公开(公告)号：CN102437053A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110374168.5

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·柏西留 ,  谢利群 ,  V·佐布库夫 ,  舍美叶 ,  I·罗弗劳克斯 ,  H·姆塞德

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3185

Abstract: 一半导体元件的一膜层的压缩应力，可单独或合并使用一或多种技术，而加以控制。一第一组实施例是经由将氢加入沉积化学作用中而提高氮化硅的压缩应力，并降低以高压缩应力氮化硅膜层制作的元件的元件缺陷，而该具高压缩应力的氮化硅膜层是于存有氢气的状态下形成。一氮化硅膜层可包含一初始层，其于无氢气流的存在下而形成，作为于一氢气流存在下所形成的一高应力氮化物层的底层。根据本发明的一实施例所形成的氮化硅膜层，其可具一2.8GPa或更高的压缩应力。

公开(公告)号：CN101496145B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200780017771.X

申请日：2007-06-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  V·恩古耶 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂 ,  H·M'塞德 ,  石美仪 ,  I·罗弗劳克斯

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7843

Abstract: 可藉由在较高的温度下沉积而提高氮化硅层的应力。采用一种能使基板实际加热至高于400℃的设备(例如，一种陶制而非铝制的加热器)，则初镀的氮化硅膜可展现出增强的应力，使位于其下的MOS晶体管器件的性能得以提升。根据其它实施例，氮化硅沉积膜在高温下暴露于紫外光(UV)下以进行硬化，从而有助于自膜中移除氢并增进膜应力。根据另外的实施例，氮化硅膜利用一种采用多个沉积/硬化循环的集成处理形成，以维护下方凸起特征尖角处的膜层的完整。而相继膜层之间的附着力，则可藉由在每一循环中纳入紫外光硬化后的等离子体处理而获得提升。

公开(公告)号：CN102906859A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180024727.8

申请日：2011-05-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·恩古耶 ,  Y·陈 ,  M·巴尔塞努 ,  I·罗弗劳克斯 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32139

Abstract: 提供用于以富含硼的膜处理基板的方法。将富含硼的材料的经图案化层沉积在基板上，且所述富含硼的材料的经图案化层可用来作为蚀刻终止物。通过改变化学成分，可针对不同的蚀刻化学物质来最优化富含硼的材料的选择性及蚀刻速率。可将富含硼的材料以多层沉积在层堆叠基板上，并以一图案进行蚀刻。可接着以多重蚀刻化学物质蚀刻暴露的层堆叠。各个富含硼的层可具有对于多重蚀刻化学物质为最优化的不同化学成分。