公开(公告)号：CN116998235A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280022008.0

申请日：2022-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜声官 ,  弗雷德里克·费什伯恩 ,  阿卜杜尔·沃布·穆罕默德 ,  李吉镛

IPC: H10B12/00

Abstract: 描述存储器装置及形成存储器装置的方法。描述形成电子装置的方法，其中间隔件围绕位线接触柱的每一者而形成，间隔件与相邻位线接触柱的间隔件接触。掺杂层接着外延地生长在存储器堆叠结构上且位线形成在存储器堆叠结构上。位线与主动区自对准。

公开(公告)号：CN117616891A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048326.4

申请日：2022-07-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约翰·拜伦·托尔 ,  知彦北島 ,  托马斯·约翰·基申海特尔 ,  帕特里夏·M·刘 ,  朱作明 ,  乔·马盖蒂斯 ,  弗雷德里克·大卫·费什伯恩 ,  阿卜杜尔·沃布·穆罕默德 ,  李吉镛

IPC: H10B12/00

Abstract: 本文提供了三维动态随机存取存储器(3D DRAM)结构及其形成方法。在一些实施方式中，3D DRAM堆叠可以包括交替的硅(Si)层及锗硅(SiGe)层。Si层的每一者可具有比SiGe层的每一者的高度更大的高度。进一步提供了用于形成此种结构的方法及系统。

公开(公告)号：CN107078054A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580052467.3

申请日：2015-10-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 兰加·拉奥·阿内帕利 ,  罗伯特·简·维瑟 ,  拉杰夫·巴贾 ,  达尔尚·撒卡尔 ,  普莉娜·古拉迪雅 ,  乌代·马哈詹 ,  阿卜杜尔·沃布·穆罕默德

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  C01B33/149 ,  C01F17/0043 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/84 ,  C01P2004/88 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1445 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 一种用于化学机械平坦化的浆料，该浆料包含表面活性剂及平均直径介于20nm至30nm之间且具有氧化铈外表面的研磨粒子。这些研磨粒子是使用水热合成工艺所形成。这些研磨粒子占该浆料的0.1重量％至3重量％。