诸如过氧化氢)和强酸或强碱中的一种来蚀刻钨层以从基板顶上移除钨层的第一部分，用于在基板的顶表面下方的水平处形成钨层的第二顶表面。所述方法适合用于在基板的顶表面下方的水平处或在一或多个特征(诸如通孔或沟槽)内形成钨层的实质上水平或平坦的顶表面。
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