-
公开(公告)号：CN115461837A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180030309.3
申请日：2021-09-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 萨马莎·苏布拉曼亚 , 德米特里·卢博米尔斯基 , 穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 , 朱拉拉 , 马丁·Y·乔伊 , 松·T·阮 , 普拉纳夫·戈帕尔
IPC: H01J37/32
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室可包括基座，该基座被配置为支撑半导体基板，其中喷头及基座至少部分地限定半导体腔室内的处理区域。该腔室可包括间隔件，该间隔件的特征为与该喷头接触的第一表面及与该第一表面相对的第二表面。该腔室可包括泵送衬垫，该泵送衬垫的特征为与间隔件接触的第一表面及与该第一表面相对的第二表面。泵送衬垫可以在泵送衬垫的第一表面内限定多个孔隙。
Search Results
1
records
(took 0.022 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
