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公开(公告)号：CN103069486B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201180041059.X
申请日：2011-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·D·本彻 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克 , 夏立群 , 李龙元 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 马丁·A·希尔金 , 皮特·I·波尔什涅夫
IPC: G11B5/84
Abstract: 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。
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公开(公告)号：CN102598131B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201080049969.8
申请日：2010-11-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·A·希尔金 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克
CPC classification number: G11B5/855 , H01J37/321 , H01J37/32412
Abstract: 提供在基板上的磁敏感表面上形成包括磁畴及非磁性磁畴的图案的工艺与设备。在一个实施例中，一种在设置于基板上的磁敏感材料上形成多个磁畴的图案的方法包括：暴露磁敏感层的第一部分至由气体混合物形成的等离子体历时一段足够的时间，以将经由遮蔽层暴露的所述磁敏感层的所述第一部分的磁性从第一状态修改成第二状态，其中所述气体混合物至少包括含卤素气体及含氢气体。
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公开(公告)号：CN102915747B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210397232.6
申请日：2009-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 史蒂文·维哈维伯克 , 马耶德·A·福阿德 , 尼蒂·M·克里希纳 , 奥姆卡拉姆·诺拉马苏 , 马哈林加姆·文卡特桑 , 卡迈什·吉里德哈
CPC classification number: G11B5/855 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，包含下列步骤：将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。一种用于此工艺的工具，包含：真空腔室，该真空腔室维持在接地电势；气体入口阀件，配置以将受控的气体量引入腔室；磁盘承载装置，配置以(1)设置在该腔室内、(2)固持多个磁盘，使该些磁盘相隔，其中各磁盘的两侧面皆暴露出、及(3)电接触于该些磁盘；以及射频信号产生器，该射频信号产生器电气耦接到该磁盘承载装置与该腔室，由此可以在该腔室中点燃等离子体，并且该些磁盘在两侧面上皆均匀地暴露于等离子体离子。此工艺可以用来制造存储器件，包括磁阻式随机存取存储器件。
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公开(公告)号：CN103069486A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180041059.X
申请日：2011-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·D·本彻 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克 , 夏立群 , 李龙元 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 马丁·A·希尔金 , 皮特·I·波尔什涅夫
IPC: G11B5/84
Abstract: 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。
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公开(公告)号：CN102576548B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201080047182.8
申请日：2010-10-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·A·希尔金 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔 , 皮特·I·波尔什涅夫 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y10/00 , G11B5/746 , H01J37/32412
Abstract: 本发明的具体实施例提供一种在用以形成图案的等离子体离子注入工艺期间减少热能聚积的方法，所形成的图案包括基板上的磁性敏感表面上的磁畴及非磁畴。于一具体实施例中，在等离子体离子注入工艺期间控制基板温度的方法包含下列步骤：(a)于处理腔室中，在基板上进行等离子体离子注入工艺的第一部份达第一时段，该基板上形成有磁性敏感层，其中该基板的温度被维持在低于约摄氏150度，(b)在完成等离子体离子注入工艺的第一部份之后，冷却该基板的温度，以及(c)在该基板上进行等离子体离子注入工艺的第二部份，其中该基板的温度被维持低于摄氏150度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102598131A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049969.8
申请日：2010-11-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·A·希尔金 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克
CPC classification number: G11B5/855 , H01J37/321 , H01J37/32412
Abstract: 提供在基板上的磁敏感表面上形成包括磁畴及非磁性磁畴的图案的工艺与设备。在一个实施例中，一种在设置于基板上的磁敏感材料上形成多个磁畴的图案的方法包括：暴露磁敏感层的第一部分至由气体混合物形成的等离子体历时一段足够的时间，以将经由遮蔽层暴露的所述磁敏感层的所述第一部分的磁性从第一状态修改成第二状态，其中所述气体混合物至少包括含卤素气体及含氢气体。
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公开(公告)号：CN102334224A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009453.0
申请日：2010-03-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 奥姆卡拉姆·诺拉马苏 , 史蒂文·维哈维伯克
CPC classification number: H01G9/048 , C25D11/32 , H01G9/0032 , H01G9/055 , H01G9/07 , H01G11/26 , H01G11/28 , H01G11/86 , H01M4/0404 , H01M4/134 , H01M10/0587 , Y02E60/13
Abstract: 一种用于制造具有大表面积电极的能量存储器件的方法包括：提供导电基板；在导电基板上沉积半导体层，所述半导体层是第一电极；阳极氧化所述半导体层，其中所述阳极氧化在所述半导体层中形成孔，增加所述第一电极的表面积；在所述阳极氧化之后，提供电解质和第二电极，以形成所述能量存储器件。所述基板可以是连续膜，可使用线性处理工具制造所述能量存储器件的电极。所述半导体可以是硅，沉积工具可以是热喷镀工具。而且，半导体层可以是非晶的。能量存储器件可卷绕成圆柱状。能量存储器件可以是电池、电容器或者超电容器。
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公开(公告)号：CN107492386A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710611689.5
申请日：2011-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·D·本彻 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克 , 夏立群 , 李龙元 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 马丁·A·希尔金 , 皮特·I·波尔什涅夫
Abstract: 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。
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公开(公告)号：CN102714043B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180005377.0
申请日：2011-01-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 史蒂文·维哈维伯克 , 乔斯·安东尼奥·马林
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/8404 , C23C14/48 , C23C14/50 , H01L21/67721 , H01L21/67736 , H01L21/67766 , H01L21/67781 , H01L21/68771
Abstract: 提供用于同时处理多个基板的方法与设备。每个基板可具有将被处理的两个主活性表面。设备具有基板搬运模块与基板处理模块。基板搬运模块具有负载组件、翻转组件与工厂接口。基板在负载组件处设置在基板载具上。翻转组件是用来在需要两侧处理的情况下翻转基板载具上的所有基板。工厂接口定位固持基板的基板载具以进出基板处理模块。基板处理模块包括负载锁定器、传送腔室与多个处理腔室，多个处理腔室的每一个配置为处理设置在基板载具上的多个基板。
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公开(公告)号：CN102915747A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210397232.6
申请日：2009-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 史蒂文·维哈维伯克 , 马耶德·A·福阿德 , 尼蒂·M·克里希纳 , 奥姆卡拉姆·诺拉马苏 , 马哈林加姆·文卡特桑 , 卡迈什·吉里德哈
CPC classification number: G11B5/855 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，包含下列步骤：将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些实质未覆盖的区域变为非磁性。一种用于此工艺的工具，包含：真空腔室，该真空腔室维持在接地电势；气体入口阀件，配置以将受控的气体量引入腔室；磁盘承载装置，配置以(1)设置在该腔室内、(2)固持多个磁盘，使该些磁盘相隔，其中各磁盘的两侧面皆暴露出、及(3)电接触于该些磁盘；以及射频信号产生器，该射频信号产生器电气耦接到该磁盘承载装置与该腔室，由此可以在该腔室中点燃等离子体，并且该些磁盘在两侧面上皆均匀地暴露于等离子体离子。此工艺可以用来制造存储器件，包括磁阻式随机存取存储器件。
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