公开(公告)号：CN102915747B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201210397232.6

申请日：2009-02-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 史蒂文·维哈维伯克 ,  马耶德·A·福阿德 ,  尼蒂·M·克里希纳 ,  奥姆卡拉姆·诺拉马苏 ,  马哈林加姆·文卡特桑 ,  卡迈什·吉里德哈

IPC: G11B5/855 ,  H01L27/22

CPC classification number: G11B5/855 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222

Abstract: 一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，包含下列步骤：将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。一种用于此工艺的工具，包含：真空腔室，该真空腔室维持在接地电势；气体入口阀件，配置以将受控的气体量引入腔室；磁盘承载装置，配置以(1)设置在该腔室内、(2)固持多个磁盘，使该些磁盘相隔，其中各磁盘的两侧面皆暴露出、及(3)电接触于该些磁盘；以及射频信号产生器，该射频信号产生器电气耦接到该磁盘承载装置与该腔室，由此可以在该腔室中点燃等离子体，并且该些磁盘在两侧面上皆均匀地暴露于等离子体离子。此工艺可以用来制造存储器件，包括磁阻式随机存取存储器件。

公开(公告)号：CN102915747A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210397232.6

申请日：2009-02-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 史蒂文·维哈维伯克 ,  马耶德·A·福阿德 ,  尼蒂·M·克里希纳 ,  奥姆卡拉姆·诺拉马苏 ,  马哈林加姆·文卡特桑 ,  卡迈什·吉里德哈

IPC: G11B5/855 ,  H01L27/22

CPC classification number: G11B5/855 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222

Abstract: 一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，包含下列步骤：将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。一种用于此工艺的工具，包含：真空腔室，该真空腔室维持在接地电势；气体入口阀件，配置以将受控的气体量引入腔室；磁盘承载装置，配置以(1)设置在该腔室内、(2)固持多个磁盘，使该些磁盘相隔，其中各磁盘的两侧面皆暴露出、及(3)电接触于该些磁盘；以及射频信号产生器，该射频信号产生器电气耦接到该磁盘承载装置与该腔室，由此可以在该腔室中点燃等离子体，并且该些磁盘在两侧面上皆均匀地暴露于等离子体离子。此工艺可以用来制造存储器件，包括磁阻式随机存取存储器件。

公开(公告)号：CN101946282B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200980104827.4

申请日：2009-02-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 史蒂文·维哈维伯克 ,  马耶德·A·福阿德 ,  尼蒂·M·克里希纳 ,  奥姆卡拉姆·诺拉马苏 ,  马哈林加姆·文卡特桑 ,  卡迈什·吉里德哈

IPC: G11B5/84 ,  G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11B5/855 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222

Abstract: 一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，包含下列步骤：将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。一种用于此工艺的工具，包含：真空腔室，该真空腔室维持在接地电势；气体入口阀件，配置以将受控的气体量引入腔室；磁盘承载装置，配置以(1)设置在该腔室内、(2)固持多个磁盘，使该些磁盘相隔，其中各磁盘的两侧面皆暴露出、及(3)电接触于该些磁盘；以及射频信号产生器，该射频信号产生器电气耦接到该磁盘承载装置与该腔室，由此可以在该腔室中点燃等离子体，并且该些磁盘在两侧面上皆均匀地暴露于等离子体离子。此工艺可以用来制造存储器件，包括磁阻式随机存取存储器件。