公开(公告)号：CN102437053A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110374168.5

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·柏西留 ,  谢利群 ,  V·佐布库夫 ,  舍美叶 ,  I·罗弗劳克斯 ,  H·姆塞德

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3185

Abstract: 一半导体元件的一膜层的压缩应力，可单独或合并使用一或多种技术，而加以控制。一第一组实施例是经由将氢加入沉积化学作用中而提高氮化硅的压缩应力，并降低以高压缩应力氮化硅膜层制作的元件的元件缺陷，而该具高压缩应力的氮化硅膜层是于存有氢气的状态下形成。一氮化硅膜层可包含一初始层，其于无氢气流的存在下而形成，作为于一氢气流存在下所形成的一高应力氮化物层的底层。根据本发明的一实施例所形成的氮化硅膜层，其可具一2.8GPa或更高的压缩应力。

公开(公告)号：CN110612596A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201880000826.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  Z·孙 ,  M·柏西留 ,  夏立群 ,  B·J·布扬 ,  M·萨利

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。

公开(公告)号：CN116892014A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202311003007.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  Z·孙 ,  M·柏西留 ,  夏立群 ,  B·J·布扬 ,  M·萨利

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/52 ,  C23C16/42

Abstract: 兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。

公开(公告)号：CN110612596B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201880000826.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  Z·孙 ,  M·柏西留 ,  夏立群 ,  B·J·布扬 ,  M·萨利

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。