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公开(公告)号：CN114207771B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202080056247.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种处理腔室可以包括气体分布构件、金属环构件和隔离组件，所述金属环构件位于气体分布构件下方，所述隔离组件与金属环构件耦接并将金属环构件与气体分布构件隔离。隔离组件可以包括与金属环构件耦接的外隔离构件。外隔离构件可以至少部分地限定腔室壁。隔离组件可以进一步包括与外隔离构件耦接的内隔离构件。内隔离构件可以围绕处理腔室的中心轴线相对于金属环构件设置在径向内部。内隔离构件可以限定多个开口，所述多个开口被配置为提供进入金属环构件与内隔离构件之间的径向间隙的流体进出口。
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公开(公告)号：CN115769361A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180048104.8
申请日：2021-07-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 , S·M·佐伊特 , S·R·恭德哈勒卡尔 , W·G·博伊德 , B·拉马穆尔蒂 , S·阿特尼 , A·K·卡拉尔 , 杰伊二世·D·平森
IPC: H01L21/683
Abstract: 本公开内容的实施例提供了用于在处理期间固定基板的静电卡盘。本公开内容的一些实施例提供了用于增加跨基板的径向轮廓的温度控制的方法和装置。本公开内容的一些实施例提供了用于在高密度等离子体(HDP)工艺期间控制处理的膜中的氢浓度的方法和装置。
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公开(公告)号：CN114207771A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056247.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种处理腔室可以包括气体分布构件、金属环构件和隔离组件，所述金属环构件位于气体分布构件下方，所述隔离组件与金属环构件耦接并将金属环构件与气体分布构件隔离。隔离组件可以包括与金属环构件耦接的外隔离构件。外隔离构件可以至少部分地限定腔室壁。隔离组件可以进一步包括与外隔离构件耦接的内隔离构件。内隔离构件可以围绕处理腔室的中心轴线相对于金属环构件设置在径向内部。内隔离构件可以限定多个开口，所述多个开口被配置为提供进入金属环构件与内隔离构件之间的径向间隙的流体进出口。
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