使用增材制造工艺所形成的抛光垫及其相关方法

    公开(公告)号:CN112384330A

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN201980044800.4

    申请日:2019-03-29

    Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及抛光垫和制造抛光垫的方法,其可以被使用于半导体装置制造中的化学机械抛光(CMP)工艺。本文所述的抛光垫的特征在于抛光垫材料的连续聚合物相,所述抛光垫材料的连续聚合物相包括一或多个第一材料域和多个第二材料域。所述一或多个第一材料域由第一预聚物组合物的聚合反应产物形成,所述多个第二材料域由第二预聚物组合物的聚合反应产物形成,该第二预聚物组合物与第一预聚物组合物不同,并且一或多个第一材料域和多个第二材料之间的界面区域由第一预聚物组合物和第二预聚物组合物的共聚合反应产物所形成。

    使用增材制造工艺所形成的抛光垫及其相关方法

    公开(公告)号:CN116372799A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202211653820.1

    申请日:2019-03-29

    Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及抛光垫和制造抛光垫的方法,其可以被使用于半导体装置制造中的化学机械抛光(CMP)工艺。本文所述的抛光垫的特征在于抛光垫材料的连续聚合物相,所述抛光垫材料的连续聚合物相包括一或多个第一材料域和多个第二材料域。所述一或多个第一材料域由第一预聚物组合物的聚合反应产物形成,所述多个第二材料域由第二预聚物组合物的聚合反应产物形成,该第二预聚物组合物与第一预聚物组合物不同,并且一或多个第一材料域和多个第二材料之间的界面区域由第一预聚物组合物和第二预聚物组合物的共聚合反应产物所形成。

    使用增材制造工艺所形成的抛光垫及其相关方法

    公开(公告)号:CN112384330B

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN201980044800.4

    申请日:2019-03-29

    Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及抛光垫和制造抛光垫的方法,其可以被使用于半导体装置制造中的化学机械抛光(CMP)工艺。本文所述的抛光垫的特征在于抛光垫材料的连续聚合物相,所述抛光垫材料的连续聚合物相包括一或多个第一材料域和多个第二材料域。所述一或多个第一材料域由第一预聚物组合物的聚合反应产物形成,所述多个第二材料域由第二预聚物组合物的聚合反应产物形成,该第二预聚物组合物与第一预聚物组合物不同,并且一或多个第一材料域和多个第二材料之间的界面区域由第一预聚物组合物和第二预聚物组合物的共聚合反应产物所形成。

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