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公开(公告)号：CN116490937A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180079523.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·G·克诺斯约瑟夫 , S·S·甘塔 , K·贝拉 , A·恩古耶 , 杰伊二世·D·平森 , A·达纳克什鲁尔 , K·C·阿拉亚瓦里 , 赖璨锋 , 段仁官 , J·Y·孙 , A·K·卡拉尔 , A·潘迪
IPC: H01F1/04
Abstract: 一种等离子体腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有在腔室主体内的处理区域；衬垫，所述衬垫设置在腔室主体上，所述衬垫围绕处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件设置在衬垫内；磁体组件，所述磁体组件包括设置在衬垫周围的多个磁体；以及磁性材料屏蔽件，所述磁性材料屏蔽件设置在衬垫周围，所述磁性材料屏蔽件封装靠近基板支撑件的处理区域。
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公开(公告)号：CN115769361A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180048104.8
申请日：2021-07-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 , S·M·佐伊特 , S·R·恭德哈勒卡尔 , W·G·博伊德 , B·拉马穆尔蒂 , S·阿特尼 , A·K·卡拉尔 , 杰伊二世·D·平森
IPC: H01L21/683
Abstract: 本公开内容的实施例提供了用于在处理期间固定基板的静电卡盘。本公开内容的一些实施例提供了用于增加跨基板的径向轮廓的温度控制的方法和装置。本公开内容的一些实施例提供了用于在高密度等离子体(HDP)工艺期间控制处理的膜中的氢浓度的方法和装置。
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公开(公告)号：CN113330533A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089223.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01Q1/26 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及一种半导体处理设备。更具体地，本公开的实施例涉及产生和控制等离子体。处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体包括一个或多个腔室壁并限定处理区域。处理腔室还包括处于同心轴向对准的两个或更多个感应驱动射频(RF)线圈，所述RF线圈布置在腔室壁附近以触发并维持腔室主体内的等离子体，其中的两个或更多个RF线圈中的至少两个处于递归配置。
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